080903-微电子学与固体电子学

宽带隙半导体材料(GaN)生长及器件
太赫兹半导体器件
宽带隙半导体电力电子器件

   

1987.9-1991.7 长春理工大学（原长春光学精密机械学院），光学物理系红外技术专业，本科；
1991.8-1994.4 长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室，军用光学专业，硕士；
2000.8-2003.6 中国科学院半导体研究所，材料物理与化学专业，博士。

1994.4-1995.12 长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室 研究实习员
1995.3-1995.12 俄罗斯圣.彼得堡约飞物理所，客座研究人员
1996.1-1998.12 长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室 助理研究员
1999.1-2000.7 长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室 副研究员
2003.6-2004.9 长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室 副研究员
2004.10-2006.9 香港科技大学，客座研究人员
2006.10-现在 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，研究员

通用太赫兹光谱光电测试系统，已授权，发明专利，201010124470.0
一种制备三族氮化物衬底的方法，已授权，发明专利，200710023555.8
集成压电可动微透镜增强型锥形亚波长近场光探针阵列，已授权，发明专利，200810025447.9
大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，已授权，发明专利，200810025449.8
硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备，申请，发明专利，200810025446.4
对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，申请，发明专利，200910032300.7
绝缘体上的硅材料上加工纳米图形的电子束曝光方法，申请，发明专利，200910032299.8
光波长连续可调谐的带通滤波器及其实现方法，申请，发明专利，200910183925.3
一种单频太赫兹光源，申请，发明专利，201010226984.7
高速太赫兹偏振调节器及其调控方法，申请，发明专利，201010224126.9
蓝宝石基新型倒装结构及其用途，申请，发明专利，201010165583.5
用于CVD反应器的进气装置，申请，发明专利，201010168749.9
一种垂直喷淋式MOCVD反应器，申请，发明专利，201010168746.5
一种透明电极的太阳能电池及其制法，申请，发明专利，201010255792.9
室温太赫兹波探测器，申请，发明专利，201010505505.5
光子晶体耦合型多色量子阱红外探测器，申请，发明专利，201010563167.0
一种太赫兹波探测器 申请 发明 201010297633.5
一种太赫兹探测器射频读出装置及其实现方法，申请，发明专利，201010503869.X
一种薄膜太阳能电池及其制备方法，申请，发明专利，201010511747.5
纳米减反薄膜或增透膜以及光学或光电器件的制备方法，申请，发明专利， 201110024964.6
降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用，申请，发明专利， 201110040708.6
提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用，申请，发明专利，201110064346.4
具有多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用，申请，发明专利， 201110083586.9
基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管，申请，发明专利，201110083011.7
硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法，已授权，发明专利，03123142.X
硅衬底上生长低位错氮化镓的方法，已授权，发明专利，200410006179.8 

半导体激光泵浦固体激光技术/InGaAsP/GaAs导体激光器，科技部科技进步奖三等奖，2000年
半导体激光泵浦固体激光技术/InGaAsP/GaAs导体激光器，兵器工业总公司科技进步奖一等奖，1998年
大功率连续二极管激光器阵列，兵器工业集团科技进步奖二等奖，2005年

1） 李海军，张晓东，王敏锐，林文魁，时文华，钟飞，张宝顺，Effects of the periodicity of the subwavelength hole arrays and hole shape of a thin gold film on the optical transmission characteristics，Optoelectronics Letters，03（2010）；
2） Gong RM, Wang JY, Dong ZH, Liu SH, Yu M, Wen CP,Hao YL, Shen B, Cai Y, Zhang BS, Zhang JC，Analysis on the new mechanisms of low resistance stacked Ti/Al Ohmic contact structure on AlGaN/GaN HEMTs，Journal of Physics D: Applied Physics，43, 395102（2010）；
3） Zhang BS, Wu M, Shen XM, Chen J, Zhu JJ, Liu JP, Feng G, Zhao DG, Wang YT, Yang H，Influence of high-temperature AlN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111), Journal of Crystal Growth, 258, 34 （2003）；
4） Zhang BS, Wu M, Liu JP, Chen J, Zhu JJ, Shen XM, Feng G, Zhao DG, Wang YT, Yang H, Boyd AR，Reduction of tensile stress in GaN grown on Si(111) by inserting a low-temperature AlN interlayer, Journal of Crystal Growth, 270, 316 （2004）； 
5） Zhang BS, Wang JF, Wang Y, Zhu JJ, Yang H，Optical properties of GaN grown on Si(111) substrates by MOCVD, International Journal of Modern Physics B, 19, Part 1, 2610 （2005）； 
6） 张宝顺，伍墨，陈俊，沈晓明，冯淦，刘建平，史永生，段丽宏，朱建军，杨辉，Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长, 半导体学报, 25, 410 (2004）；
7） Wu M, Zhang BS, Chen J, Liu JP, Shen XM, Zhao DG, Zhang JC, Wang JF, Li N, Jin RQ, Zhu JJ, Yang H，Effect of the N/Al ratio of AlN buffer on the crystal properties and stress state of GaN film grown on Si(111) substrate, Journal of Crystal Growth, 260, 331 (2004)；
8） Liu JP, Zhang BS, Wu M, Li DB, Zhang JC, Jin RQ, Zhu JJ, Chen J, Wang JF, Wang YT, Yang H，Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows, Journal of Crystal Growth, 260,388 (2004)；
9） Zhou SQ, Vantomme A, Zhang BS, Yang H, Wu MF，Comparison of the properties of GaN grown on complex Si-based structures, Appl. Phys. Lett. 86, 081912 (2005)；
10） Wu MF, Chen CC, Zhu DZ, Zhou SQ, Vantomme A, Langouche G, Zhang BS, Yang H，Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering’channeling, Appl. Phys. Lett. 80, 4130 (2002)；
11） Yang Z, Wang RN, Jia S, Wang D, Zhang BS, Lau KM, Chen KJ，Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique, Appl. Phys. Lett, 88, 041913 (2006)；
12） 应用于高密度近场光存储技术的亚波长纳米孔研究,《半导体光电》，已接受；
13） 应用表面等离子体近场光刻技术制作二维纳米阵列,《微纳电子技术》，已接受；
14） 基于表面等离子体激元效应的可调制滤波器,《应用光学》，已接受；
15） 亚波长结构纳米孔的近场光学测试,《光电子.激光》，已接受。

1）科技部，973，“微纳米结构中的量子调制和应用探索--低维等离子体系统的量子调制及应用研究”，2009.1-2014,1,负责，正在进行；
2）江苏省，“苏州纳米技术产业产学研联合创新服务平台-加工测试平台”，2010.4-2012.4，负责，正在进行；
3）中科院知识创新工程，中科院纳米器件平台建设”， 2009.6-2011.6，负责，正在进行；
4）苏州工业园，园区平台项目，“激光微纳加工服务平台”，2010.11-2011.12，负责，正在进行；
5）苏州市科技局,苏州市科技基础设施建设,“苏州市微纳器件加工及系统集成公共服务平台”，2010-2012，负责，正在进行；
6）中科院人才计划专项，中科院2009年度“引进杰出技术人才”，2010，负责，正在进行；
7) 苏州市科技局,苏州市科技基础设施建设，“微纳米光电技术公共服务平台”，2008.1-2009.12，负责，已完成；
8）苏州市专项科技计划，“用于T密度光存储器读写头的纳孔光探针阵列研究”,2007.7-2010.12, 负责，已完成；
9） 苏州工业攻关项目，高效高光通量LED关键技术及5W级LED芯片开发，负责，正在进行；

已指导学生

桑新文  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

林文魁  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李海军  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

于国浩  博士研究生  080901-物理电子学  

付凯  博士研究生  070205-凝聚态物理  

王玮  博士研究生  080501-材料物理与化学