080501-材料物理与化学

低维材料生长，红外探测器

2009-09--2012-07   中国科学院研究生院   博士
2005-09--2007-07   北京理工大学   硕士
2001-09--2005-07   鲁东大学   学士

   

2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2010-01~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2009-09~2012-07,中国科学院研究生院, 博士
2007-07~2009-12,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
2005-09~2007-07,北京理工大学, 硕士
2001-09~2005-07,鲁东大学, 学士

半导体光电材料与器件

   

（ 1 ） 自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN111477717B

（ 2 ） 二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110311000A

（ 3 ） 一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106711289A

（ 4 ） 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103954819A

（ 5 ） 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103233271A

（ 6 ） 一种II型III-V族量子点材料的生长方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103225109A

（ 7 ） 一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219291A

（ 8 ） InAs/GaSb二类超晶格红外探测器, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102569484A

（ 9 ） 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102569521A

（ 10 ） 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544229A

（ 11 ） Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102534764A

（ 12 ） 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101866933A

（ 13 ） 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101866932A

（ 14 ） 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101847672A

   

（1） Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Avalanche Photodiode With AlAsSb Multiplication Layer, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 3 作者
（2） Multiphoton absorption in type-II InAs/GaSb superlattice structure, OPTICS LETTERS, 2020, 第 5 作者
（3） Long Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using Resonant Tunneling Diode Structure, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 4 作者
（4） High-performance mid-wavelength InAs avalanche photodiode using AlAs0.13Sb0.87as the multiplication layer, High-performance mid-wavelength InAs avalanche photodiode using AlAs0.13Sb0.87 as the multiplication layer, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 7 作者
（5） 锑化物二类超晶格红外探测器, Antimonide Type Ⅱ Superlattice Infrared Photodetectors, 航空兵器, 2019, 第 2 作者
（6） Monte Carlo simulation of avalanche noise characteristics of type II InAs/GaSb superlattice avalanche photodiodes, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2019, 第 3 作者
（7） Short/Mid-Wave Two-Band Type-II Superlattice Infrared Heterojunction Phototransistor, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 3 作者
（8） InAs/GaSb superlattice resonant tunneling diode photodetector with InAs/AlSb double barrier structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 5 作者
（9） Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%, IEEE Electron Device Letters, 2017, 
（10） Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 第 3 作者
（11） Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2017, 第 4 作者
（12） Pushing Detection Wavelength Toward 1 mu m by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 第 1 作者
（13） Pushing Detection Wavelength Toward 1 μm by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers, IEEE Electron Device Letters, 2016, 第 1 作者
（14） 兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构研究年度报告, Annual Report of the Exploration of Novel Material System and Special Superlattice Structures in the Compatible Integration, 科技创新导报, 2016, 第 2 作者
（15） Mid-wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared focal plane arrays, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2016, 第 4 作者
（16） Pushing detection wavelength toward 1um by type II InAs/GaAsSb superlattices with inserting AlSb layers, IEEE Electron Device Letters, 2016, 
（17） 含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器, Three-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector with AlGaAs inserting layer, ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 第 4 作者
（18） Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
（19） Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate, Applied Physics Letters, 2015, 第 4 作者
（20） Narrow-band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um, Ieee photonics technology letters, 2015, 第 3 作者
（21） Longer than 1.9 mu m photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 4 作者
（22） Narrow-Band Type II Superlattice Photodetector With Detection Wavelength Shorter Than 2 mu m, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 3 作者
（23） Experimental determination of band overlap in type II InAs/GaSb superlattice based on temperature dependent photoluminescence signal, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2015, 第 3 作者
（24） Observation of linear and quadratic magnetic field-dependence of magneto-photocurrents in InAs/GaSb superlattice, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 9 作者
（25） Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2014, 第 3 作者
（26） Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
（27） 长波和甚长波及其双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究进展, 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2014, 第 1 作者
（28） Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 4 作者
（29） Observation of linear and quadratic magnetic field-dependence of magneto-photocurrents in InAs, Nanoscale Research Letters, 2014, 第 9 作者
（30） 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者
（31） 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantμm Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier, IEEE electron device letters, 2013, 第 1 作者
（32） Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 第 4 作者
（33） InAs/GaSb II类超晶格长波及窄带双色红外探测器研究, 2012, 第 1 作者
（34） Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 5 作者
（35） How to Use Type II InAs/GaSb Superlattice Structure to Reach Detection Wavelength of 2-3 mu m, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2012, 第 4 作者
（36） High structural quality of type II InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection by interface control, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2012, 第 3 作者
（37） Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 1 作者
（38） Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity, Zhang, yanhua1 ; ma, wenquan1 ; wei, yang1 ; cao, yulian1 ; huang, jianliang1 ; cui, kai1 ; guo, xiaolu1, 2012, 第 1 作者
（39） 两端叠层结构的中长波量子阱红外探测器, Dual-band quantum well infrared photodetectors with two ohmic contacts, 物理学报, 2011, 第 3 作者
（40） Dual-band quantum well infrared photodetectors with two ohmic contacts, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 3 作者
（41） Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with algaas insertion layers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
（42） Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者
（43） Long wavelength infrared inas/gasb superlattice photodetectors with insb-like and mixed interfaces, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2011, 第 1 作者
（44） Two-color in0.4ga0.6as/al0.1ga0.9as quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
（45） 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器, 物理学报, 2010, 第 1 作者
（46） 10—14μm同时响应的双色量子阱红外探测器, Two-color quantum well infrared photodetector simultaneously working at 10—14 μm, 物理学报, 2010, 第 3 作者
（47） Quantμm well infrared photodetector simultaneously working in two atmospheric windows, Appl Phys A, 2010, 第 1 作者

   

（ 1 ） 甚长波InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格探测器材料及其新型界面研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 2 ） InAs /GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究, 参与, 国家任务, 2013-01--2017-12
（ 3 ） 量子点红外探测器材料及器件物理研究, 参与, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 4 ） 反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 5 ） 反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料生长研究, 负责人, 地方任务, 2018-01--2019-12

（1）InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器的研究 ：向更长波长挑战   第九届全国分子束外延学术会议   2015-08-26
（2）长波与甚长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器   第二十届全国半导体物理学术会议   2015-07-17
（3）长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器   第十届全国分子束外延学术   2013-08-21
（4）长波与窄带双色InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器   第十七届全国化合物半导体材料微波器件和发光器件学术会议   2012-11-08
（5）InAs/GaSb Ⅱ类超晶格窄带长波与长波/甚长波双色红外探测器的研究   第十三届全国固体薄膜会议   2012-08-10
（6）InAs／GaSb II类超晶格红外探测器的研究   第九届全国分子束外延学术研讨会   2011-07-06