基本信息
何力 男 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： lihe@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 玉田路500号材料器件中心
邮政编码： 200083
电子邮件： lihe@mail.sitp.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体器件及材料物理
教育背景
1985-07--1988-02 日本北海道大学电机工程系 博士1982-07--1985-07 日本东京电气通讯大学电子工程系 硕士
工作经历
工作简历
1992-12~1994-12,美国普渡大学电气工程系, 博士后1990-12~1992-12,德国维尔茨堡大学物理所, 德国洪堡基金会研究员1990-11~2011-07,中科院上海技术物理研究所, 所长、研究室主任1985-07~1988-02,日本北海道大学电机工程系, 博士1982-07~1985-07,日本东京电气通讯大学电子工程系, 硕士
专利与奖励
专利成果
（ 1 ） 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: 200410053175
出版信息
发表论文
（1） MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者（2） MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 第 1 作者
发表著作
（ 1 ） 先进焦平面技术导论, Introduction to advanced focal plane arrays, 国防工业出版社, 2011-01, 第 1 作者