基本信息
韦欣  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: weix@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号1号楼410
邮政编码:

研究领域

新型半导体激光器、探测器
纳米结构制作与表征及其在半导体光电子器件中的应用
低维半导体材料外延生长

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
纳米光电子材料与器件
新结构和新材料半导体激光器研究

教育背景

1998-09--2002-06   中国科学院半导体研究生   博士
1991-09--1998-07   吉林大学电子工程系   硕士
学历
2002年,中国科学院半导体研究所,博士
1998年,吉林大学电子工程系,硕士
1995年,吉林大学电子工程系,学士
学位

工学博士

工作经历

   
工作简历
2008-07~2009-06,美国德州大学奥斯汀分校, 高级研究员
2004-02~2005-12,日本德岛大学电气电子工学科, 博士后研究员、非常勤讲师
2002-07~2014-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员、副研究员、研究员

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 表面等离子体调制的单模面发射激光器的研究, 主持, 国家级, 2010-01--2012-12
( 2 ) 红外发射二极管的研制, 主持, 国家级, 2009-08--2011-12
( 3 ) 中红外半导体激光器的研制, 主持, 部委级, 2011-01--2012-12
( 4 ) 高功率中红外半导体激光器, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12
( 5 ) 基于器件功能的多层异质材料微纳尺度物性分析, 主持, 国家级, 2012-01--2016-08
( 6 ) 某种光折变材料的研制, 主持, 国家级, 2013-07--2014-07
( 7 ) 面向光信息处理功能的新型纳米等离激元器件研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-08
( 8 ) 某种新型折变材料的研制, 主持, 国家级, 2014-07--2015-12
( 9 ) 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证研究, 主持, 国家级, 2016-01--2020-08
( 10 ) 窄线宽垂直腔面发射激光器, 主持, 国家级, 2017-07--2019-12
( 11 ) 垂直腔面发射半导体激光器, 主持, 国家级, 2018-10--2020-12
( 12 ) 半导体钠信标激光技术, 主持, 研究所(学校), 2019-01--2020-12
参与会议
(1)Bridging electromagnetic and electrical calculations for modelling surface plasmon photodetectors: influence of near field enhancement effect and surface recombination   韦欣 付东   2015-04-18

在研项目

(1) 基于器件功能的多层异质材料微纳尺度物性分析(项目名:高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证),国家重点基础研究发展计划项目(973计划),课题负责人, 2012-2016
(2) 表面等离子体调制的单模面发射激光器的研究,课题负责人,国家自然科学基金,2010-01--2012-12
(3) 新型半导体激光器的研制,课题负责人,院级课题,2011-01--2012-12  
(4) 某红外发射二极管的研制,课题负责人,国家级课题,2009-08--2011-12 
(5) 高功率新型半导体激光器,主要参与人,国家级课题,2011-01--2015-12