基本信息
艾玉杰  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: aiyujie@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
射频MEMS器件

教育背景

2007-09--2011-06   北京大学   博士
2004-09--2007-07   山东师范大学   硕士
2000-09--2004-07   山东师范大学   学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2016-03~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2013-12~2016-02,韩国三星电机, 高级工程师
2011-07~2013-11,韩国三星电子, 工程师
2007-09~2011-06,北京大学, 博士
2004-09~2007-07,山东师范大学, 硕士
2000-09~2004-07,山东师范大学, 学士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) 一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010506129.1
( 2 ) 一种半导体纳米圆环的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201010506128.7
( 3 ) 一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201010100144.6
( 4 ) 一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201010128839.5
( 5 ) 一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201010100174.7
( 6 ) Acoustic filter with suppressed nonlinear characteristics, 2015, 第 1 作者, 专利号: US 9455685 B2
( 7 ) Nano resonator and manufacturing method thereof, 2014, 第 1 作者, 专利号: US 8901538 B2
( 8 ) Method for fabricating semiconductor nano circular ring, 2014, 第 2 作者, 专利号: US 8722312 B2
( 9 ) Method for fabricating a tunneling field-effect transistor, 2012, 第 2 作者, 专利号: US 8288238 B2
( 10 ) Field effect transistor with a vertical channel and fabrication method thereof, 2014, 第 2 作者, 专利号: US 8901644 B2

出版信息

   
发表论文
(1) 器件结构对单端口氮化铝/蓝宝石衬底上声表面波谐振器性能的影响, Impact of device parameters on performance of one-port type SAW resonators on AlN/sapphire, Journal of Micromechanics and Microengineering, 2018, 第 11 作者
(2) Top-down fabrication of vertical silicon nano-rings based on Poisson diffraction, Nanotechnology, 2011, 第 1 作者
(3) Top-down fabrication of shape controllable Si nanowires based on conventional CMOS process, Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures, 2010, 第 1 作者
(4) Investigations on the impact of the parasitic bottom transistor in gate-all-around silicon nanowire SONOS memory cells fabricated on bulk Si substrate, ECS transactions., 2009, 第 1 作者
(5) Synthesis of GaN nanowires through Ga2O3 films' reaction with ammonia, Materials letters, 2007, 第 1 作者
(6) Fabrication of needle-shaped GaN nanowires by ammoniating Ga2O3 films on MgO layers deposited on Si (111) substrates, Materials letters, 2007, 第 1 作者
(7) Fabrication of GaN nanorods in large scale on Si(111) substrate by ammoniating technique, Chinese Physics Letters., 2006, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 百人计划启动经费, 主持, 部委级, 2016-03--2017-12
( 2 ) 单晶氮化物薄膜超高频体声波谐振器研究, 主持, 国家级, 2017-01--2019-12
( 3 ) 面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生