080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理

宽禁带半导体材料与物理
GaN基光电子器件

   

2010-07~现在, 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 研究员
2010-04~2010-06,Mie University, Japan, 博士后研究员
2006-11~2010-03,Nagoya Insititute of Technology, Japan, 讲师（研究机构研究员）
2005-12~2006-10,Technion-Israel Institute of Technology, Israel, 博士后研究员

   

（1） Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques , JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2013, 通讯作者
（2） Low-temperature electroluminescence quenching of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（3） Study on the Electron Overflow in AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE J. Quantum Electron, 2010, 第 1 作者
（4） Demonstration on GaN-based light-emitting diodes grown on 3C-SiC/Si(111), J. Appl. Phys, 2009, 第 2 作者
（5） Effect of strain on quantum efficiency of InAlN-based sloar-blind photodiodes, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 3 作者
（6） Suppression of the subband parasitic peak by 1 nm i-AlN interlayer in AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. , 2008, 第 1 作者
（7） Influence of pulse width on electroluminescence and junction temperature of AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. , 2008, 第 1 作者
（8） Stranski–Krastanov growth of GaN quantum dots on AlN template by metalorganic chemical vapor deposition, J. Appl. Phys. , 2008, 第 1 作者

   

（ 1 ） 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家任务, 2012-01--2016-12
（ 2 ） 2英寸AlN自支撑衬底生长及应力和缺陷控制研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 3 ） 中科院“引进杰出技术人才”项目, 负责人, 中国科学院计划, 2013-01--2016-12
（ 4 ） AlN材料HVPE生长中的应力和缺陷研究, 负责人, 地方任务, 2012-07--2015-06
（ 5 ） 非极性面AlN衬底材料的HVPE制备及缺陷控制机理研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12