基本信息
李璟  女  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: lijing2006@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所5号楼421
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
MIni/Micro-LED新型显示技术及应用
第三代半导体器件制备与应用研究

教育背景

2004-09--2007-06   中科院半导体所光电子工程中心   博士
1995-09--1998-06   南开大学光电子所   硕士
1991-09--1995-06   内蒙古大学电子系   本科

工作经历

   
工作简历
2007-06~现在, 中科院半导体所照明中心, 副总工程师
2004-09~2007-06,中科院半导体所光电子工程中心, 博士
2003-09~2004-09,中科院半导体所光电子工程中心(海特公司), 工艺主管
1998-07~2003-06,清华大学OLED课题组, 工艺部经理
1995-09~1998-06,南开大学光电子所, 硕士
1991-09~1995-06,内蒙古大学电子系, 本科

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 北京市科学技术一等奖, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 匀光照明模组及其应用, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN110260268B

( 2 ) GaN-based VCSEL Chip Based on Porous DBR and Manufacturing Method of the Same, 2020, 专利号: US20200185882(A1)

( 3 ) 倒装LED红光器件结构及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111048496A

( 4 ) 倒装OLED器件及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN109216588B

( 5 ) LED与OLED串联的白光发光芯片及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110875358A

( 6 ) InGaN-based Resonant Cavity Enhanced Detector Chip Based on Porous DBR, 2020, 专利号: US20200035843(A1)

( 7 ) 光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN108133992B

( 8 ) LED芯片集成封装模块和封装方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN105575956B

( 9 ) 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN104465485B

( 10 ) 提高散热性能的高功率LED光源模组, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206003823U

( 11 ) 一种可实现自然光谱的LED光源, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN205385020U

( 12 ) 一种光色可调的LED叠层光源模块, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105546366A

( 13 ) 基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104315462A

( 14 ) LED光源模组, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104896330A

( 15 ) 红光LED倒装芯片的制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104638097A

( 16 ) LED共晶焊方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104599990A

( 17 ) LED芯片的封装方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104576900A

( 18 ) 高光功率密度LED光源模块, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104534421A

( 19 ) 一种LED全彩显示阵列及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104465692A

( 20 ) 一种半导体激光器引脚式封装结构及方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104377542A

( 21 ) 一种LED显示模组系统, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104332134A

( 22 ) 显示通信两用的可见光模块, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104333418A

( 23 ) 基于全彩发光二极管阵列的投影显示系统, 2014, 第 9 作者, 专利号: CN104181760A

( 24 ) 一种垂直结构发光二级管显示阵列, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104183586A

( 25 ) 一种用于发光二极管阵列的封装支架, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104183572A

( 26 ) 一种LED阵列光源结构, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104183584A

( 27 ) 一种自支撑LED阵列光源结构, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104167485A

( 28 ) 一种LED阵列结构, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104167411A

( 29 ) LED光源阵列投影测试装置, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203798537U

( 30 ) LED模组的散热结构及散热方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103956358A

( 31 ) 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103943677A

( 32 ) 一种多芯片LED封装体的制作方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103824926A

( 33 ) LED光源阵列投影测试装置, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103808496A

( 34 ) 行星式旋转托盘装置, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103806095A

( 35 ) 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103762222A

( 36 ) 一种LED散热结构, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103644549A

( 37 ) 植物补光发光二极管的制作方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103579422A

( 38 ) 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103579423A

( 39 ) 晶圆级微透镜压印成型方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103579467A

( 40 ) 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103579478A

( 41 ) 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103579461A

( 42 ) 一种光斑可调的室内投影式照明系统, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103486474A

( 43 ) 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103413886A

( 44 ) 一种投影式照明系统, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103470992A

( 45 ) 一种发光二极管阵列的制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103474557A

( 46 ) 全彩发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103441101A

( 47 ) 一种交流发光二极管, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103367386A

( 48 ) 一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN203193983U

( 49 ) 高功率因数的LED驱动电路, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103281840A

( 50 ) AC-LED驱动电路, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103281841A

( 51 ) 任意切割式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103236474A

( 52 ) 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103227250A

( 53 ) 提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165780A

( 54 ) 低损伤GaN基LED芯片的制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103117338A

( 55 ) 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103107250A

( 56 ) 激光钻孔切割异形发光二极管的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103022280A

( 57 ) 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103000775A

( 58 ) 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102969413A

( 59 ) 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102969418A

( 60 ) 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102969411A

( 61 ) 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102903805A

( 62 ) 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102903815A

( 63 ) 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102886609A

( 64 ) 阵列式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102867837A

( 65 ) 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102534769A

( 66 ) 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102832225A

( 67 ) 纳米柱发光二极管的制作方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102709410A

( 68 ) 用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102694088A

( 69 ) 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102691102A

( 70 ) 具有空气桥结构发光二极管的制作方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102683522A

( 71 ) 晶圆级LED管芯整体集成封装装置, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102637789A

( 72 ) 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637787A

( 73 ) LED封装结构及封装成型方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102637810A

( 74 ) 侧面粗化的发光二极管及其制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102593301A

( 75 ) 氮化物LED外延结构的生长方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102569567A

( 76 ) 氮化镓基LED芯片立式封装的方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102569566A

( 77 ) 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102544271A

( 78 ) 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102544270A

( 79 ) 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102544289A

( 80 ) 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102157640A

( 81 ) 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102244159A

( 82 ) 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102214740A

( 83 ) 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102214739A

出版信息

   
发表论文
(1) 蓝光LED与红光LED相堆叠的发光器件, Stackable luminescent device integrating blue light emitting diode with red organic light emitting diode, Chinese Physics B, 2020, 第 2 作者
(2) 在UVA LED中采用应变P-AlInGaN插入层实现P-GaN欧姆接触, The realization of p-GaN ohmic contact by using strained p-AlInGaN interlayer and its application in UVA LEDs, Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 第 2 作者
(3) 采用电化学腐蚀法制备AlGaN DBR反射镜增强365nm UVLED性能, Performance-enhanced 365nm UV LEDs with electrochemically etched nanoporous AlGaN distributed Bragg reflectors, Nanomaterials, 2019, 第 2 作者
(4) 驱动电流和环境温度对于RGB LED显示器件波长和亮度的影响, Influence of drive current and ambient temperature on intensity and wavelength of RGB LEDs for displays, Modern Physics Letters B, 2018, 第 2 作者
(5) 驱动电流和环境温度对于显示用RGB LEDs波长和光强的影响, Influence of drive current and ambient temperature on intensity and wavelength of RGB LEDs for displays, Modern Physics Letters B, 2018, 第 2 作者
(6) 通过侧壁腐蚀工艺和空气桥互连工艺提高GaN基高压LED阵列光输出功率的研究, Enhancement of Light Output Power of GaN-Based Monolithic Light-Emitting Diodes array by curved GaN sidewall and air-bridge metal interconnect, E-MRS 2013 SPRING MEETING, 2013, 第 2 作者
(7) GaN基高压LED阵列的制备研究, The fabrication of GaN-based high-voltage light-emitting diodes array, 9th China International Forum on Solid State Lighting , 2013, 第 3 作者
(8) 采用CsCl纳米球粗化ITO表面提高GaN基LED光提取效率的研究, Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured Indium Tin Oxide layer using self-assembled Cesium Chloride nanospheres, Japanese Journal of Applied Physics , 2012, 第 2 作者
(9) 电极分离的980nm锥形激光器的研制, High-Brightness Tapered Diode Lasers Emitting at 980nm with Electrically Separated Ridge Waveguide and Tapered Section, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 1 作者
(10) 高功率980nm锥形激光器的研究, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980-nm, Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 第 1 作者
(11) 高功率14xxnm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xxnm, Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) “863"《阵列式高压交/直流(AC/HV)LED芯片产业化技术研究》, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 2 ) 《蓝光LED外延片关键技术开发及产业化》, 负责人, 中国科学院计划, 2011-04--2013-12
( 3 ) 高清LED显示技术及应用产品推广, 负责人, 中国科学院计划, 2014-01--2017-01
( 4 ) 小间距显示用LED垂直结构绿光蓝光及倒装红光蓝光绿光小芯片制备技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
( 5 ) Mini LED新型显示材料制备与应用技术研究, 负责人, 地方任务, 2019-06--2021-12
( 6 ) Mini/MicroLED显示应用关键技术开发及产业化, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12
( 7 ) 100lm/W功率型白光LED研究和产业化, 负责人, 国家任务, 2009-01--2010-12