基本信息
邹世昌  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: zsc@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市延安西路1030弄24#601
邮政编码: 200052

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
SOI/CMOS集成电路研究

教育背景

1954-02--1958-02   苏联莫斯科有色金属学院学习   副博士
1950-07--1952-07   北方交通大学唐山工学院冶金工程系   学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2009-07~现在, 上海市集成电路行业协会, 名誉会长
2007-07~现在, 上海宏力半导体制造有限公司, 科学顾问
2004-07~2009-07,上海市信息化专家委员会, 副主任
2003-07~2007-07,上海宏力半导体制造有限公司, 董事长
2001-07~2009-07,上海市集成电路行业协会, 会长
2001-07~2006-07,上海市浦东新区科学技术协会, 协会主席
1997-07~2003-07,上海华虹NEC电子有限公司, 副董事长
1986-07~现在, 中科院上海冶金所, 博士生导师
1983-07~1997-07,中科院上海冶金所, 所长
1983-07~现在, 中科院上海冶金所, 研究员
1979-07~1980-07,联邦德国慕尼黑弗琅禾费学会固体技术研究所, 客座教授
1960-07~现在, 中科院上海冶金所, 副研究员
1958-03~现在, 中科院上海冶金所, 助理研究员
1954-02~1958-02,苏联莫斯科有色金属学院学习, 副博士
1950-07~1952-07,北方交通大学唐山工学院冶金工程系, 学士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 上海市集成电路行业协会, 特等奖, 市地级, 2010
(2) 聚焦张江十周年科技领军精英奖, 特等奖, 市地级, 2009
(3) 中国科学院研究生院杰出贡献教师, , 院级, 2008
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) Total Ionizing Dose Enhanced DIBL Effect for Deep Submicron NMOSFET, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 第 11 作者
(2) Optical Beam Steering Based on the Symmetry of Resonant Modes of Nanoparticles, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2011, 第 11 作者
(3) Gate direct-tunneling and hot-carrier-induced hysteresis effect in partially depleted silicon-on-insulator floating-body MOSFETs, Journal of Physics D-Applied Physics, 2011, 第 11 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 0.13微米SOI/CMOS工艺平台, 参与, 国家级, 2009-01--2012-12
( 2 ) 130nm KFZ SOI CMOS工艺平台, 主持, 国家级, 2014-10--2018-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生