基本信息
郑厚植  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: hzzheng@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京市东城区安外东河沿1号楼3单元203室
邮政编码: 100000

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
070205-凝聚态物理
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
磁性材料与半导体异质界面的自旋调控,半导体中的孤立中心的自旋
基于磁性材料与半导体异质结构的自旋器件

教育背景

   
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
   
社会兼职
   

教授课程

半导体自旋电子学进展

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) Temperature dependent excitonic transition energies and linewidths of monolayer MoS2 probed by magnetic circular dichroism spectroscopy, Acta Physica Sinica, 2018, 第 11 作者
(2) Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature, Appl Phys Lett, 2018, 第 9 作者
(3) Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction, Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 第 11 作者
(4) Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum Well Junctions, Chinese Physics Letters, 2017, 第 11 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
   
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生