080501-材料物理与化学

化合物半导体单晶材料生长
缺陷与杂质
材料物理

1996-08--1999-08   香港大学   理学博士
1986-09--1989-03   河北半导体研究所   工学硕士学位
1982-09--1986-07   兰州大学   理学学士学位

   

2000-03~2011-08,中国科学院半导体研究所, 研究员
1996-08~1999-08,香港大学, 理学博士
1989-03~1996-07,河北半导体研究所, 工程师
1986-09~1989-03,河北半导体研究所, 工学硕士学位
1982-09~1986-07,兰州大学, 理学学士学位

半导体材料

   

（1） 磷化铟单晶缺陷, 二等奖, 省级, 2010
（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等奖, 部委级, 2003
（3） 化合物半导体InP, 二等奖, 国家级, 2002

（ 1 ） 对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116380959A

（ 2 ） 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116380891A

（ 3 ） 一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115522263A

（ 4 ） 锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114203526A

（ 5 ） 锑化镓晶片湿法腐蚀方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114108102A

（ 6 ） 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN113358677A

（ 7 ） 一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112899790A

（ 8 ） 籽晶保护装置及单晶生长方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108546986B

（ 9 ） 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108831933B

（ 10 ） 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110965129A

（ 11 ） 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110205681A

（ 12 ） 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108831933A

（ 13 ） 籽晶保护装置及单晶生长方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108546986A

（ 14 ） 一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108085744A

（ 15 ） 采用闭管化学气相传输方式生长Ga 2 O 3 单晶的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107400919A

（ 16 ） 采用闭管化学气相传输方式生长Ga 2 O 3 单晶的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107400919A

（ 17 ） 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068774A

（ 18 ） 偏111晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104862702A

（ 19 ） 降低衬底表面残留杂质浓度的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021833A

（ 20 ） ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102691108A

（ 21 ） 多晶硅碱性制绒方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102437044A

（ 22 ） 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101603208A

（ 23 ） 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101440516A

（ 24 ） 动态控制高温炉内压力的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101440517A

（ 25 ） 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1978713A

（ 26 ） 退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1265444C

（ 27 ） 晶片热处理用的样品架, 2003, 第 1 作者, 专利号: CN2593359Y

（ 28 ） 磷化铟单晶片的抛光工艺, 2003, 第 2 作者, 专利号: CN1402309A

   

（1） High power GaSb-based superluminescent diode with cascade cavity suppression waveguide geometry and ultra-low antireflection coating, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 第 8 作者
（2） High-Power, High-Efficiency GaSb-Based Laser with Compositionally Linearly Graded AlGaAsSb Layer, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2023, 第 8 作者
（3） Oxidation related particles on GaSb (1 0 0) substrate surfaces, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 通讯作者
（4） Evaluation of LEC and VGF-InAs substrates through surface defect characterization and epitaxy growth, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 2 作者
（5） Residual stress distribution and flatness of dislocation-free Te-GaSb (100) substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 通讯作者
（6） Evaluation of residual stress in InP and InAs (100) substrates obtained from single crystals grown by LEC and VGF methods, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 2 作者
（7） Evaluation of LEC and VGF-InAs substrates through surface defect characyerization and epitaxy growth), Mater. Sci. Semicond. Pro., 2021, 第 1 作者
（8） BAs晶体生长研究进展, Research Progress of BAs Crystal Growth, 人工晶体学报, 2021, 第 2 作者
（9） 面向长距离通讯1550nm垂直腔面发射激光器的研究, 1550nm VCSELs for long-reach optical interconnects, 红外与毫米波学报, 2020, 第 6 作者
（10） A comparison of defects between InAs single crystals grown by Le\EC and VGF methods, Journal of Electronic Materials, 2020, 第 1 作者
（11） 1550 nm VCSELs for long-reach optical interconnects, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 6 作者
（12） VGF growth of high quality InAs single crystals with low dislocation density, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 第 8 作者
（13） HCl-H2SO4-H2O solution etching behavior of InAs (1 0 0) surface, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 通讯作者
（14） A Comparison of Defects Between InAs Single Crystals Grown by LEC and VGF Methods, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 通讯作者
（15） Electrical conduction of carbon-ion-implanted InAs, Mater. Res. express, 2019, 通讯作者
（16） Electrical conduction of C-implanted InAs single crystal, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 2 作者
（17） Wet etching generation of dislocation pits with clear facets in LEC-InAs single crystals, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 第 6 作者
（18） Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal, CHINESE PHYSICS B, 2019, 通讯作者
（19） Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals, Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals, 半导体学报:英文版, 2019, 第 2 作者
（20） Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 2 作者
（21） Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal, Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal, 中国物理B:英文版, 2019, 通讯作者
（22） Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 第 2 作者
（23） LVM Spectroscopy Investigation of Complex Defects in InAs Single Crystals Grown by the LEC Method, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 2 作者
（24） 退火Te-GaSb的电学性质, Journal of Semiconductors, 2017, 通讯作者
（25） Carbon agent chemical vapor transport growth og Ga2O3 crystal, Journal of Semiconductors, 2017, 通讯作者
（26） Electrical and optical property of annealed Te-doped GaSb, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 通讯作者
（27） 低位错密度4 inchGaSb（100）单晶生长及高质量衬底制备, Growth of 4 inch Diameter GaSb (100) Single Crystal with Low Dislocation Density and High Quality Substrate Preparation, 人工晶体学报, 2017, 第 14 作者
（28） Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, 半导体学报：英文版, 2017, 第 2 作者
（29） 4英寸低位错密度GaSb单晶生长及高质量衬底制备, 人工晶体学报, 2017, 通讯作者
（30） Enhancement of below gap transmission of InAs single crystal via suppression of native defects, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（31） 4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究, VGF Growth and Property of 4 inch Diameter InP Single Crystals with Low Dislocation Density, 人工晶体学报, 2017, 第 1 作者
（32） Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 通讯作者
（33） 4英寸低位错InP单晶的VGF法生长及其性质研究, 人工晶体学报, 2017, 第 1 作者
（34） 通过消除原生缺陷提高InAs单晶的透光率, Mater. Res. Express, 2017, 通讯作者
（35） N-type GaSb single crystals with high below-band gap transmission, CHINESE PHYSICS B, 2017, 通讯作者
（36） GaSb晶片表面残留杂质分析, Residual Impurities Analysis on the Surface of Gallium Atimonide Wafers, 半导体光电, 2016, 第 7 作者
（37） Evaluation of four inch diameter VGF-Ge substrates used for manufacturing multi-junction solar cell, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
（38） Thermally induced native defect transform in annealed GaSb, CHINESE PHYSICS B, 2016, 通讯作者
（39） 晶硅电池的黑斑缺陷, 半导体光电, 2016, 通讯作者
（40） GaSb原生缺陷的热致转变, Chin. Phys. B, 2015, 通讯作者
（41） C H complex defects and their influence in ZnO single crystal, CHINESE PHYSICS B, 2015, 通讯作者
（42） 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析, Analysis on Chemical Constituents and Surface Morphology of the Gallium Atimonide Wafers with Different Crystal Orientations, 半导体光电, 2015, 第 7 作者
（43） Chemical and electrical properties of (NH_4)_2S passivated GaSb surface, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 10 作者
（44） Improved surface and electrical properties of passivated GaSb with less alkaline sulfide solution, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 通讯作者
（45） Evaluation of four inch diameter VGF-Ge substrate used for manufacturing Multi-junction Solar Cell, Journal of Semiconductor, 2015, 通讯作者
（46） Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2015, 第 7 作者
（47） AlN原料的钨网炉高温提纯, Purification of AlN Source Material Using a Tungsten Mesh Furnace, 材料科学与工程学报, 2015, 第 7 作者
（48） Analysis of solar cells fabricated from UMG-Si purified by a novel metallurgical method, Semicond. Sci. Technol, Semiconductor Science and Technology, 2013, 第 1 作者
（49） Improvement of the surface quality of semi-insulating InP substrates through a novel etching and cleaning method, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2013, 第 2 作者
（50） Synthesis of chalcopyrite CuIn1−xGaxSe2 alloys for photovoltaic application by a novel melting method, MATERIALS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（51） The fabrication of large-area upgraded metallurgical grade multi-crystalline silicon solar cells in a production line, MATERIALS SCIENCE FORUM, 2013, 第 2 作者
（52） Analysis of solar cells fabricated from UMG-Si purified by a novel metallurgical method, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 第 2 作者
（53） Large scale purification of metallurgical silicon for solar cell by using electron beam melting, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 第 3 作者
（54） Purification of metallurgical silicon through directional solidification in a large cold crucible, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 第 3 作者
（55） Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 第 6 作者
（56） Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 2 作者
（57） 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究, Study of electron irradiation-induced defects in undoped semi-insulating InP, 四川大学学报：自然科学版, 2010, 第 3 作者
（58） Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal, 29th international conference on physics of semiconductors, 2010, 
（59） InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析, Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of InAs Single Crystal Substrate, 人工晶体学报, 2010, 第 2 作者
（60） Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
（61） Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal, Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal, 半导体学报, 2009, 第 1 作者
（62） Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（63） Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（64） Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 2009, 第 6 作者
（65） InP中的深能级杂质与缺陷（续）, Deep Impurities and Defects in InP (Continued), 微纳电子技术, 2008, 第 2 作者
（66） Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008, 第 2 作者
（67） 多晶AlN光学性质研究, Optical Characteristics of Poly- crystalline AIN, 光散射学报, 2008, 第 4 作者
（68） 磷扩散氧化锌单晶的性质, Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（69） Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（70） 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质, Bulk Single Crystal Growth and Properties of In-Doped ZnC, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（71） Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method, SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, 2008, 通讯作者
（72） 用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷, Defects Studies of As-Grown Single Crystal ZnO by Positron, 武汉大学学报：理学版, 2008, 第 6 作者
（73） 高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能, Improvement of the Electrical Property of Semi-Insulating VGF-GaAs Through High Temperature Annealing, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（74） 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究, Defects and Properties of Antimony-Doped ZnO Single Crystal, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（75） VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质, Defects and Properties of Low Dislocation Si-Doped GaAs Single Crystal Grown by the VGF Method, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（76） InP中的深能级杂质与缺陷, Deep Impurities and Defects in InP, 微纳电子技术, 2008, 第 2 作者
（77） InP中深能级缺陷的产生与抑制现象, Generation and suppression of deep level defects in InP, 物理学报, 2007, 第 1 作者
（78） 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷, Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal, 物理学报, 2007, 第 2 作者
（79） GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性, Lattice Perfection of GaSb and InAs Single Crystal Substrate, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（80） Generation and suppression of deep level defects in InP, ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 通讯作者
（81） 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响, Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property, 物理学报, 2007, 第 1 作者
（82） 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响, Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（83） 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征, Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AIN Crystal, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（84） 化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制, Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（85） 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制, Control of Vapor Transport Process of Large Size ZnO Single Crystal Growth, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（86） ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（87） 高质量InAs单晶材料的制备及其性质, Growth and Properties of High Quality InAs Single Crystals, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（88） 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制, Influence of Deep Level Defects on Electrical Properties and Defect Control in Semi-Insulating InP, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（89） 升华法生长AlN体单晶初探, Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN, 半导体学报, 2006, 第 4 作者
（90） 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（91） Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality, 2006 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS CONFERENCE PROCEEDINGS, 2006, 
（92） 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（93） 化学气相传输法生长ZnO单晶, Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（94） 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷, Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb, 武汉大学学报：理学版, 2006, 第 3 作者
（95） 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究, Single Crystal Growth and Property of ZnO by Chemical Vapor Transport Method, 人工晶体学报, 2006, 第 1 作者
（96） 生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响, Influence of Growth and Annealing Conditions on Perfection of InP Single Crystals, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（97） 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷, Non-stoichiometry Related Deep Level Defects in Semi-insulating InP, 人工晶体学报, 2004, 第 1 作者
（98） 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷, 中国科学：E辑, 2004, 第 2 作者
（99） 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷, 人工晶体学报, 2004, 第 1 作者
（100） 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷, 中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 第 2 作者
（101） 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法, 科技开发动态, 2004, 第 1 作者
（102） 提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究, 人工晶体学报, 2003, 第 1 作者
（103） Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（104） 退火处理后非掺磷化铟的电传输特性, Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（105） 非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比, 科学通报, 2002, 
（106） 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性, 半导体学报, 2002, 
（107） 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料, Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（108） 掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响, Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（109） 非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷, Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（110） Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者

   

（ 1 ） 新型中长波红外探测器衬底GaSb和InAs单晶材料制备及应用, 负责人, 研究所自主部署, 2018-03--2020-12
（ 2 ） 面向红外探测应用的GaSb单晶杂质、缺陷及物性研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 3 ） 4-6英寸InP单晶VGF生长技术, 负责人, 境内委托项目, 2017-03--2019-12
（ 4 ） 高质量GaSb单晶衬底加工技术及红外探测应用, 负责人, 研究所自主部署, 2017-08--2018-12
（ 5 ） 磷化铟材料, 负责人, 国家任务, 2019-10--2022-09
（ 6 ） 高纯磷化铟多晶制备技术及晶园衬底制备, 负责人, 境内委托项目, 2020-01--2020-12

（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal   2017-10-08