基本信息
蔡道林  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: caidl@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码:

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
微电子技术

教育背景

   
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
   
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610140946.7
( 2 ) 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963
( 3 ) 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X
( 4 ) 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9
( 5 ) 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3
( 6 ) 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A
( 7 ) 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198

出版信息

   
发表论文
(1) The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者
(2) Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices Memory, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者
(3) Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 2 作者
(4) Endurance characteristics of phase change memory cells, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
   
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生