080501-材料物理与化学

半导体低维结构材料物理

1998-09--2001-06   中国科学院研究生院   工学博士
1995-09--1998-06   中国科技大学国家同步辐射实验室   工学硕士
1991-09--1995-06   中国科学技术大学物理系   理学学士

   

2003-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2001-07~2003-10,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1998-09~2001-06,中国科学院研究生院, 工学博士
1995-09~1998-06,中国科技大学国家同步辐射实验室, 工学硕士
1991-09~1995-06,中国科学技术大学物理系, 理学学士

半导体光学

   

（1） 单模带间级联激光器（特邀）, 光子学报, 2023, 第 3 作者
（2） Strain compensated type II superlattices grown by molecular beam epitaxy, Chin. Phys. B, 2023, 第 5 作者
（3） Quantitative investigation of intrinsic shear strain and asymmetric interface conditions in semiconductor superlattices, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 3 作者
（4） Long Wavelength Infrared Quantum Cascade Detector, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（5） InAs-based interband cascade lasers at 4.0um operating at room temperature, Journal of semiconductors, 2018, 第 1 作者
（6） Defect Formation and Elimination During the Growth of GaSb Epilayer, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（7） InAs-based interband cascade lasers at 4.0μm operating at room temperature, InAs-based interband cascade lasers at 4.0 μm operating at room temperature, 半导体学报(英文版), 2018, 第 9 作者
（8） Influence of Quantum Dots on Response of Quantum Cascade Detector, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
（9） 四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜, Four-step Method for Growing High-quality GaAs Films on Si Substrate by Molecular Beam Epitaxy, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 第 3 作者
（10） Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
（11） Cavity-mode calculation of L3 photonic crystal slab using the effective index perturbation method, OPTICAL REVIEW, 2013, 第 3 作者
（12） Metalorganic chemical vapor deposition growth of inas/gasb type ii superlattices with controllable asxsb1-xinterfaces, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 第 7 作者
（13） 有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质, 物理学报, 2012, 第 2 作者
（14） Formation of AsxSb1-x mixing interfaces in InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition, EPL, 2012, 第 7 作者
（15） Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 
（16） Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of InAs/GaSb Superlattices on GaAs Substrates and Doping Studies of P-GaSb and N-InAs, Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of InAs/GaSb Superlattices on GaAs Substrates and Doping Studies of P-GaSb and N-InAs, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
（17） Formation Mechanism and Characterization of Black Silicon Surface by a Single-Step Wet-Chemical Process, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2012, 第 3 作者
（18） Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 2 作者
（19） Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned gaas (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 第 5 作者
（20） Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, 2011, 
（21） Observation of strong anisotropic forbidden transitions in (001) ingaas/gaas single-quantum well by reflectance-difference spectroscopy and its behavior under uniaxial strain, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 第 5 作者
（22） Optical bistability in a two-section InAs quantum-dot laser, Optical bistability in a two-section InAs quantum-dot laser, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
（23） A Photovoltaic InAs Quantum-Dot Infrared Photodetector, A Photovoltaic InAs Quantum-Dot Infrared Photodetector, 中国物理快报：英文版, 2010, 第 8 作者
（24） 二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析, Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities, 物理学报, 2010, 第 2 作者
（25） 单片集成锁模量子点激光器, Monolithic Mode-Locked Quantum-Dot Lasers, 微纳电子技术, 2010, 第 2 作者
（26） Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals, Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
（27） Fabrication of high quality two-dimensional photonic crystal mask layer patterns, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2009, 第 3 作者
（28） Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2007, 第 5 作者
（29） 离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质, Magnetic and Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots Doped by High Energy Mn Implantation, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
（30） Mn离子注入InAs／GaAs量子点结构材料的光电性质研究, Electrical and optical properties of InAs/GaAs quantum dots doped by high energy Mn implantation, 物理学报, 2007, 第 3 作者
（31） Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2006, 第 5 作者
（32） GaAs基上的InAs量子环制备, 固体电子学研究与进展, 2006, 第 2 作者
（33） 纳米半导体技术, 2006, 第 3 作者
（34） InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性, Lasing Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers with Multistacked Dot Layer, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
（35） 应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究, Optical Characteristics of Strained Self-Organized InAs/GaAs Quantum Dot Materials and Laser Diodes, 半导体学报, 2003, 第 4 作者
（36） （Ga，Mn，As）／GaAs的发光谱, 半导体学报, 2002, 第 3 作者
（37） 量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 2 作者
（38） 选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料, 半导体学报, 2001, 第 5 作者
（39） InGaAs／InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究, 北京师范大学学报：自然科学版, 2001, 第 6 作者
（40） III-V族半导体低维结构材料的平面光学各向异性, 2001, 第 1 作者
（41） 1.08μm InAs／GaAs量子点激光器光学特性研究, 功能材料与器件学报, 2000, 第 8 作者

   

（ 1 ） 量子级联探测材料的光电转换机理、制备及性能, 参与, 国家任务, 2013-01--2017-12