基本信息
王曦  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: xwang@mail.sim.ac.cn
通信地址: 丁香园57号302室
邮政编码:

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
SOI材料与器件,高端硅基材料

教育背景

1990-06--1993-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士学位
1987-09--1990-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   硕士学位
1983-09--1987-06   清华大学   学士学位
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2010-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 所长
1996-05~1998-06,德国罗森多夫研究中心, “洪堡”学者
1993-07~1994-05,澳大利亚联邦科学与工业研究院, 访问学者
1993-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-06~1993-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士学位
1987-09~1990-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 硕士学位
1983-09~1987-06,清华大学, 学士学位
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 何梁何利基金科学与技术进步奖, , 其他, 2008
(2) 中国科学院杰出科技成就奖, , 院级, 2007
(3) 国家科学技术进步奖, 一等奖, 国家级, 2006
(4) 上海市科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2005
(5) 中国科学院发明奖, 二等奖, 院级, 1997
(6) 中国科学院自然科学奖, 三等奖, 院级, 1992
专利成果
( 1 ) 硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036214
( 2 ) 基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036215
( 3 ) 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070636
( 4 ) 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070642
( 5 ) 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070643
( 6 ) 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070650
( 7 ) 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070653
( 8 ) 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151802.9
( 9 ) 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151803.3
( 10 ) 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151804.8
( 11 ) 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910199624.x
( 12 ) 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910055733.4
( 13 ) 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053503.4
( 14 ) 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053505.3
( 15 ) 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL200510029225.0
( 16 ) 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: ZL200410017788.3
( 17 ) 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途, 2004, 第 5 作者, 专利号: ZL200410017239.6
( 18 ) 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151253.4
( 19 ) 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151252.6
( 20 ) 绝缘体上锗硅衬底的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL200810200072.5
( 21 ) 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910200127.7
( 22 ) 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201010532635.8
( 23 ) 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151806.7
( 24 ) 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610024846.4
( 25 ) 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610023694.6
( 26 ) 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: L200510029396.3
( 27 ) 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2003, 第 4 作者, 专利号: ZL03141886.4
( 28 ) 鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置, 2003, 第 3 作者, 专利号: ZL03129171.6
( 29 ) 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115427.1
( 30 ) 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115425.5
( 31 ) 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115424.7
( 32 ) 全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070633
( 33 ) 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070645
( 34 ) 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103208425B
( 35 ) 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102790054B
( 36 ) 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021815B
( 37 ) 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021927B
( 38 ) 一种可控石墨烯阵列的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103204455B
( 39 ) 一种制备GOI的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103165511B
( 40 ) 硅基纳米阵列图形化衬底及硅 基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B
( 41 ) 一种图形化绝缘体上Si/CoSi2 衬底材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 103137565B
( 42 ) 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119
( 43 ) 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119
( 44 ) 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102737963B
( 45 ) 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B
( 46 ) 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B
( 47 ) 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B
( 48 ) 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103137546B

出版信息

   
发表论文
(1) Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate, Journal of Materials Chemistry B, 2015, 第 4 作者
(2) Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, 第 4 作者
(3) Synthesis of layer-tunable graphene by ion implantation into Ni/Cu bilayer substrate, 13th International Conference on Plasma Based Ion Implantation Deposition (特邀报告),Buenos Aires, 2015, 第 3 作者
(4) Synthesis of layer-tunable graphene: A combined kinetic implantation and thermal ejection approach, Advanced Functional Materials, 2015, 第 4 作者
(5) Determinis tic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, Small, 2015, 第 4 作者
(6) Fluorinated Graphene in Interface Engineering of Ge-Based Nanoelectronics, Advanced Functional Materials, 2015, 第 4 作者
(7) Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
(8) Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
(9) CVD growth of graphene on NiTi alloy for enhanced biological activity, ACS Applied Materials and Interfaces, 2015, 第 4 作者
(10) Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
(11) Pattern transition from nanohoneycomb to nanograss on germanium by gallium ion bombardment, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
(12) Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
(13) Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, Applied Physics Letters, 2015, 第 4 作者
(14) Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe, Microelectronic Engineering, 2015, 第 4 作者
(15) Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, 2015, 第 4 作者
(16) Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate, Journal of Materials Chemistry B, 2015, 第 4 作者
(17) Strain redistribution in free-standing bridge structure released from strained silicon-on-insulator, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
(18) Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer, Scientific Reports, 2014, 第 4 作者
(19) Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization, Thin Solid Films, 2014, 第 4 作者
(20) Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer, Scientific Reports, 2014, 第 4 作者
(21) Study of Ge loss during Ge condensation process, Thin Solid Films, 2014, 第 4 作者
(22) Three dimensional strain distribution of wrinkled silicon nanomembranes fabricated by rolling-transfer technique, Applied Physics Letters, 2013, 第 4 作者
(23) Influence of He implantation dose on strain relaxation of pseudomorphic SiGe/Si heterostructure, Thin Solid Films, 2013, 第 4 作者
(24) Direc t Growth of Graphene Film on Germanium Substrate, Scientific Reports, 2013, 第 4 作者
(25) Sharp crack formation in low fluence hydrogen implanted Si0.75Ge0.25/B doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure, Applied Physics Letters, 2013, 第 4 作者
(26) Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD, Chinese Science Bulletin, 2012, 第 4 作者
(27) RBS-channeling in characterizing H-platelet and dynamic annealing effect in H-implanted Si, The 22nd International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (特邀报告),Fort Worth, 2012, 第 3 作者
(28) Optical Beam Steering Based on the Symmetry of Resonant Modes of Nanoparticles, Physical Review Letters, 2011, 第 11 作者
(29) Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micro pressure Sensor, SENSORS AND MATERIALS, 2011, 第 11 作者
(30) Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 第 11 作者
(31) Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy, Applied Physics Letters, 2011, 第 11 作者
(32) High mobility strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/Metal-Gate, Solid State Electronics, 2011, 第 11 作者
(33) Epitaxial growth of fully relaxed SiGe on SOI substrate, Applied Surface Science, 2011, 第 11 作者
(34) Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O implantation, Chinese Science Bulletin, 2011, 第 11 作者
(35) Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing, Applied Physics Express, 2011, 第 11 作者
(36) Three-Dimensional Carrier Profi ling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Advanced Materials, 2010, 第 11 作者
(37) Millimeter-scale self-collimation in planar photonic crystals fabricated by CMOS technology, Optics Communications, 2010, 第 11 作者
(38) Self-Collimation in Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 11 作者
(39) Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers, Solid State Electronics, 2010, 第 2 作者
(40) Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer, Journal of The Electrochemical Society, 2010, 第 11 作者
(41) Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Nano Letters , 2010, 第 11 作者
(42) Self-Collimation In Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 3 作者
(43) TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap, Microelectronics Journal , 2009, 第 2 作者
(44) Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Silicon-on-Insulator, Modern Physics Letters B, 2009, 第 3 作者
(45) Three-dimensional tapered spot-size converter based on (111) silicon-on-insulator, Photonics Technology Letters, 2009, 第 4 作者
(46) The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers, Applied Physics Letters, 2009, 第 11 作者
(47) Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI, Microelectronics Journal, 2008, 第 11 作者
(48) Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium, Applied Physics Letters, 2008, 第 11 作者
(49) Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics, Thin Solid Films, 2008, 第 11 作者
(50) Fabrication of thin film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2008, 第 11 作者
(51) Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes, Solid-State Electronics, 2008, 第 4 作者
(52) Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET, Chinese Physics C, 2008, 第 11 作者
(53) Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2008, 第 11 作者
(54) Effect of nanoclusters induced by Si implantation on total dose radiation response of a SOI wafer, Semiconductor Science and Technology, 2008, 第 4 作者
(55) Study on the orientation of silver films by ion-beam assisted deposition, Applied Surface Science, 2008, 第 4 作者
(56) New technology for fabricating a thin film/thick BOX silicon-on-insulator, Chinese Journal of Semi- conductors, 2008, 第 11 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 半导体材料, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
参与会议
(1)Integration of LaLuO3/TiN Gate Stack in Strained-SiGe p-MOSFETs   W. Yu, B. Zhang, Q.T. Zhao, J.-M. Hartmann, D. Buca, A. Nichau, J.M. J. Lopes, J.Schubert   2010-12-01
(2)Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer   Wei X, Zhang B, Chen M, Zhang M, Wang X, Lin CL   2008-10-06
(3)Industrial SOI Technology by Ion Implantation   Xi Wang   2008-08-31
(4)Investigation of SOI materials fabricated by etch stop thinning process   Wei X, Zhang M, Wang X, Chen M   2008-07-28

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生