基本信息
朱建军  男  博导  不详
电子邮件: jjzhu@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

研究领域

主要从事金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统的研制以及用MOCVD系统生长半导体材料的研究。具体内容主要包括:(1)反应室的结构设计、模拟、仿真及虚拟制造技术;(2)系统的自动化、智能化控制技术和人机操作系统、数据记录与挖掘系统的设计与开发;(3)能提供闭环控制能力的在位监测系统的设计与制造;(4)MOCVD外延生长工艺开发、材料生长的热力学、动力学过程的理论与实验研究、模拟与仿真,同时开展材料生长的计算机实验技术研究。(5)MOCVD装备的稳定性、重复性、可靠性测试分析技术与保障系统的研究;

招生信息

   
招生专业
080901-物理电子学
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体外延生长设备,半导体材料外延生长
宽带隙半导体材料
半导体器件

教育背景

   
学历
1992年 大连理工大学应用物理系应用物理专业 学士;
1995年 北京师范大学物理系凝聚态物理专业 硕士;
1998年 中科院半导体研究所半导体材料与物理专业 博士;
学位
工学博士

工作经历

1998年8月至2011年1月,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作。
2011年1月-2014年3月,加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台。

2014年4月至今,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作