基本信息
程正喜  男  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: czx@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
CMOS图像传感器
硅雪崩二极管及单光子探测器
光微机械系统器件

教育背景

2009-09--2012-07   中国科学院上海技术物理研究所   博士
2004-09--2007-07   复旦大学   硕士
2000-09--2004-07   上海理工大学   学士

工作经历

   
工作简历
2020-01~2020-07,洛桑联邦理工学院, 访问学者
2015-03~2017-03,东京大学, 博士后
2009-09~2012-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2007-07~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员/副研究员
2004-09~2007-07,复旦大学, 硕士
2000-09~2004-07,上海理工大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种微镜结构及形成方法、微镜阵列以及探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112320751A

( 2 ) 微镜结构和形成方法、微镜阵列以及探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112327474A

( 3 ) 级联雪崩倍增光电二极管, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN211208467U

( 4 ) 一种级联雪崩倍增光电二极管, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111223956A

( 5 ) 一种混成式三维神经元探针阵列结构, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN202657949U

( 6 ) 混成式三维神经元探针阵列的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102674239A

( 7 ) 混成式三维神经元探针阵列, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102670193A

( 8 ) 一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102530843A

( 9 ) 一种以锡为牺牲层的微机械结构器件制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102060260A

( 10 ) 薄膜转移工艺中快速释放牺牲层的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101549849A

( 11 ) 快速释放边长毫米级的大面积薄膜的工艺方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101298313A

( 12 ) 利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101298314A

出版信息

   
发表论文
(1) 集成隐藏式3维梳齿电极驱动器的低吸合电压CMOS-MEMS微镜阵列, Low Pull-in Voltage CMOS-MEMS Micro-Mirror Arrays with Integrated Hidden Vertical Three-Dimension Comb Driver, 复旦学报:自然科学版, 2022, 第 1 作者
(2) Design of low noise avalanche photodiode single element detectors and linear arrays through CMOS process, ADVANCED PHOTON COUNTING TECHNIQUES XIII, 2019, 通讯作者
(3) Simulation of the multiplication zone for linear APD based on standard CMOS process, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 2 作者
(4) Design of low noise silicon reach-through avalanche photodiodes, HARDXRAYGAMMARAYANDNEUTRONDETECTORPHYSICSXX, 2018, 通讯作者
(5) 基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真, Simulation of the multiplication zone for linear APD based on standard CMOS process, 红外与毫米波学报, 2018, 第 2 作者
(6) 后处理工艺制备的CMOS-MEMS微镜阵列, IEEE/ASME Journal of Microelectromechanical Systems, 2017, 第 1 作者
(7) CMOS-MEMS Micro-Mirror Arrays by Post-Processing ASMC 0.35-mu m CMOS Chips, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, 2017, 第 1 作者
(8) A design of an ultra-fast CMOS-MEMS multilayer Infrared emitter, IEEJ Trans. SM, 2017, 第 1 作者
(9) A design of integrated CMOS-MEMS infrared emitter arrays, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 第 1 作者
(10) Design of CMOS-MEMS broadband infrared emitter arrays integrated with metamaterial absorbers based on CMOS back-end-of-line, MICRO & NANO LETTERS, 2016, 第 1 作者
(11) 在电阻阵列像素单元中使用过驱动技术的电路设计, Circuit Design for Overdrive Technology Used in Pixel Units of a Resistor Array, 红外, 2015, 第 2 作者
(12) 混成式三维神经元微探针阵列的制备, Fabrication of Hybrid Three-Dimension Neural Probe Arrays, 传感技术学报, 2013, 第 1 作者
(13) Fabrication of Hybrid Three Dimension Neural Probe Arrays, CHINESE JOURNAL OF SENSORS AND ACTUATORS, 2013, 第 1 作者
(14) 128×128 resistor array with suspended micro-bridge fabricated through film transfer process, Infrared and Laser engineering, 2012, 第 1 作者
(15) 薄膜转移工艺制备的128×128规模高架桥式电阻阵, 128×128 resistor array with suspended micro-bridge fabricated through film transfer process, 红外与激光工程, 2012, 第 1 作者
(16) 黑硅薄膜的电学输运特性, Electrical transport properties of black silicon thin film, 红外与激光工程, 2012, 第 1 作者
(17) 国产电阻阵列技术的发展趋势, Development of domestic resistive arrays technology, 红外与激光工程, 2011, 第 2 作者
(18) 基于热电堆结构的微型热传导真空传感器, Thermopile-Structured Micro Thermal Conductivity Vacuum Sensor, 真空科学与技术学报, 2009, 第 4 作者
(19) 硅基热电堆真空传感器的制造技术, Fabrication Technology of A Silicon-based Thermopile Vacuum Sensor, 微细加工技术, 2008, 第 4 作者
(20) 硅基热电堆真空传感器的耦合场分析, Coupled-Field Analysis of a Silicon-Thermopile-Based Vacuum Sensor, 纳米技术与精密工程, 2008, 第 4 作者
(21) SF6/O2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究, Study on Mechanism of Al-enhanced Etching of Silicon by Reactive Ions in SF6/O2 Environment, 微细加工技术, 2007, 第 1 作者
(22) MEMS神经元微探针研究, Studies on MEMS Neural Micro Probe, 传感技术学报, 2006, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于CMOS工艺的硅线性雪崩二极管, 负责人, 研究所自主部署, 2017-04--2019-04
( 2 ) 低吸合电压CMOS-MEMS微镜阵列芯片, 负责人, 其他国际合作项目, 2018-07--2020-06
( 3 ) 与CMOS工艺和电压兼容的CMOS-MEMS数字微镜阵列, 负责人, 国家任务, 2019-01--2022-12
( 4 ) FY4(03)先进的辐射成像仪CMOS硅探测器, 负责人, 国家任务, 2022-04--2025-12
( 5 ) FY3(10)中分辨微光探测器, 负责人, 国家任务, 2022-12--2027-12