基本信息
韩拯 男 博导 中国科学院金属研究所
email: hanzheng@imr.ac.cn
address: 沈阳市沈河区文化路72号
postalCode: 110016
email: hanzheng@imr.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学080501-材料物理与化学070205-凝聚态物理
招生方向
微纳器件,量子输运,低温物理
教育背景
2010-10--2013-09 法国奈尔研究所 纳米电子学博士2007-09--2010-09 中科院金属研究所 磁性纳米材料硕士2003-09--2007-06 吉林大学 物理学学士
工作经历
工作简历
2015-09~现在, 金属研究所, 研究员2014-03~2015-08,哥伦比亚大学, 博士后2010-10~2013-09,法国奈尔研究所, 纳米电子学博士2007-09~2010-09,中科院金属研究所, 磁性纳米材料硕士2003-09~2007-06,吉林大学, 物理学学士
社会兼职
2017-10-17-今,中国材料研究学会青年工作委员会, 理事
专利与奖励
奖励信息
(1) 中科院沈阳分院第5届优秀青年科技人才奖, 一等奖, 院级, 2016(2) 法国C’nano 优秀博士论文,基础研究类, 一等奖, 国家级, 2014
专利成果
( 1 ) Process and device for forming a graphene layer, 2016, 第 3 作者, 专利号: 9458020
出版信息
发表论文
(1) Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor, Nature Communications, 2017, 通讯作者(2) Tunable transmission of quantum Hall edge channels with full degeneracy lifting in split-gated graphene devices, Nature Communications, 2017, 第 6 作者(3) Electron optics with pn junctions in ballistic graphene, Science, 2016, 第 2 作者(4) Collapse of superconductivity in a hybrid tin-graphene Josephson junction array, Nature Physics, 2014, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 低维材料微纳器件的超低温电输运及其原位Raman与Kerr光谱联合测量系统研制, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12( 2 ) 基于超晶格能隙的门电压定义的石墨烯量子点接触, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12( 3 ) 低维材料复合纳米器件的低温电磁输运研究, 负责人, 国家任务, 2015-09--2018-08