080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程

适用于可见光通信的新型氮化物光电器件
半导体光电器件的失效机理及可靠性研究
基于新型微纳结构的半导体光电器件

2001-10--英国诺丁汉大学物理天文学院   博士

   

2011-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2007-05~现在, 英国FORGE EUROPA公司, 产品研发兼中国代表
2005-08~现在, 英国剑桥大学材料冶金学院, Research Fellow

2013-07-01-今,全国微束分析标准化技术委员会委员, 委员
2013-06-01-今,国家半导体照明标准专家组成员, 成员
2013-03-01-今,北京照明学会第八届计量测试专业委员会, 副主任

III族新型氮化物光电材料器件
材料分析方法
新型III族半导体光电材料器件

   

（ 1 ） 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: 10093564.5
（ 2 ） 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: 10093603.1
（ 3 ） 对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 10435006.8
（ 4 ） 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: 10101763.1
（ 5 ） 垂直阵列纳米柱LED的制备方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 10193969.0
（ 6 ） 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 10193970.3
（ 7 ） 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 10193912.0
（ 8 ） 测试可见光通信系统中光源性能的装置, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: 10579519.0
（ 9 ） 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: 10093601.2
（ 10 ） 纳米氮化镓发光二极管的制作方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: 10093368.8
（ 11 ） 一种测量LED内量子效率的方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 10616446.2
（ 12 ） 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 10529305.7
（ 13 ） 半导体发光器件及模组在线多功能测试系统及方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 10296013.3
（ 14 ） 用于测试器件光电性能的夹具及夹具组件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: 10432147.3
（ 15 ） 用于测试LED阵列光源性能的夹具及夹具组件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: 10432177.4
（ 16 ） 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 10459347.8
（ 17 ） MULTI-FUNCTIONAL ONLINE TESTING SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES OR MODULES AND METHOD THEREOF, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 14056389
（ 18 ） 半导体发光器件及模组多应力加速老化在线原位综合测试系统及方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 10296013.3
（ 19 ） LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: 10010264.5
（ 20 ） LED准朗伯面光源, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: 10049737.2
（ 21 ） 一种测量LED内量子效率的方法, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: 10079018.5
（ 22 ） 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: 10276182.5
（ 23 ） 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: 10658716.0
（ 24 ） 可见光通信用白光LED及制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 11006149.1
（ 25 ） 可见光通信用倒装RCLED及其制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 11005814.5
（ 26 ） 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 10220057.6
（ 27 ） 基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 10220056.1
（ 28 ） GaN基多孔DBR的制备方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 10222145.X
（ 29 ） 多孔III族氮化物及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811182263.3
（ 30 ） 金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810722928.9
（ 31 ） 提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201710252392.4
（ 32 ） 调制带宽可调的可见光通信LED光源, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201710252486.1

   

（1） High responsivity and wavelength selectivity of GaN-Based resonant cavity photodiodes, Adv. Optical Mater., 2020-02, 通讯作者
（2） Ultra-high sensitivity graphene/nanoporous GaN ultraviolet photodetectors, ACS Applied Materials and Interfaces, 2020-02, 通讯作者
（3） Ultra-high and fast ultraviolet response photodetectors based on lateral porous GaN/Ag nanowires composite nanostructure, Adv. Optical Mater., 2020-02, 通讯作者
（4） Optical and frequency degradation behavior of GaN-based micro-LEDs for visible light communication, Optics Express, 2020-01, 通讯作者
（5） A discussion on mass resolution in secondary ion mass spectrometry, Surface and Interface Analysis, 2019-11, 通讯作者
（6） Failure Mechanism of Phosphors in GaN-Based White LEDs, Physica Status Solidi (a), 2019, 通讯作者
（7） Degradation and failure mechanism of AlGaN-based UVC-LEDs, Solid-State Electronics, 2019, 通讯作者
（8） Color Converted White Light-Emitting Diodes With 637.6 MHz Modulation Bandwidth, IEEE Electron Device Letters, 2019, 通讯作者
（9） Degradation behavior of deep UV-LEDs studied by electro-optical methods and transmission electron microscopy, Current Applied Physics, 2018, 通讯作者
（10） Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching, Journal of Nanophotonics, 2018, 第 10 作者
（11） GaN nanocolumns fabricated by self-assembly Ni mask and its enhanced photocatalytic performance in water splitting, Applied Surface Science, 2018, 通讯作者
（12） Modulation and optoelectronic properties of GaN-baased light emitting diodes on GaN template, Applied Physics Express, 2018, 通讯作者
（13） Composite degradation model and corresponding failure mechanism for mid-power GaN-based white LEDs, AIP Advances, 2018, 通讯作者
（14） Light Modulation and Water Splitting Enhancement Using Composite Porous GaN Structure, ACS Applied Materials and Interfaces, 2018, 通讯作者
（15） Influence of the carrier distribution on the frequency behavior for GaN-based LEDs, Chinese Journal of Luminescence, 2017, 第 5 作者
（16） GaN with Laterally Aligned Nanopores To Enhance the Water Splitting, J. Phys. Chem. C, 2017, 通讯作者
（17） High-detectivity Ultraviolet Photodetectors based on Laterally Mesoporous GaN, Nanoscale, 2017, 通讯作者
（18） Enhancing the spontaneous emission rate by modulating carrier distribution in, Opt. Express, 2017, 通讯作者
（19） Studies of the light output properties for a GaN based blue LED using an electro-optical simulation method, Microelectronics Reliability, 2017, 第 6 作者
（20） Influence of quantum confined Stark effect and carrier localization effect on modulation bandwidth for GaN-based LEDs, Appl. Phys. Lett., 2017, 通讯作者
（21） GaN-based flip-chip parallel micro LED array for visible light communication, Proc. SPIE, 2017, 通讯作者
（22） Growth and optical properties of Gallium nitride film on glass substrate, Phys. Status Solidi C, 2016, 通讯作者
（23） Degradation and corresponding failure mechanism for GaN-based LEDs, AIP Advances, 2016, 通讯作者
（24） GaN-based LED for light communication, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2016, 第 1 作者
（25） Crystal Structure of High-Temperature Phase beta-NaSrBO3 and Photoluminescence of beta-NaSrBO3:Ce3+, Inorganic Chemistry, 2016, 第 4 作者
（26） Polarization independent plasmonic subtractive color filtering in ultrathin Ag nanodisks with high transmission, Applied Optics, 2016, 第 8 作者
（27） The formation of heterointerface defects in Au/Cu films on Si substrates under direct, Physics Chemistry Chemical Physics, 2016, 第 6 作者
（28） Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Chin. Phys. Lett., 2016, 第 7 作者
（29） Degradation Analysis of Mid-power GaN-Based LEDs with different package materials, Chinese Journal of Luminescence, 2016, 通讯作者
（30） Evaluation of light extraction efficiency for determination of the internal quantum efficiency in GaN-based light-emitting diodes, Journal of semiconductors, 2016, 通讯作者
（31） Design of surface plasmon light emitting diodes to enhance the modulation bandwidth and optical power, Physica Status Solidi (c), 2016, 通讯作者
（32） Optimization of the nanopore depth to improve the electroluminescence for GaN-based nanoporous green LEDs, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 通讯作者
（33） Enhancement of the modulation bandwidth for light-emitting diode by surface plasmons, Optics Express, 2015, 通讯作者
（34） Progress and prospects of GaN-based LEDs using nanostructures, Chinese Physcis B, 2015, 第 1 作者
（35） Influence of Electron Distribution on Efficiency Droop for GaN-based Light Emitting Diodes, Journal of solid state lighting, 2015, 通讯作者
（36） Thermal Performances Analysis of High Power LED Devices, Semiconductor technology, 2015, 通讯作者
（37） Tunable Fano Resonance in E-shape Plasmonic Nanocavities, J. Phys. Chem. C, 2014, 通讯作者
（38） Surface plasmon-enhanced nanoporous GaN-based green light-emitting diodes with Al2O3 passivation layer, Optics Express, 2014, 通讯作者
（39） Thermal influence of phosphor to GaN based white LEDs, Proc. of SPIE, 2014, 通讯作者
（40） Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, 2013, 通讯作者
（41） LED Modulation Characteristics in a Visible-Light Communication System, Optics and Photonics Journal, 2013, 第 4 作者
（42） Luminescence and energy transfer of a color tunable phosphor: Dy3+-, Tm3+-, and Eu3+-, J. Mater. Chem., 2012, 通讯作者
（43） Light extraction enhancement of bulk GaN light-emitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, Optics Express, 2012, 通讯作者
（44） Degradation of GaN-based quantum well light-emitting diodes , Journal of Applied Physics, 2008, 第 1 作者
（45） Intrinsic and Extrinsic Contributions to the Lattice Parameter of GaMnAs, Applied Physics Letter, 2005, 第 1 作者
（46） Determination of the Mn concentration for GaMnAs, Semicond. Sci. and Tech., 2005, 第 1 作者
（47） Blue emission from As-doped GaN films grown by molecular beam epitaxy on GaN templates, Journal of Crystal Growth, 2003, 第 2 作者
（48） Isoelectronic doping of AlGaN alloys with As and estimates of AlGaN/GaN, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 3 作者
（49） Investigation of Radiative recombination from Mn related states in GaMnAs, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 2 作者
（50） Large-scale synthesis of GaN nanorods and their photoluminescence, Applied Physics A-Materials Science and Processing, 2002, 第 1 作者
（51） Synthesis, Raman scattering, and infrared spectra of large-scale GaN nanorods, Journal of Crystal Growth, 2002, 第 1 作者

   

（ 1 ） LED外延与芯片测试方法与标准光源的研究, 主持, 国家级, 2011-04--2013-12
（ 2 ） 半导体照明检测平台, 主持, 国家级, 2011-01--2011-12
（ 3 ） LED可调色温智能发光模组技术及产业化, 参与, 部委级, 2010-05--2012-06
（ 4 ） 引进国外技术人才, 主持, 部委级, 2010-09--2014-08
（ 5 ） 半导体照明信息网的研究, 参与, 部委级, 2009-09--2012-06
（ 6 ） 半导体照明检测技术及加速检测方法研究, 主持, 国家级, 2014-04--2016-03
（ 7 ） 基于失效机理的LED照明系统可靠性与可控寿命技术研究, 参与, 国家级, 2015-01--2017-12
（ 8 ） 动态显示关键计量技术研究, 参与, 国家级, 2014-07--2017-06
（ 9 ） 新型氮化物LED器件量子效率与调制带宽的协同优化及调控机理研究 , 主持, 国家级, 2016-01--2019-12
（ 10 ） 可见光通信关键技术及系统研发, 主持, 国家级, 2017-01--2019-12
（ 11 ） 横向多孔氮化镓DBR反射镜及InGaN基谐振腔增强型探测器, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12
（ 12 ） 高速可见光通信关键技术研究与应用示范, 主持, 省级, 2016-06--2019-05
（ 13 ） 高品质因子GaN基回音壁谐振腔调控机理研究, 主持, 国家级, 2020-01--2023-12

   

中国计量科学研究院
德国达姆斯塔特大学
复旦大学等

已指导学生

刘磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱石超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹海城  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

席鑫  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李婧  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

林杉  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马占红  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

胡天贵  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王军飞  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

李晓东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学