080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
080904-电磁场与微波技术

射频、微波器件与电路集成技术
高可靠性器件与集成技术
纳米电子器件

2003-09--2006-02   Simon Fraser University   博士后
2000-09--2003-07   中科院微电子所   博士学位

中国科学院微电子研究所 -- 研究生

中国科学院微电子研究所 -- 博士

   

2009-09~现在, 中科院微电子所, 研究员
2006-02~现在, 瑞士联邦理工学院, 副研究员

   

（ 1 ） 高迁移率III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010118896.5
（ 2 ） 一种高迁移率CMOS集成单元, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010578514.7
（ 3 ） 一种高迁移率衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201010578522.1
（ 4 ） 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110124329.5
（ 5 ） 一种硅基III-V族半导体材料的集成方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910312160.9
（ 6 ） 一种III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110138043.2
（ 7 ） InP基MOSHEMT结构及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106711211
（ 8 ） 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106298947

   

[1] 刘洪刚. TCAD simulation of BN/graphene/BN heterostructure field effect transistor. Advanced Metallization Conference. 2018, 
[2] Zhang, Guobin, Zhao, Miao, Yan, Chunli, Sun, Bing, Wu, Zonggang, Chang, Hudong, Jin, Zhi, Sun, Jie, Liu, Honggang. Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Graphene. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 18(11): 7578-7583, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600045.

[3] Wang, ShengKai, Ma, Lei, Chang, HuDong, Sun, Bing, Su, YuYu, Zhong, Le, Li, HaiOu, Jin, Zhi, Liu, XinYu, Liu, HongGang. Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2017, 34(5): 101-105, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=672553044.

[4] Wang, ShengKai, Sun, Bing, Cao, MingMin, Chang, HuDong, Su, YuYu, Li, HaiOu, Liu, HongGang. Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2017, 121(18): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000401364700009.

[5] 王盛凯, 黄凯亮, 夏庆贞, 常虎东, 孙兵. High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications. CS-Mantech International Conferencenull. 2017, http://159.226.55.106/handle/172511/18241.

[6] Wang, Sheng Kai, Liu, HongGang, Toriumi, Akira. Kinetic study of GeO disproportionation into a GeO2/Ge system using x-ray photoelectron spectroscopy. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2012, 101(6): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000307862400019.

[7] Liu, H G, Chang, H D, Sun, B. Extrinsic Base Surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2011, 58(2): 576-578, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000286515400043.

[8] Liu HongGang, Jin Zhi, Su YongBo, Wang XianTai, Chang HuDong, Zhou Lei, Liu XinYu, Wu DeXin. Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 27(5): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33659481.

[9] Liu, H G, Ostinelli, O, Zeng, Y P, Bolognesi, C R. Emitter-size effects and ultimate scalability of InP : GaInP/GaAsSb/InP DHBTs. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2008, 29(6): 546-548, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000256189000004.

[10] Liu, H G, Ostinelli, O, Zeng, Y P, Bolognesi, C R. High-current-gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with f(T)=436 GHz. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2007, 28(10): 852-855, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000249942100002.

[11] Liu, HG, Tao, N, Watkins, SP, Bolognesi, CR. Extraction of the average collector velocity in high-speed "type-II" InP-GaAsSb-InP DHBTs. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2004, 25(12): 769-771, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000225423000004.

（1） Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces, Springer Publisher, New York, USA, 2017-02, 第 2 作者

   

（ 1 ） 高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12
（ 2 ） 半导体二维原子材料的器件构建、集成与性能研究, 主持, 国家级, 2017-01--2021-12
（ 3 ） 毫米波雷达关键芯片与演示系统, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12

（1）Growth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam EpitaxyGrowth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam Epitaxy   S. K. Wang, HG Liu   2012-09-25
（2）A Multi-band THz Regime Metameterial Design Using a Paired Metallic Circular-strip Structure   Xudong Cui, Honggang Liu   2010-05-09
（3）600 GHz InP-GaAsSb DHBTs grown by MOCVD with a GaAsSb graded-base and fTXBVCEO higher than 2.5 THz-V at room temperature   HG Liu   2007-12-21
（4）The InP/GaAsSb type II heterostructure system and its application to high-speed DHBTs and photodetectors: physics, surprises, and opportunities   HG Liu   2005-12-22

已指导学生

卢力  硕士研究生  430110-集成电路工程  

常虎东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王虹  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

薛百清  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

刘桂明  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

许维  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

夏庆贞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄凯亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄嘉伟  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘建华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李东泽  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李金玮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

先进半导体器件；射频毫米波电路；