基本信息
王国宏  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: ghwang@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

研究领域

GaN基LED材料生长及器件物理; Mini/MicroLED新型显示技术;GaN基新型光电器件;

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程
招生方向
新型光电子器件及其集成技术的研究、开发、中试规模的生产
GaN基半导体材料及其应用、产业化开发

教育背景

1995-09--1998-08 中国科学院半导体研究所 博士学位
学历
-- 研究生
学位
-- 博士

工作经历

   
工作简历
1998-08--今 中国科学院半导体研究所 研究员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术,一等奖,市地级,2012
专利成果
[1] 李璟, 葛畅, 王国宏, 苏康. 倒装LED红光器件结构及其制备方法. CN: CN111048496A, 2020-04-21.

[2] 李璟, 葛畅, 王国宏, 苏康. 倒装OLED器件及其制备方法. CN: CN109216588B, 2020-04-21.

[3] 李璟, 苏康, 王国宏, 葛畅. LED与OLED串联的白光发光芯片及其制备方法. CN: CN110875358A, 2020-03-10.

[4] 王国宏, 陆兴东, 李璟, 李志聪. 光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法. CN: CN108133992B, 2019-11-29.

[5] 姬小利, 路红喜, 郭金霞, 魏同波, 伊晓燕, 王军喜, 杨富华, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓系发光器件. 中国: CN103633218B, 2018-03-06.

[6] 李璟, 杨华, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法. 中国: CN104465485B, 2017.11.14.

[7] 王兵, 王蕴玉, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法. 中国: CN107215858A, 2017-09-29.

[8] 李璟, 郭宏, 杨华, 韩媛媛, 卢鹏志, 王建伟, 郑怀文, 王国宏. 提高散热性能的高功率LED光源模组. 中国: CN206003823U, 2017-03-08.

[9] 卢鹏志, 杨华, 裴艳荣, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种可实现自然光谱的LED光源. 中国: CN205385020U, 2016-07-13.

[10] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种光色可调的LED叠层光源模块. 中国: CN105546366A, 2016-05-04.

[11] 袁国栋, 王克超, 张璐, 吴瑞伟, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法. 中国: CN105552187A, 2016-05-04.

[12] 李璟, 杨华, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 红光LED倒装芯片的制作方法. 中国: CN104638097A, 2015-05-20.

[13] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. LED共晶焊方法. 中国: CN104599990A, 2015-05-06.

[14] 卢鹏志, 杨华, 薛斌, 王晓桐, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜. LED芯片的封装方法. 中国: CN104576900A, 2015-04-29.

[15] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 高光功率密度LED光源模块. 中国: CN104534421A, 2015-04-22.

[16] 孔庆峰, 郭金霞, 纪攀峰, 马平, 王文军, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种LED外延片的切裂方法. 中国: CN104505442A, 2015-04-08.

[17] 詹腾, 马骏, 王钦金, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法. 中国: CN104465856A, 2015-03-25.

[18] 李璟, 杨华, 薛斌, 谢海忠, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种LED全彩显示阵列及其制作方法. 中国: CN104465692A, 2015-03-25.

[19] 李璟, 王国宏, 毕瑞祥, 杨华. 一种半导体激光器引脚式封装结构及方法. 中国: CN104377542A, 2015-02-25.

[20] 孔庆峰, 马平, 纪攀峰, 卢鹏志, 杨华, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法. 中国: CN104143593A, 2014.11.12.

[21] 姬小利, 闫建昌, 郭金霞, 张连, 杨富华, 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件. 中国: CN103887385A, 2014.06.25.

[22] 詹腾, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 无线隔离驱动式的照明系统. 中国: CN104184220A, 2014-12-03.

[23] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. LED模组的散热结构及散热方法. 中国: CN103956358A, 2014-07-30.

[24] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法. 中国: CN103839777A, 2014-06-04.

[25] 詹腾, 郭金霞, 田婷, 伊晓燕, 王莉, 李璟, 王国宏. 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法. 中国: CN103762222A, 2014-04-30.

[26] 王兵, 伊晓燕, 孔庆峰, 刘志强, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法. 中国: CN103730558A, 2014-04-16.

[27] 梁萌, 杨华, 刘志强, 郭恩卿, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法. 中国: CN103700736A, 2014-04-02.

[28] 梁萌, 杨华, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法. 中国: CN103647012A, 2014-03-19.

[29] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种LED散热结构. 中国: CN103644549A, 2014-03-19.

[30] 谢海忠, 宋昌斌, 姚然, 卢鹏志, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 植物补光发光二极管的制作方法. 中国: CN103579422A, 2014-02-12.

[31] 谢海忠, 王莉, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 晶圆级微透镜压印成型方法. 中国: CN103579467A, 2014-02-12.

[32] 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法. 中国: CN103579478A, 2014-02-12.

[33] 李璟, 杨华, 薛斌, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法. 中国: CN103579461A, 2014-02-12.

[34] 孔庆峰, 郭金霞, 马平, 王丽, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法. 中国: CN103529658A, 2014-01-22.

[35] 赵勇兵, 裴艳荣, 朱绍歆, 田婷, 郭金霞, 杨华, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 光源频闪测试装置. 中国: CN103487238A, 2014-01-01.

[36] 姬小利, 郭金霞, 马平, 马骏, 魏同波, 伊晓燕, 王军喜, 杨富华, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法. 中国: CN103474536A, 2013-12-25.

[37] 田婷, 赵勇兵, 詹腾, 郭金霞, 伊晓燕, 刘志强, 李璟, 王国宏. 一种交流发光二极管. 中国: CN103367386A, 2013-10-23.

[38] 赵勇兵, 田婷, 詹腾, 郭金霞, 杨华, 伊晓燕, 李璟, 王国宏. 一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组. 中国: CN203193983U, 2013-09-11.

[39] 赵勇兵, 田婷, 詹腾, 郭金霞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 高功率因数的LED驱动电路. 中国: CN103281840A, 2013-09-04.

[40] 赵勇兵, 田婷, 詹腾, 郭金霞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. AC-LED驱动电路. 中国: CN103281841A, 2013-09-04.

[41] 詹腾, 王国宏, 郭金霞, 李璟, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 任意切割式高压LED器件的制作方法. 中国: CN103236474A, 2013-08-07.

[42] 程滟, 詹腾, 郭金霞, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法. 中国: CN103227250A, 2013-07-31.

[43] 李璟, 王国宏, 詹腾, 孔庆峰. 提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法. 中国: CN103165780A, 2013-06-19.

[44] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 于飞, 薛斌, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 低热阻LED封装结构及封装方法. 中国: CN103151445A, 2013-06-12.

[45] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 于飞, 薛斌, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 无支架LED封装结构及封装方法. 中国: CN103151446A, 2013-06-12.

[46] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法. 中国: CN103137808A, 2013-06-05.

[47] 李璟, 王国宏, 孔庆峰, 詹腾. 低损伤GaN基LED芯片的制作方法. 中国: CN103117338A, 2013-05-22.

[48] 李智, 张逸韵, 程滟, 赵勇兵, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管. 中国: CN103066195A, 2013-04-24.

[49] 谢海忠, 于飞, 鲁志远, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 激光钻孔切割异形发光二极管的方法. 中国: CN103022280A, 2013-04-03.

[50] 谢海忠, 卢鹏志, 耿雪妮, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法. 中国: CN103000775A, 2013-03-27.

[51] 程滟, 汪炼成, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法. 中国: CN102983234A, 2013-03-20.

[52] 谢海忠, 张逸韵, 鲁志远, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法. 中国: CN102969413A, 2013-03-13.

[53] 谢海忠, 张扬, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构. 中国: CN102969418A, 2013-03-13.

[54] 谢海忠, 张扬, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法. 中国: CN102969411A, 2013-03-13.

[55] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 谢海忠, 薛斌, 于飞, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 高光功率密度LED光源模块. 中国: CN102954378A, 2013-03-06.

[56] 程滟, 汪炼成, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法. 中国: CN102956774A, 2013-03-06.

[57] 田婷, 詹腾, 张逸韵, 郭金霞, 李璟, 伊晓燕, 刘志强, 王国宏. 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法. 中国: CN102903805A, 2013-01-30.

[58] 田婷, 谢海忠, 张逸韵, 王兵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王国宏. 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法. 中国: CN102903815A, 2013-01-30.

[59] 郭恩卿, 伊晓燕, 王国宏, 刘志强. 半导体发光器件及其制造方法. 中国: CN102891232A, 2013-01-23.

[60] 谢海忠, 张逸韵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法. 中国: CN102886609A, 2013-01-23.

[61] 詹腾, 张杨, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 阵列式高压LED器件的制作方法. 中国: CN102867837A, 2013-01-09.

[62] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法. 中国: CN102534769A, 2012.07.04.

[63] 张杨, 詹腾, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法. 中国: CN102832225A, 2012-12-19.

[64] 马骏, 汪炼成, 张逸韵, 伊晓燕, 王国宏. 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管. 中国: CN102751407A, 2012-10-24.

[65] 马骏, 汪炼成, 张逸韵, 伊晓燕, 王国宏. 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管. 中国: CN102751408A, 2012-10-24.

[66] 汪炼成, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法. 中国: CN102709415A, 2012-10-03.

[67] 汪炼成, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法. 中国: CN102694093A, 2012-09-26.

[68] 谢海忠, 汪炼成, 张逸韵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 晶圆级LED管芯整体集成封装装置. 中国: CN102637789A, 2012-08-15.

[69] 李盼盼, 李鸿渐, 张逸韵, 李志聪, 梁萌, 李璟, 王国宏. 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法. 中国: CN102637787A, 2012-08-15.

[70] 卢鹏志, 杨华, 王晓彤, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏. LED封装结构及封装成型方法. 中国: CN102637810A, 2012-08-15.

[71] 孙波, 赵丽霞, 伊晓燕, 刘志强, 魏学成, 王国宏. 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法. 中国: CN102623606A, 2012-08-01.

[72] 孙波, 赵丽霞, 伊晓燕, 刘志强, 魏学成, 王国宏. 纳米氮化镓发光二极管的制作方法. 中国: CN102623590A, 2012-08-01.

[73] 孙波, 赵丽霞, 伊晓燕, 刘志强, 魏学成, 王国宏. 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法. 中国: CN102623588A, 2012-08-01.

[74] 孙波, 赵丽霞, 伊晓燕, 刘志强, 魏学成, 王国宏. 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法. 中国: CN102610715A, 2012-07-25.

[75] 孙波, 赵丽霞, 伊晓燕, 刘志强, 魏学成, 王国宏. 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法. 中国: CN102610716A, 2012-07-25.

[76] 赵丽霞, 杨华, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法. 中国: CN102608509A, 2012-07-25.

[77] 谢海忠, 张逸韵, 王兵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 侧面粗化的发光二极管及其制作方法. 中国: CN102593301A, 2012-07-18.

[78] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化物LED外延结构的生长方法. 中国: CN102569567A, 2012-07-11.

[79] 谢海忠, 张逸韵, 卢鹏志, 王晓桐, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基LED芯片立式封装的方法. 中国: CN102569566A, 2012-07-11.

[80] 汪炼成, 郭恩卿, 谢海忠, 伊晓燕, 王国宏. 晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法. 中国: CN102569606A, 2012-07-11.

[81] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法. 中国: CN102544271A, 2012-07-04.

[82] 张逸韵, 谢海忠, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法. 中国: CN102544270A, 2012-07-04.

[83] 田婷, 张逸韵, 耿雪妮, 李璟, 伊晓燕, 王国宏. 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法. 中国: CN102544289A, 2012-07-04.

[84] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构的制作方法. 中国: CN102231421A, 2011.11.02.

[85] 李璟, 王国宏, 魏同波, 张杨, 孔庆峰. 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法. 中国: CN102157640A, 2011.08.17.

[86] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 高质量氮化镓系发光二极管. 中国: CN102064254A, 2011.05.18.

[87] 刘志强, 郭恩卿, 伊晓燕, 汪炼成, 王国宏, 李晋闽. 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法. 中国: CN102064261A, 2011.05.18.

[88] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种增强LED出光效率的粗化方法. 中国: CN101976712A, 2011.02.16.

[89] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法. 中国: CN101969088A, 2011.02.09.

[90] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构. 中国: CN102255034A, 2011-11-23.

[91] 郭恩卿, 伊晓燕, 汪炼成, 孙波, 王国宏. 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法. 中国: CN102214743A, 2011-10-12.

[92] 张逸韵, 汪炼成, 郭恩卿, 孙波, 伊晓燕, 王国宏. 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED. 中国: CN102214753A, 2011-10-12.

[93] 李志聪, 姚然, 王兵, 梁萌, 李鸿渐, 李盼盼, 李璟, 王国宏, 李晋闽. 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法. 中国: CN102214740A, 2011-10-12.

[94] 李志聪, 姚然, 王兵, 梁萌, 李璟, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法. 中国: CN102214739A, 2011-10-12.

[95] 詹腾, 汪炼成, 郭恩卿, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法. 中国: CN102208502A, 2011-10-05.

[96] 孙波, 伊晓燕, 刘志强, 汪炼成, 郭恩卿, 王国宏. 自支撑氮化镓衬底的制作方法. 中国: CN102208340A, 2011-10-05.

[97] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法. 中国: CN102185052A, 2011-09-14.

[98] 刘志强, 郭恩卿, 伊晓燕, 汪炼成, 王国宏, 李晋闽. 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法. 中国: CN102064260A, 2011-05-18.

[99] 汪炼成, 郭恩卿, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏. 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法. 中国: CN101974772A, 2011-02-16.

[100] 郭恩卿, 刘志强, 汪炼成, 伊晓燕, 王莉, 王国宏. 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法. 中国: CN101937956A, 2011-01-05.

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出版信息

   
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[115] Wang Guohong. Coupled DBR Design and MOCVD growth for High-Brightness AlGaInP Light Emitting Diodes. Proceeding of SPIE. 1998, [116] 陈良惠, 张玉芳, 马骁宇, 曹青, 王国宏, 王树堂, 李玉璋. LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管. 半导体学报[J]. 1998, 19(9): 712-, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19283.
[117] 王国宏. 高亮度AlGaInP发光二极管的研制. 1998, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4525.
[118] 王国宏, 马骁宇. LP—MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管. 半导体学报. 1998, 19(9): 712-714, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=3160268.
[119] 李玉璋, 陈良惠, 马骁宇, 王树堂, 彭怀德, 王国宏. 决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素. 光子学报[J]. 1998, 27(10): 952-, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19147.
[120] 王国宏. AlGaInP橙黄色发光二极管研制. 半导体学报. 1998, 

指导学生

已指导学生

梁萌  硕士研究生  080901-物理电子学  

郭德博  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

范曼宁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王兵  硕士研究生  080901-物理电子学  

郭恩卿  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李志聪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张逸韵  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

李盼盼  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

梁萌  博士研究生  080901-物理电子学  

现指导学生

詹腾  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

汪炼成  博士研究生  080901-物理电子学  

马骏  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李智  硕士研究生  085204-材料工程  

程滟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

赵勇兵  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李鸿渐  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙波  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

康俊杰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

田婷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学