基本信息
宋志棠  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ztsong@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼401室
邮政编码: 200050

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
相变材料,工艺,器件,模拟,电路设计与芯片制造
化学机械抛光,集成电路用磨料

教育背景

1998-02--1999-11   中科院上海微系统所   博士后
1994-09--1997-11   西安交通大学   工学博士
1989-09--1992-07   西安交通大学   工学硕士
1981-09--1985-07   山西大学物理系   理学学士

工作经历

   
工作简历
2013-04~现在, 上海微系统所, 超级973项目首席科学家
2013-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 主任
2010-10~现在, 中科院上海微系统所 , 所长助理
2006-01~2010-10,中科院上海微系统所纳米技研究室, 研究员 主任 博导
2003-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 副主任
2002-10~2005-12,半导体薄膜国家工程技术研究中心 , 研究员 主任 博导
2001-03~2002-10,中科院上海微系统所业务处, 处长
2000-05~2001-03,香港理工大学应用物理系, R. F.(高级访问学者)R. A.(助理研究员)
1999-12~2000-05,中科院上海微系统所, 副研究员
1998-02~1999-11,中科院上海微系统所, 博士后
1994-09~1997-11,西安交通大学, 工学博士
1992-07~1994-08,榆次经纬纺织机械厂, 工程师
1989-09~1992-07,西安交通大学, 工学硕士
1985-07~1989-08,太原重型机械学院, 助教
1981-09~1985-07,山西大学物理系, 理学学士
社会兼职
2018-02-28-今,信息功能材料国家重点实验室, 副主任
2014-01-14-2018-02-28,信息功能材料国家重点实验室, 主任
2012-06-05-今,上海市真空学会,
2010-04-15-今,全国纳米技术标准化技术委员纳米加工分委员会, 秘书长
2008-07-01-今,市(地级)政协委员,
2003-12-01-今,中国材料学会, 常务理事
2001-03-01-今,九三学社委员,

教授课程

相变存储器技术基础
相变存储技术基础

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 华为奥林帕斯先锋奖, 一等奖, 其他, 2021
(2) 上海市自然科学奖, 一等奖, 省级, 2020
(3) 中国材料研究学会科学技术奖, 一等奖, 省级, 2019
(4) 上海市技术发明奖, 二等奖, 省级, 2018
(5) 中国电子学会科学技术奖, 三等奖, 专项, 2017
(6) 中国材料研究学会贡献奖, 省级, 2016
(7) 上海市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2016
(8) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013
(9) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013
(10) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013
(11) 国务院特殊津贴, , 国家级, 2009
(12) 上海市领军人才, , 省级, 2009
(13) 新世纪百千万人才工程国家级人选, , 国家级, 2009
(14) 中科院朱李月华优秀教师, , 研究所(学校), 2009
(15) 中科院院长特别奖导师, 特等奖, 研究所(学校), 2009
(16) 上海市纳米科技创新论坛“创新之星”银奖, 二等奖, 省级, 2008
(17) 上海市长宁区先进工作者, , 省级, 2007
(18) 上海市科技进步一等奖, 一等奖, 省级, 2006
(19) 上海市中长期科学发展规划纲要编制荣誉证书等称号与奖励, , 省级, 2006
(20) 上海市优秀学科带头人, , 省级, 2006
(21) 中科院研究生院优秀教师, , 研究所(学校), 2006
(22) 国家科技进步一等奖, 一等奖, 国家级, 2006
(23) 第五届中国国际发明展览会银奖, 二等奖, 国家级, 2004
(24) 上海新泰个人优秀奖, 特等奖, 省级, 2003
(25) 上海市科技启明星, , 省级, 1999
(26) 上海市优秀博士后, , 省级, 1999
专利成果
( 1 ) 一种高选择比的化学机械抛光液及其应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111662641B

( 2 ) 一种高选择比的化学机械抛光液及其应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111662641B

( 3 ) 一种二氧化硅胶体及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113277521A

( 4 ) 一种二氧化硅胶体及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113277521A

( 5 ) 一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN108002393B

( 6 ) 一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN108002393B

( 7 ) 一种钴基材抛光液及其应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111635701B

( 8 ) 一种钴基材抛光液及其应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111635701B

( 9 ) 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112920716A

( 10 ) 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112920716A

( 11 ) 一种低压高精度带隙基准电路, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112859996A

( 12 ) 一种低压高精度带隙基准电路, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112859996A

( 13 ) 一种以存代算在线学习预测芯片及方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112668180A

( 14 ) 一种以存代算在线学习预测芯片及方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112668180A

( 15 ) 非易失存储器读出电路及读出方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110289037B

( 16 ) 非易失存储器读出电路及读出方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110289037B

( 17 ) 一种提高电阻一致性的低功耗相变存储器写驱动电路, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112614525A

( 18 ) 一种提高电阻一致性的低功耗相变存储器写驱动电路, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112614525A

( 19 ) 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN110335636B

( 20 ) 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN110335636B

( 21 ) 相变存储器的数据读出电路及方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109903801B

( 22 ) 相变存储器的数据读出电路及方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109903801B

( 23 ) 一种三维智能微系统芯片, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112582371A

( 24 ) 一种三维智能微系统芯片, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112582371A

( 25 ) 相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109935688B

( 26 ) 一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109545964B

( 27 ) 相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109935688B

( 28 ) 一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109545964B

( 29 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112397644A

( 30 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112397644A

( 31 ) 一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112350728A

( 32 ) 一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112350728A

( 33 ) 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112311361A

( 34 ) 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112311361A

( 35 ) 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112285519A

( 36 ) 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112285519A

( 37 ) 一种相变存储器的故障诊断方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN109935270B

( 38 ) 一种相变存储器的故障诊断方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN109935270B

( 39 ) 一种基于忆阻器的神经网络容错方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112199234A

( 40 ) 一种基于忆阻器的神经网络容错方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112199234A

( 41 ) 一种高稳定性相变存储单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112133825A

( 42 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112133824A

( 43 ) 一种高稳定性相变存储单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112133825A

( 44 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112133824A

( 45 ) 一种选通管材料及包含选通管材料的选通管单元, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112018232A

( 46 ) 一种选通管材料及包含选通管材料的选通管单元, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112018232A

( 47 ) 一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111948507A

( 48 ) 一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111948507A

( 49 ) 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108922574B

( 50 ) 相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN108648782B

( 51 ) 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108922574B

( 52 ) 相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN108648782B

( 53 ) 一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111925731A

( 54 ) 一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111925731A

( 55 ) 一种文件系统的控制方法、装置及终端, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN107180092B

( 56 ) 一种文件系统的控制方法、装置及终端, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN107180092B

( 57 ) 优选相变存储器写操作电流的系统及方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108597558B

( 58 ) 优选相变存储器写操作电流的系统及方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108597558B

( 59 ) 一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN108110026B

( 60 ) 对等网络文件系统、访问控制/管理方法/系统、及终端, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN107864215B

( 61 ) 一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN108110026B

( 62 ) 对等网络文件系统、访问控制/管理方法/系统、及终端, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN107864215B

( 63 ) 一种金属钴抛光液及其应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111748286A

( 64 ) 一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111748287A

( 65 ) 一种存储器装置的偏置方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111755046A

( 66 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN110098832B

( 67 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN110098832B

( 68 ) 一种金属钴抛光液及其应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111748286A

( 69 ) 一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111748287A

( 70 ) 一种存储器装置的偏置方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111755046A

( 71 ) 一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111725396A

( 72 ) 一种相变材料结构、存储器单元及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111725397A

( 73 ) 一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111725396A

( 74 ) 一种相变材料结构、存储器单元及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111725397A

( 75 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN107591179B

( 76 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN107591179B

( 77 ) 一种硅铝酸盐基复相发光材料及其制备方法和应用, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111621294A

( 78 ) 一种硅铝酸盐基复相发光材料及其制备方法和应用, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111621294A

( 79 ) 具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN109347464B

( 80 ) 具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN109347464B

( 81 ) 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN106898371B

( 82 ) 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN106898371B

( 83 ) 一种OTS材料、选通器单元及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111584710A

( 84 ) 一种OTS材料、选通器单元及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111584710A

( 85 ) 钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111564553A

( 86 ) 钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111564553A

( 87 ) 相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN108520765B

( 88 ) 相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN108520765B

( 89 ) 电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN107591186B

( 90 ) 电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN107591186B

( 91 ) 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111463345A

( 92 ) 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463346A

( 93 ) 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111463345A

( 94 ) 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463346A

( 95 ) 一种选通管材料、选通管单元以及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111129070A

( 96 ) 一种选通管材料、选通管单元以及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111129070A

( 97 ) 用于相变存储器的相变材料及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN106611814B

( 98 ) 用于相变存储器的相变材料及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN106611814B

( 99 ) 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN107068198B

( 100 ) 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN107068198B

( 101 ) 三维垂直型存储器读出电路及其读出方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN107622780B

( 102 ) 三维垂直型存储器读出电路及其读出方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN107622780B

( 103 ) 一种1S1R单元读控制电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110890122A

( 104 ) 一种1S1R单元读控制电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110890122A

( 105 ) 一种双衬底三维异质集成芯片及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110854125A

( 106 ) 一种碳掺杂相变存储材料靶材及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110846626A

( 107 ) 一种三维异质集成芯片及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110854116A

( 108 ) 一种双衬底三维异质集成芯片及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110854125A

( 109 ) 一种碳掺杂相变存储材料靶材及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110846626A

( 110 ) 一种三维异质集成芯片及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110854116A

( 111 ) 一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110828664A

( 112 ) 一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110828664A

( 113 ) 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN110794673A

( 114 ) 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN110794673A

( 115 ) 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110619907A

( 116 ) 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110619908A

( 117 ) 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110619906A

( 118 ) 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110619907A

( 119 ) 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110619908A

( 120 ) 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110619906A

( 121 ) 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110600068A

( 122 ) 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110600068A

( 123 ) 一种相变存储器及其制作方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110335942A

( 124 ) 一种相变存储器及其制作方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110335942A

( 125 ) 相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106711325B

( 126 ) 相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106711325B

( 127 ) 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164497A

( 128 ) 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164497A

( 129 ) 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164497A

( 130 ) 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164497A

( 131 ) Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110148668A

( 132 ) Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110148668A

( 133 ) 一种C-Ti-Sb-Te相变材料, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110120453A

( 134 ) 一种C-Ti-Sb-Te相变材料, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110120453A

( 135 ) C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110098322A

( 136 ) C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110098322A

( 137 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061131A

( 138 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061131A

( 139 ) 一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109988508A

( 140 ) 一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109987609A

( 141 ) 一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109988507A

( 142 ) 一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109988508A

( 143 ) 一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109987609A

( 144 ) 一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109988507A

( 145 ) 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106910743B

( 146 ) 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106910743B

( 147 ) 基于链表和N-ary树结构实现快速回滚的文件系统管理方法、装置、终端、介质, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109933564A

( 148 ) 基于链表和N-ary树结构实现快速回滚的文件系统管理方法、装置、终端、介质, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109933564A

( 149 ) 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109903800A

( 150 ) 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109903805A

( 151 ) 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109903800A

( 152 ) 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109903805A

( 153 ) 多态相变存储器单元器件及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106299112B

( 154 ) 多态相变存储器单元器件及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106299112B

( 155 ) 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109839296A

( 156 ) 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109839296A

( 157 ) 一种基于N-ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN106354890B

( 158 ) 一种基于N-ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN106354890B

( 159 ) 多核心类脑芯片, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109754076A

( 160 ) 多核心类脑芯片, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109754076A

( 161 ) 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106875963B

( 162 ) 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106875963B

( 163 ) 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106044786B

( 164 ) 相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109728162A

( 165 ) 相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109728162A

( 166 ) 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106044786B

( 167 ) 相变存储器的整体擦除装置, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106816172B

( 168 ) 相变存储器的整体擦除装置, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106816172B

( 169 ) 相变材料层、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106654005B

( 170 ) 相变材料层、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106654005B

( 171 ) 基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN106326421B

( 172 ) 基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN106326421B

( 173 ) Ge-Se-Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106601911B

( 174 ) Ge-Se-Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106601911B

( 175 ) 一种选通管材料、选通管单元及其制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106601907B

( 176 ) 一种选通管材料、选通管单元及其制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106601907B

( 177 ) 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN106356090B

( 178 ) 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN106356090B

( 179 ) 一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN105655368B

( 180 ) 一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN105655368B

( 181 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106010297B

( 182 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106010297B

( 183 ) 基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN104616690B

( 184 ) 基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN104616690B

( 185 ) 一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108110135A

( 186 ) 一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108110135A

( 187 ) 具有温度跟随特性的相变存储器读电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106601290B

( 188 ) 具有温度跟随特性的相变存储器读电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106601290B

( 189 ) 相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108666416A

( 190 ) 相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108666416A

( 191 ) 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105869671B

( 192 ) 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105869671B

( 193 ) 存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105632551B

( 194 ) 存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105632551B

( 195 ) 相变存储器检测结构及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105280815B

( 196 ) 相变存储器检测结构及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105280815B

( 197 ) 一种相变存储器, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN103489478B

( 198 ) 一种相变存储器, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN103489478B

( 199 ) 一种存储器及其制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105322090B

( 200 ) 一种存储器及其制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105322090B

( 201 ) 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN106410773B

( 202 ) 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN106410773B

( 203 ) 一种相变存储器读出电路及读出方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN106205684B

( 204 ) 一种相变存储器读出电路及读出方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN106205684B

( 205 ) 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105742490B

( 206 ) 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105742490B

( 207 ) 自加热相变存储单元及自加热相变存储结构, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108461628A

( 208 ) 自加热相变存储单元及自加热相变存储结构, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108461628A

( 209 ) 一种相变存储器及其恢复数据的方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105023606B

( 210 ) 一种相变存储器及其恢复数据的方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105023606B

( 211 ) 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105913119B

( 212 ) 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105913119B

( 213 ) 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN107886993A

( 214 ) 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN107886993A

( 215 ) Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107768516A

( 216 ) Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107768516A

( 217 ) 具有数据处理功能的文件系统及其使用方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN104462602B

( 218 ) 具有数据处理功能的文件系统及其使用方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN104462602B

( 219 ) 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107644664A

( 220 ) 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107644664A

( 221 ) 开关电源电感的电流过零检测电路, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN206948183U

( 222 ) 开关电源电感的电流过零检测电路, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN206948183U

( 223 ) 一种用于钛的化学机械抛光液, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104593776B

( 224 ) 一种用于钛的化学机械抛光液, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104593776B

( 225 ) 用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN104241527B

( 226 ) 用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN104241527B

( 227 ) 一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN104409628B

( 228 ) 一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN104409628B

( 229 ) 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 2017, 第 11 作者, 专利号: CN104715792B

( 230 ) 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 2017, 第 11 作者, 专利号: CN104715792B

( 231 ) 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104347113B

( 232 ) 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104347113B

( 233 ) 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 2017, 第 10 作者, 专利号: CN104282332B

( 234 ) 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 2017, 第 10 作者, 专利号: CN104282332B

( 235 ) 存储设备及其数据读写方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104317753B

( 236 ) 存储设备及其数据读写方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104317753B

( 237 ) 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107147286A

( 238 ) 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107147286A

( 239 ) 用于选通驱动器件的相变材料、选通驱动器件及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068858A

( 240 ) 用于选通驱动器件的相变材料、选通驱动器件及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068858A

( 241 ) 一种OTS材料、选通管单元及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106784309A

( 242 ) 一种OTS材料、选通管单元及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106784309A

( 243 ) Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106299113A

( 244 ) Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106299113A

( 245 ) 相变存储单元及其制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106159085A

( 246 ) 相变存储单元及其制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106159085A

( 247 ) 三维1D1R相变存储器单元及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106098721A

( 248 ) 三维1D1R相变存储器单元及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106098721A

( 249 ) 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106024054A

( 250 ) 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106024054A

( 251 ) 一种相变存储器读出电路及方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105931665A

( 252 ) 一种相变存储器读出电路及方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105931665A

( 253 ) 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN102516878B

( 254 ) 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN102516878B

( 255 ) 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105810242A

( 256 ) 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105810242A

( 257 ) 一种轻载降频模式控制系统, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105763051A

( 258 ) 一种轻载降频模式控制系统, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105763051A

( 259 ) 一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105670350A

( 260 ) 一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105670350A

( 261 ) 包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105633279A

( 262 ) 包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105633279A

( 263 ) 一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105047815A

( 264 ) 一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105047815A

( 265 ) 一种Cr掺杂Ge 2 Sb 2 Te 5 相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105047816A

( 266 ) 一种Cr掺杂Ge 2 Sb 2 Te 5 相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105047816A

( 267 ) 用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104831235A

( 268 ) 用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104831235A

( 269 ) 一种相变存储单元及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104779349A

( 270 ) 一种相变存储单元及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104779349A

( 271 ) 一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104716260A

( 272 ) 一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104716260A

( 273 ) 一种含有石墨烯的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104592897A

( 274 ) 一种化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104592896A

( 275 ) 一种含有石墨烯的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104592897A

( 276 ) 一种化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104592896A

( 277 ) 一种高纯硅酸的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104591192A

( 278 ) 一种高纯硅酸的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104591192A

( 279 ) 一种改性二氧化硅胶体的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556061A

( 280 ) 一种改性二氧化硅胶体的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556061A

( 281 ) 一种纳米二氧化硅的聚合方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556059A

( 282 ) 一种纳米二氧化硅的聚合方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556059A

( 283 ) 一种生产低粘度小粒径硅溶胶的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556058A

( 284 ) 一种生产低粘度小粒径硅溶胶的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556058A

( 285 ) 一种含复合磨料的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104559799A

( 286 ) 一种含复合磨料的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104559799A

( 287 ) 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556060A

( 288 ) 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556060A

( 289 ) 一种改性硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559336A

( 290 ) 一种改性硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559336A

( 291 ) 一种含多孔二氧化硅磨料的抛光液及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559927A

( 292 ) 一种含多孔二氧化硅磨料的抛光液及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559927A

( 293 ) 一种氧化铝基化学机械抛光液, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559798A

( 294 ) 一种氧化铝基化学机械抛光液, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559798A

( 295 ) 一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104575611A

( 296 ) 一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104575611A

( 297 ) 一种支持逻辑电路快速查询的存储器装置及其访问方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104571946A

( 298 ) 一种支持逻辑电路快速查询的存储器装置及其访问方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104571946A

( 299 ) 相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104409333A

( 300 ) 相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104409333A

( 301 ) 一种包含双氧化剂的GST化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104403570A

( 302 ) 一种包含双氧化剂的GST化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104403570A

( 303 ) 一种具有数据拆分加密功能的嵌入式系统的使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104392178A

( 304 ) 一种具有数据拆分加密功能的嵌入式系统的使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104392178A

( 305 ) 外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104392058A

( 306 ) 外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104392058A

( 307 ) 一种具有数据拆分加密功能的手持设备的使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104376275A

( 308 ) 一种具有数据拆分加密功能的手持设备的使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104376275A

( 309 ) 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104318955A

( 310 ) 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104318955A

( 311 ) 相变存储器及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104201282A

( 312 ) 相变存储器及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104201282A

( 313 ) 一种GST中性化学机械抛光液, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897603A

( 314 ) 一种GST中性化学机械抛光液, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897603A

( 315 ) 一种相变存储器电极结构的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103500795A

( 316 ) 一种相变存储器电极结构的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103500795A

( 317 ) 一种相变存储器单元的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104124337A

( 318 ) 一种相变存储器单元的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104124337A

( 319 ) 分布式随机访问文件系统及其访问控制方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104077084A

( 320 ) 分布式随机访问文件系统及其访问控制方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104077084A

( 321 ) 参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103943144A

( 322 ) 参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103943144A

( 323 ) 一种开关电源的过零检测电路, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103929048A

( 324 ) 一种开关电源的过零检测电路, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103929048A

( 325 ) 一种废弃硅溶胶回收再利用的方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103910516A

( 326 ) 一种废弃硅溶胶回收再利用的方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103910516A

( 327 ) 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896287A

( 328 ) 一种稳定的改性硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103896290A

( 329 ) 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896321A

( 330 ) 一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法及其应用, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897202A

( 331 ) 一种计算机硬盘的化学机械抛光液, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897604A

( 332 ) 钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103898474A

( 333 ) 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896287A

( 334 ) 一种稳定的改性硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103896290A

( 335 ) 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896321A

( 336 ) 一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法及其应用, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897202A

( 337 ) 一种计算机硬盘的化学机械抛光液, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897604A

( 338 ) 钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103898474A

( 339 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103871463A

( 340 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103871463A

( 341 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855302A

( 342 ) 多级电阻转换存储单元及存储器, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855301A

( 343 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855302A

( 344 ) 多级电阻转换存储单元及存储器, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855301A

( 345 ) 一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103856044A

( 346 ) 一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103856044A

( 347 ) 相变存储器系统, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103824591A

( 348 ) 相变存储器系统, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103824591A

( 349 ) 一种相变存储器单元及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794723A

( 350 ) 一种相变存储器单元及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794723A

( 351 ) 一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103794245A

( 352 ) 一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103794245A

( 353 ) 一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794244A

( 354 ) 一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794244A

( 355 ) 高速、高密度、低功耗的相变存储器单元及制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103682089A

( 356 ) 高速、高密度、低功耗的相变存储器单元及制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103682089A

( 357 ) 一种相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103682094A

( 358 ) 一种相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103682094A

( 359 ) 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103646668A

( 360 ) 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103646668A

( 361 ) 一种低功耗相变存储器结构的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103618045A

( 362 ) 一种低功耗相变存储器结构的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103618045A

( 363 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103589344A

( 364 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103589344A

( 365 ) 相变存储结构及制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103560205A

( 366 ) 相变存储结构及制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103560205A

( 367 ) 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103559909A

( 368 ) 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103559909A

( 369 ) 一种神经元器件及神经网络, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103530690A

( 370 ) 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103531710A

( 371 ) 一种神经元器件及神经网络, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103530690A

( 372 ) 基于市电的开关功放电路, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103532400A

( 373 ) 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103531710A

( 374 ) 基于市电的开关功放电路, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103532400A

( 375 ) 一种相变材料化学机械抛光方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103497688A

( 376 ) 一种水溶性聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103497340A

( 377 ) 一种相变材料化学机械抛光方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103497688A

( 378 ) 一种水溶性聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103497340A

( 379 ) 一种高性能水性无机涂料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103483884A

( 380 ) 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103484024A

( 381 ) 一种高性能水性无机涂料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103483884A

( 382 ) 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103484024A

( 383 ) 用于相变存储器的相变材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050620A

( 384 ) 用于相变存储器的相变材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050620A

( 385 ) 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103035841A

( 386 ) 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103035841A

( 387 ) 一种相变存储的快速擦写操作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102945683A

( 388 ) 一种相变存储的快速擦写操作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102945683A

( 389 ) 一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102931206A

( 390 ) 一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102931206A

( 391 ) 一种非易失性随机存储器及其操作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102890963A

( 392 ) 一种非易失性随机存储器及其操作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102890963A

( 393 ) 三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103441215A

( 394 ) 三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103441215A

( 395 ) 包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103427022A

( 396 ) 包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103427022A

( 397 ) 一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料及其应用, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103367633A

( 398 ) 一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料及其应用, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103367633A

( 399 ) 相变存储单元及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103346258A

( 400 ) 相变存储单元及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103346258A

( 401 ) 相变存储单元及其制造方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103325940A

( 402 ) 相变存储单元及其制造方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103325940A

( 403 ) BCH码检纠错方法、电路及容错存储器, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103269231A

( 404 ) BCH码检纠错方法、电路及容错存储器, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103269231A

( 405 ) 基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法, 2013, 第 9 作者, 专利号: CN103246610A

( 406 ) 基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法, 2013, 第 9 作者, 专利号: CN103246610A

( 407 ) 用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103236495A

( 408 ) 用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103236495A

( 409 ) 文件访问方法及系统, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103218312A

( 410 ) 文件访问方法及系统, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103218312A

( 411 ) 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103158057A

( 412 ) 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103158057A

( 413 ) 存储器的分块管理方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103123609A

( 414 ) 存储器的分块管理方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103123609A

( 415 ) 内存分配方法及系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103106147A

( 416 ) 内存分配方法及系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103106147A

( 417 ) 相变合金材料的无损刻蚀方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103094476A

( 418 ) 相变合金材料的无损刻蚀方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103094476A

( 419 ) 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统, 2013, 第 10 作者, 专利号: CN103049397A

( 420 ) 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统, 2013, 第 10 作者, 专利号: CN103049397A

( 421 ) 用于相变存储器的相变材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050621A

( 422 ) 用于相变存储器的相变材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050621A

( 423 ) 用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050624A

( 424 ) 用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050624A

( 425 ) 基于PCRAM主存应用的内存管理方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103019955A

( 426 ) 基于PCRAM主存应用的内存管理方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103019955A

( 427 ) 钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103000807A

( 428 ) 钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103000807A

( 429 ) 一种相变存储器的编程系统及方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102982841A

( 430 ) 制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102978588A

( 431 ) 一种相变存储器的编程系统及方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102982841A

( 432 ) 制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102978588A

( 433 ) 一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102945924A

( 434 ) 具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102945847A

( 435 ) 一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102945924A

( 436 ) 具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102945847A

( 437 ) 一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102923676A

( 438 ) 一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102923676A

( 439 ) 一种相变存储器多级存储系统及方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102890962A

( 440 ) 一种相变存储器多级存储系统及方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102890962A

( 441 ) 一种中空纤维高温膜组件的封装结构及中空纤维膜组件, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202666703U

( 442 ) 一种中空纤维高温膜组件的封装结构及中空纤维膜组件, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202666703U

( 443 ) 基于单存储器的嵌入式设备的启动系统, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102866896A

( 444 ) 基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102866934A

( 445 ) 基于单存储器的嵌入式设备的启动系统, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102866896A

( 446 ) 基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102866934A

( 447 ) 基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102751319A

( 448 ) 基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102751319A

( 449 ) 化学机械抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102690604A

( 450 ) 化学机械抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102690604A

( 451 ) 低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102637823A

( 452 ) 低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102637823A

( 453 ) 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102623484A

( 454 ) 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102623484A

( 455 ) 微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102509732A

( 456 ) 微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102509732A

( 457 ) 一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102339951A

( 458 ) 一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102339951A

( 459 ) 电荷泵及工作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102324840A

( 460 ) 电荷泵及工作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102324840A

( 461 ) 基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102841674A

( 462 ) 基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102841674A

( 463 ) 含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832342A

( 464 ) 用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102832339A

( 465 ) 一种相变存储器单元及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102832340A

( 466 ) 含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832342A

( 467 ) 一种限制结构相变存储器及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102832338A

( 468 ) 一种相变存储器的读写转换系统及方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102831929A

( 469 ) 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102827549A

( 470 ) 用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102832339A

( 471 ) 一种相变存储器单元及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102832340A

( 472 ) 一种限制结构相变存储器及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102832338A

( 473 ) 一种相变存储器的读写转换系统及方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102831929A

( 474 ) 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102827549A

( 475 ) 具有掉电数据保持功能的触发器, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102831931A

( 476 ) 具有掉电数据保持功能的触发器, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102831931A

( 477 ) 相变存储器的数据读出电路, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820055A

( 478 ) 相变存储器的数据读出电路, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820056A

( 479 ) 相变存储器的数据读出电路, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820055A

( 480 ) 相变存储器的数据读出电路, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820056A

( 481 ) 用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810637A

( 482 ) 用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810637A

( 483 ) 具有类超晶格结构的相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810636A

( 484 ) 具有类超晶格结构的相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810636A

( 485 ) 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102800808A

( 486 ) 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102800808A

( 487 ) 低功耗相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102779941A

( 488 ) 低功耗相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102779941A

( 489 ) 一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102779072A

( 490 ) 一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102779072A

( 491 ) Al衬底用化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102757732A

( 492 ) Al衬底用化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102757732A

( 493 ) 分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102759669A

( 494 ) 分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102759669A

( 495 ) 一种具有配置电路的相变存储器芯片, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102750980A

( 496 ) 一种具有配置电路的相变存储器芯片, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102750980A

( 497 ) 相变存储材料及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102751435A

( 498 ) 电可编程开关电路, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102750985A

( 499 ) 相变存储材料及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102751435A

( 500 ) 电可编程开关电路, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102750985A

( 501 ) 具有相变存储器的RFID标签, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102708398A

( 502 ) 具有相变存储器的RFID标签, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102708398A

( 503 ) 低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102664236A

( 504 ) 低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102664236A

( 505 ) 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102623632A

( 506 ) 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102623632A

( 507 ) 一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102610753A

( 508 ) 一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102610753A

( 509 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610745A

( 510 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610745A

( 511 ) 一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593357A

( 512 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102593355A

( 513 ) 一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593357A

( 514 ) 相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102593350A

( 515 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102593355A

( 516 ) 相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102593350A

( 517 ) 相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102593350A

( 518 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb 2 Te相变存储材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102569652A

( 519 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb 2 Te相变存储材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102569652A

( 520 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te y -Si 3 N 4 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569644A

( 521 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te y -Si 3 N 4 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569644A

( 522 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te y -Si 3 N 4 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569644A

( 523 ) 用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544362A

( 524 ) 可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544361A

( 525 ) 一种微晶Si-Sb x Te 1-x 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102534479A

( 526 ) 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102539467A

( 527 ) 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544355A

( 528 ) 用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544362A

( 529 ) 可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544361A

( 530 ) 一种微晶Si-Sb x Te 1-x 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102534479A

( 531 ) 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102539467A

( 532 ) 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544355A

( 533 ) 用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544362A

( 534 ) 可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544361A

( 535 ) 一种微晶Si-Sb x Te 1-x 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102534479A

( 536 ) 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102539467A

( 537 ) 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544355A

( 538 ) 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102516879A

( 539 ) 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102516879A

( 540 ) 超低功耗上电复位电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102497181A

( 541 ) 超低功耗上电复位电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102497181A

( 542 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te x -SiO 2 纳米复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102487119A

( 543 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te x -SiO 2 纳米复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102487119A

( 544 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te x -SiO 2 纳米复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102487119A

( 545 ) 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101587905B

( 546 ) 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101587905B

( 547 ) 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101587905B

( 548 ) 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101587905B

( 549 ) 相变存储阵列的位线结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102456396A

( 550 ) 碳化物复合相变存储材料及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102453823A

( 551 ) 相变存储阵列的位线结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102456396A

( 552 ) 碳化物复合相变存储材料及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102453823A

( 553 ) 相变存储阵列的位线结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102456396A

( 554 ) 碳化物复合相变存储材料及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102453823A

( 555 ) 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102412179A

( 556 ) 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102412179A

( 557 ) 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102412179A

( 558 ) 一种上电复位电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102403988A

( 559 ) 一种上电复位电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102403988A

( 560 ) 相变材料的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386327A

( 561 ) 相变材料的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386327A

( 562 ) 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102386067A

( 563 ) 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102386067A

( 564 ) 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102386067A

( 565 ) 用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102361063A

( 566 ) 用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102361063A

( 567 ) 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102347446A

( 568 ) 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102347446A

( 569 ) 具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332530A

( 570 ) 具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332530A

( 571 ) 具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332530A

( 572 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102227015A

( 573 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102227015A

( 574 ) 纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102169958A

( 575 ) 纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102169958A

( 576 ) 三维电阻转换存储芯片制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102122636A

( 577 ) 三维电阻转换存储芯片制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102122636A

( 578 ) 三维电阻转换存储芯片制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102122636A

( 579 ) 硅锑碲复合相变材料, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102110773A

( 580 ) 硅锑碲复合相变材料, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102110773A

( 581 ) 硅锑碲复合相变材料, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102110773A

( 582 ) 利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102280994A

( 583 ) 利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102280994A

( 584 ) 利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102280994A

( 585 ) 一种相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268332A

( 586 ) 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268224A

( 587 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102268738A

( 588 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102268738A

( 589 ) 一种相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268332A

( 590 ) 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268224A

( 591 ) 一种相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268332A

( 592 ) 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268224A

( 593 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102263041A

( 594 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102263041A

( 595 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102263041A

( 596 ) 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102254927A

( 597 ) 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102255044A

( 598 ) 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102255044A

( 599 ) 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102254927A

( 600 ) 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102254927A

( 601 ) 一种相变存储器器件单元及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102237488A

( 602 ) 一种相变存储器器件单元及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102237488A

( 603 ) 一种相变存储器器件单元及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102237488A

( 604 ) 电荷泵及电荷泵工作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102231597A

( 605 ) 电荷泵及电荷泵工作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102231597A

( 606 ) 相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185106A

( 607 ) 多层堆叠电阻转换存储器结构, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185104A

( 608 ) 相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185106A

( 609 ) 多层堆叠电阻转换存储器结构, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185104A

( 610 ) 一种链式相变存储器结构, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102157197A

( 611 ) 相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102157685A

( 612 ) 一种链式相变存储器结构, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102157197A

( 613 ) 相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102157685A

( 614 ) Sb 2 Te 3 -HfO 2 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102157681A

( 615 ) Sb 2 Te 3 -HfO 2 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102157681A

( 616 ) Sb 2 Te 3 -HfO 2 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102157681A

( 617 ) 一种电阻转换存储器结构及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102148329A

( 618 ) 一种电阻转换存储器结构及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102148329A

( 619 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102142518A

( 620 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102142518A

( 621 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102142518A

( 622 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102134698A

( 623 ) 一种相变材料的干法刻蚀方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102136548A

( 624 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102134698A

( 625 ) 一种相变材料的干法刻蚀方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102136548A

( 626 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102134698A

( 627 ) 一种相变材料的干法刻蚀方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102136548A

( 628 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te材料, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102130298A

( 629 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te材料, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102130298A

( 630 ) 电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102117823A

( 631 ) 电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102117823A

( 632 ) 电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102117823A

( 633 ) 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102082228A

( 634 ) 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102082228A

( 635 ) 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102082228A

( 636 ) 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102064134A

( 637 ) 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102064134A

( 638 ) 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102064134A

( 639 ) 多层堆叠的存储器及其制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102034804A

( 640 ) 多层堆叠的存储器及其制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102034804A

( 641 ) 多层堆叠的存储器及其制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102034804A

( 642 ) 一种相变存储器快速读取装置及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102013271A

( 643 ) 一种相变存储器快速读取装置及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102013271A

( 644 ) 一种相变存储器快速读取装置及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102013271A

( 645 ) 制备纳米晶电阻转换材料的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102011089A

( 646 ) 制备纳米晶电阻转换材料的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102011089A

( 647 ) 制备纳米晶电阻转换材料的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102011089A

( 648 ) 一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102005466A

( 649 ) 一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102005466A

( 650 ) 一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102005466A

( 651 ) 复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101984512A

( 652 ) 复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101984512A

( 653 ) 复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101984512A

( 654 ) 无线操控显示系统, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101980109A

( 655 ) 无线操控显示系统, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101980109A

( 656 ) 无线操控显示系统, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101980109A

( 657 ) 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101582485B

( 658 ) 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101582485B

( 659 ) 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101582485B

( 660 ) 相变存储单元的数据读出电路及读出方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976578A

( 661 ) 基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976677A

( 662 ) 相变存储器单元的SPICE模型系统, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976724A

( 663 ) 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976675A

( 664 ) 相变存储单元的数据读出电路及读出方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976578A

( 665 ) 基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976677A

( 666 ) 相变存储单元的数据读出电路及读出方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976578A

( 667 ) 基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976677A

( 668 ) 相变存储器单元的SPICE模型系统, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976724A

( 669 ) 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976675A

( 670 ) 相变存储器单元的SPICE模型系统, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976724A

( 671 ) 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101976675A

( 672 ) 相变存储单元和其加热层的制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN101969099A

( 673 ) 相变存储单元和其加热层的制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN101969099A

( 674 ) 相变存储单元和其加热层的制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN101969099A

( 675 ) 能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101968973A

( 676 ) 能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101968973A

( 677 ) 能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101968973A

( 678 ) 一种制作相变存储单元相变单元的方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101964394A

( 679 ) 一种制作相变存储单元相变单元的方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101964394A

( 680 ) 一种制作相变存储单元相变单元的方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101964394A

( 681 ) 化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101964351A

( 682 ) 化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101964351A

( 683 ) 化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101964351A

( 684 ) 能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101958148A

( 685 ) 能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101958148A

( 686 ) 能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101958148A

( 687 ) 高效电荷泵及其工作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101951144A

( 688 ) 用于升压电路中的N阱电位控制电路, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101950190A

( 689 ) 高效电荷泵及其工作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101951144A

( 690 ) 用于升压电路中的N阱电位控制电路, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101950190A

( 691 ) 高效电荷泵及其工作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101951144A

( 692 ) 用于升压电路中的N阱电位控制电路, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101950190A

( 693 ) 硫系化合物相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101935596A

( 694 ) 硫系化合物相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101935596A

( 695 ) 硫系化合物相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101935596A

( 696 ) 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101924069A

( 697 ) 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101924069A

( 698 ) 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101924069A

( 699 ) 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101857774A

( 700 ) 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101857774A

( 701 ) 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101857774A

( 702 ) 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572291B

( 703 ) 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572291B

( 704 ) 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572291B

( 705 ) 具有冗余存储单元的相变随机存储器系统, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101833992A

( 706 ) 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101834273A

( 707 ) 具有冗余存储单元的相变随机存储器系统, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101833992A

( 708 ) 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101834273A

( 709 ) 具有冗余存储单元的相变随机存储器系统, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101833992A

( 710 ) 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101834273A

( 711 ) 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101789491A

( 712 ) 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101789491A

( 713 ) 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101789491A

( 714 ) 一种相变存储器的擦写方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101699562

( 715 ) 一种相变存储器的擦写方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101699562

( 716 ) 一种相变存储器的擦写方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101699562

( 717 ) 一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101694779A

( 718 ) 一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101694779A

( 719 ) 一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101694779A

( 720 ) 相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101640251

( 721 ) 相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101640251

( 722 ) 相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101640251

( 723 ) 一种开发和筛选相变存储材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101626061

( 724 ) 一种开发和筛选相变存储材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101626061

( 725 ) 一种开发和筛选相变存储材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101626061

( 726 ) 低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101931049A

( 727 ) 低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101931049A

( 728 ) 低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101931049A

( 729 ) 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101924180A

( 730 ) 一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101923901A

( 731 ) 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101924180A

( 732 ) 一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101923901A

( 733 ) 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101924180A

( 734 ) 一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101923901A

( 735 ) 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101916590A

( 736 ) 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101916590A

( 737 ) 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101916590A

( 738 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101894771A

( 739 ) 制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101892453A

( 740 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101894771A

( 741 ) 制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101892453A

( 742 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101894771A

( 743 ) 制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101892453A

( 744 ) 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101882617A

( 745 ) 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101882617A

( 746 ) 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101882617A

( 747 ) 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101872839A

( 748 ) 相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572292B

( 749 ) 相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572292B

( 750 ) 相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572292B

( 751 ) 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101872839A

( 752 ) 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101872839A

( 753 ) 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866882A

( 754 ) 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866882A

( 755 ) 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866882A

( 756 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101834152A

( 757 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101834152A

( 758 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101834152A

( 759 ) 纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101826546A

( 760 ) 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101826463A

( 761 ) 纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101826546A

( 762 ) 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101826463A

( 763 ) 柱状纳米加热电极的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572290B

( 764 ) 柱状纳米加热电极的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572290B

( 765 ) 柱状纳米加热电极的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572290B

( 766 ) 纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101826546A

( 767 ) 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101826463A

( 768 ) 纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101818294A

( 769 ) 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101818047A

( 770 ) 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101818047A

( 771 ) 纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101818294A

( 772 ) 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101818047A

( 773 ) 纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101818294A

( 774 ) 二极管及电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101807545A

( 775 ) 二极管及电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101807545A

( 776 ) 二极管及电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101807545A

( 777 ) 相变存储器芯片版图结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101800237A

( 778 ) 相变存储器芯片版图结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101800237A

( 779 ) 相变存储器芯片版图结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101800237A

( 780 ) 一种降低CMOS瞬态功耗的电路, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101795134A

( 781 ) 电阻存储器装置, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101794863A

( 782 ) 电阻转换存储器装置及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101794808A

( 783 ) 一种降低CMOS瞬态功耗的电路, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101795134A

( 784 ) 电阻存储器装置, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101794863A

( 785 ) 电阻转换存储器装置及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101794808A

( 786 ) 一种降低CMOS瞬态功耗的电路, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101795134A

( 787 ) 电阻存储器装置, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101794863A

( 788 ) 电阻转换存储器装置及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101794808A

( 789 ) 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783391A

( 790 ) 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783391A

( 791 ) 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783391A

( 792 ) 相变存储器, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783172A

( 793 ) 相变存储器的猝发写方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783171A

( 794 ) 相变存储器, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783172A

( 795 ) 相变存储器的猝发写方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783171A

( 796 ) 相变存储器, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783172A

( 797 ) 相变存储器的猝发写方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101783171A

( 798 ) 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101777389A

( 799 ) 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101777388A

( 800 ) 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101777389A

( 801 ) 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101777388A

( 802 ) 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101777389A

( 803 ) 一种快速表征相变材料及介质层的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101776718A

( 804 ) 一种快速表征相变材料及介质层的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101776718A

( 805 ) 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101777388A

( 806 ) 一种快速表征相变材料及介质层的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101776718A

( 807 ) 相变存储器的写优化电路及其写优化方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101770807A

( 808 ) 相变存储器的写优化电路及其写优化方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101770807A

( 809 ) 相变存储器的写优化电路及其写优化方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101770807A

( 810 ) 一种纳米结构压印硬模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770164A

( 811 ) 一种压印模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770165A

( 812 ) 一种去除冷压印残留胶层的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770188A

( 813 ) 一种纳米结构压印硬模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770164A

( 814 ) 一种纳米结构压印硬模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770164A

( 815 ) 一种压印模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770165A

( 816 ) 一种压印模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770165A

( 817 ) 一种去除冷压印残留胶层的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770188A

( 818 ) 一种去除冷压印残留胶层的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770188A

( 819 ) 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101758457A

( 820 ) 一种相变存储器的模拟方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101763452A

( 821 ) 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101758457A

( 822 ) 一种相变存储器的模拟方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101763452A

( 823 ) 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101758457A

( 824 ) 一种相变存储器的模拟方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101763452A

( 825 ) 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101752497A

( 826 ) 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101752497A

( 827 ) 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101752497A

( 828 ) 具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101752312A

( 829 ) 具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101752312A

( 830 ) 具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101752312A

( 831 ) 电荷泵及其工作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101741242A

( 832 ) 电荷泵及其工作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101741242A

( 833 ) 电荷泵及其工作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101741242A

( 834 ) 一种菱形片状氧化铈的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101734706A

( 835 ) 一种菱形片状氧化铈的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101734706A

( 836 ) 一种菱形片状氧化铈的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101734706A

( 837 ) 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101673755

( 838 ) 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101671538

( 839 ) 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101673755

( 840 ) 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101671538

( 841 ) 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101673755

( 842 ) 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101671538

( 843 ) 制备相变材料的溅射靶材的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101665916

( 844 ) 制备相变材料的溅射靶材的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101665916

( 845 ) 制备相变材料的溅射靶材的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101665916

( 846 ) 相变存储单元器件的复合电极结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101661992

( 847 ) 一种复合相变材料靶材及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101660119

( 848 ) 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101659850

( 849 ) 一种纳米复合相变材料及其制备与应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101660118

( 850 ) 一种复合相变材料靶材及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101660119

( 851 ) 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101659850

( 852 ) 一种纳米复合相变材料及其制备与应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101660118

( 853 ) 一种复合相变材料靶材及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101660119

( 854 ) 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101659850

( 855 ) 一种纳米复合相变材料及其制备与应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101660118

( 856 ) 相变存储单元器件的复合电极结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101661992

( 857 ) 相变存储单元器件的复合电极结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101661992

( 858 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101642893

( 859 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101642893

( 860 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101642893

( 861 ) 一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100555700

( 862 ) 一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100555700

( 863 ) 一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100555700

( 864 ) 一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546728

( 865 ) 一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546728

( 866 ) 一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546728

( 867 ) 一种纳米复合相变材料及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101521260

( 868 ) 一种纳米复合相变材料及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101521260

( 869 ) 一种纳米复合相变材料及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101521260

( 870 ) 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100530739

( 871 ) 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100530739

( 872 ) 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100530739

( 873 ) 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100530739

( 874 ) 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101488558

( 875 ) 一种低功耗相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488555

( 876 ) 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101488558

( 877 ) 一种低功耗相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488555

( 878 ) 快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101487140

( 879 ) 快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101487140

( 880 ) 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101488558

( 881 ) 一种低功耗相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488555

( 882 ) 快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101487140

( 883 ) 包含夹层的相变存储器及制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101478030

( 884 ) 包含夹层的相变存储器及制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101478030

( 885 ) 包含夹层的相变存储器及制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101478030

( 886 ) 肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101465383

( 887 ) 肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101465383

( 888 ) 肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101465383

( 889 ) 一种电阻转换存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101420013

( 890 ) 一种电阻转换存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101420013

( 891 ) 一种电阻转换存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101420013

( 892 ) 一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100478412

( 893 ) 一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100478412

( 894 ) 一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100478412

( 895 ) 一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100478412

( 896 ) 相变存储器存储单元及其制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461484

( 897 ) 一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364043

( 898 ) 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364564

( 899 ) 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364567

( 900 ) 相变存储器存储单元及其制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461484

( 901 ) 一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364043

( 902 ) 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364564

( 903 ) 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364567

( 904 ) 相变存储器存储单元及其制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461484

( 905 ) 一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364043

( 906 ) 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364564

( 907 ) 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364567

( 908 ) 相变存储器存储单元及其制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461484

( 909 ) 一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364043

( 910 ) 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364564

( 911 ) 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364567

( 912 ) 高速写入相变存储器及其高速写入方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101359504

( 913 ) 高速写入相变存储器及其高速写入方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101359504

( 914 ) 高速写入相变存储器及其高速写入方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101359504

( 915 ) 导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101615655

( 916 ) 导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101615655

( 917 ) 导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101615655

( 918 ) 相变存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100570747

( 919 ) 相变存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100570747

( 920 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101604666

( 921 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101604666

( 922 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101604666

( 923 ) 相变存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100570747

( 924 ) 相变存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100570747

( 925 ) 一种硅溶胶晶种的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101597066

( 926 ) 一种硅溶胶晶种的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101597066

( 927 ) 一种硅溶胶晶种的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101597066

( 928 ) 用于相变存储器的过渡层, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100565955

( 929 ) 用于相变存储器的过渡层, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100565955

( 930 ) 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101593765

( 931 ) 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101593765

( 932 ) 用于相变存储器的过渡层, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100565955

( 933 ) 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101593765

( 934 ) 用于相变存储器的过渡层, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100565955

( 935 ) 相变存储器加热电极的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567420

( 936 ) 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567421

( 937 ) 相变存储器加热电极的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567420

( 938 ) 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567421

( 939 ) 相变存储器加热电极的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567420

( 940 ) 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567421

( 941 ) 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100553005

( 942 ) 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100553005

( 943 ) 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100553005

( 944 ) 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100553005

( 945 ) 一种应用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100547396

( 946 ) 一种应用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100547396

( 947 ) 一种应用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100547396

( 948 ) 相变存储单元的读写驱动电路, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101552603

( 949 ) 相变存储单元的读写驱动电路, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101552603

( 950 ) 一种应用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100547396

( 951 ) 相变存储单元的读写驱动电路, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101552603

( 952 ) 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546810

( 953 ) 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546810

( 954 ) 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546810

( 955 ) 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101521177

( 956 ) 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101521177

( 957 ) 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101521177

( 958 ) 多态相变存储器单元器件及制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101510584

( 959 ) 多态相变存储器单元器件及制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101510584

( 960 ) 多态相变存储器单元器件及制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101510584

( 961 ) 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504969

( 962 ) 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504969

( 963 ) 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504969

( 964 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504949

( 965 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504949

( 966 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504949

( 967 ) 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101494196

( 968 ) 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101494196

( 969 ) 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101494196

( 970 ) 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517065

( 971 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517743

( 972 ) 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517065

( 973 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517743

( 974 ) 电阻转换存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488514

( 975 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101488557

( 976 ) 高密度相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101488556

( 977 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517743

( 978 ) 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517065

( 979 ) 电阻转换存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488514

( 980 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101488557

( 981 ) 电阻转换存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488514

( 982 ) 高密度相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101488556

( 983 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101488557

( 984 ) 高密度相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101488556

( 985 ) 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517065

( 986 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517743

( 987 ) 制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101483220

( 988 ) 制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101483220

( 989 ) 制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101483220

( 990 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101477987

( 991 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101477987

( 992 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101477987

( 993 ) 相变存储器单元器件的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100508235

( 994 ) 相变存储器单元器件的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100508235

( 995 ) 相变存储器单元器件的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100508235

( 996 ) 相变存储器单元器件的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100508235

( 997 ) 一种水玻璃的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462728

( 998 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462729

( 999 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101465324

( 1000 ) 超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462730

( 1001 ) 一种水玻璃的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462728

( 1002 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462729

( 1003 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101465324

( 1004 ) 超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462730

( 1005 ) 一种水玻璃的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462728

( 1006 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462729

( 1007 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101465324

( 1008 ) 超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462730

( 1009 ) 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101459129

( 1010 ) 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101459129

( 1011 ) 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101459129

( 1012 ) 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100492695

( 1013 ) 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100492695

( 1014 ) 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100492695

( 1015 ) 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100492695

( 1016 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436607

( 1017 ) 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436614

( 1018 ) 相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101436570

( 1019 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436607

( 1020 ) 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436614

( 1021 ) 相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101436570

( 1022 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436607

( 1023 ) 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436614

( 1024 ) 相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101436570

( 1025 ) 一种电阻转换存储单元及其方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101430930

( 1026 ) 一种电阻转换存储单元及其方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101430930

( 1027 ) 一种电阻转换存储单元及其方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101430930

( 1028 ) 基于SiSb复合材料的相变存储器单元, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414481

( 1029 ) 基于SiSb复合材料的相变存储器单元, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414481

( 1030 ) 基于SiSb复合材料的相变存储器单元, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414481

( 1031 ) 提升相变存储器编程速度的方法及实现方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101404179

( 1032 ) 提升相变存储器编程速度的方法及实现方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101404179

( 1033 ) 提升相变存储器编程速度的方法及实现方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101404179

( 1034 ) 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101388401

( 1035 ) 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101388401

( 1036 ) 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101388401

( 1037 ) 含锑材料作为电阻转换存储材料的应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101383398

( 1038 ) 含锑材料作为电阻转换存储材料的应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101383398

( 1039 ) 含锑材料作为电阻转换存储材料的应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101383398

( 1040 ) 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101372560

( 1041 ) 硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101372606

( 1042 ) 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101372560

( 1043 ) 硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101372606

( 1044 ) 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101372560

( 1045 ) 硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101372606

( 1046 ) 基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461485

( 1047 ) 电可再编程熔丝器件, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101364588

( 1048 ) 减小相变存储器加热电极面积的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100461483

( 1049 ) 基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461485

( 1050 ) 减小相变存储器加热电极面积的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100461483

( 1051 ) 基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461485

( 1052 ) 减小相变存储器加热电极面积的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100461483

( 1053 ) 基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100461485

( 1054 ) 减小相变存储器加热电极面积的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100461483

( 1055 ) 电可再编程熔丝器件, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101364588

( 1056 ) 电可再编程熔丝器件, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101364588

( 1057 ) 一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101350360

( 1058 ) 一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101350360

( 1059 ) 一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101350360

( 1060 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101339921

( 1061 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101339921

( 1062 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101339921

( 1063 ) 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329909

( 1064 ) 非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329906

( 1065 ) 一种新型存储系统, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329894

( 1066 ) 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329909

( 1067 ) 非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329906

( 1068 ) 一种新型存储系统, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329894

( 1069 ) 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329909

( 1070 ) 非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329906

( 1071 ) 一种新型存储系统, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329894

( 1072 ) 动态相变存储器, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315811

( 1073 ) 动态相变存储器, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315811

( 1074 ) 动态相变存储器, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315811

( 1075 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101299454

( 1076 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101299454

( 1077 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101299454

( 1078 ) 相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101281790

( 1079 ) 相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101281790

( 1080 ) 相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101281790

( 1081 ) 相变存储器单元器件的结构的改进, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101267016

( 1082 ) 相变存储器单元器件的结构的改进, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101267016

( 1083 ) 相变存储器单元器件的结构的改进, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101267016

( 1084 ) 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101241967

( 1085 ) 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101241967

( 1086 ) 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101241967

( 1087 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174640

( 1088 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174640

( 1089 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174640

( 1090 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174640

( 1091 ) 最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100373259

( 1092 ) 最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100373259

( 1093 ) 最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100373259

( 1094 ) 最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100373259

( 1095 ) 一种可再编程的激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335258

( 1096 ) 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335328

( 1097 ) 控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101335327

( 1098 ) 一种可再编程的激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335258

( 1099 ) 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335328

( 1100 ) 控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101335327

( 1101 ) 一种可再编程的激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335258

( 1102 ) 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335328

( 1103 ) 控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101335327

( 1104 ) 高速互补单元相变存储器, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329908

( 1105 ) 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329907

( 1106 ) 高速互补单元相变存储器, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329908

( 1107 ) 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329907

( 1108 ) 高速互补单元相变存储器, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329908

( 1109 ) 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329907

( 1110 ) 高速互补单元相变存储器, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329908

( 1111 ) 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329907

( 1112 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101325154

( 1113 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101325154

( 1114 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101325154

( 1115 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101325154

( 1116 ) 一种存储介质材料, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315970

( 1117 ) 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100440535

( 1118 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100440513

( 1119 ) 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100440535

( 1120 ) 一种存储介质材料, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315970

( 1121 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100440513

( 1122 ) 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100440535

( 1123 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100440513

( 1124 ) 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100440535

( 1125 ) 一种存储介质材料, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315970

( 1126 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100440513

( 1127 ) 一种存储介质材料, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315970

( 1128 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101299453

( 1129 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101299453

( 1130 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101299453

( 1131 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101299453

( 1132 ) 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286364

( 1133 ) 相变存储器驱动电路, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286363

( 1134 ) 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286364

( 1135 ) 相变存储器驱动电路, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286363

( 1136 ) 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286364

( 1137 ) 相变存储器驱动电路, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286363

( 1138 ) 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286364

( 1139 ) 相变存储器驱动电路, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286363

( 1140 ) 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100423232

( 1141 ) 一种制备相变存储器纳米加热电极的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423231

( 1142 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423265

( 1143 ) 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100423232

( 1144 ) 一种制备相变存储器纳米加热电极的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423231

( 1145 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423265

( 1146 ) 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100423232

( 1147 ) 一种制备相变存储器纳米加热电极的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423231

( 1148 ) 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100423232

( 1149 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423265

( 1150 ) 一种制备相变存储器纳米加热电极的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423231

( 1151 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423265

( 1152 ) 一种管状相变存储器单元结构及制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101267017

( 1153 ) 一种管状相变存储器单元结构及制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101267017

( 1154 ) 一种管状相变存储器单元结构及制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101267017

( 1155 ) 一种管状相变存储器单元结构及制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101267017

( 1156 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262004

( 1157 ) 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262005

( 1158 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262004

( 1159 ) 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262005

( 1160 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262004

( 1161 ) 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262005

( 1162 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262004

( 1163 ) 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262005

( 1164 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101236780

( 1165 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101236780

( 1166 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101236780

( 1167 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101236780

( 1168 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232037

( 1169 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232038

( 1170 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232037

( 1171 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232038

( 1172 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232037

( 1173 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232038

( 1174 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232037

( 1175 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232038

( 1176 ) 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101226990

( 1177 ) 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101226990

( 1178 ) 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101226990

( 1179 ) 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101226990

( 1180 ) 一种纳米相变存储器器件单元的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397561

( 1181 ) 可逆相变材料电性能的表征方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100397676

( 1182 ) 一种减小相变存储器写入电流的单元结构及改进方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397675

( 1183 ) 一种纳米相变存储器器件单元的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397561

( 1184 ) 可逆相变材料电性能的表征方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100397676

( 1185 ) 一种减小相变存储器写入电流的单元结构及改进方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397675

( 1186 ) 一种纳米相变存储器器件单元的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397561

( 1187 ) 可逆相变材料电性能的表征方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100397676

( 1188 ) 一种减小相变存储器写入电流的单元结构及改进方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397675

( 1189 ) 一种纳米相变存储器器件单元的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397561

( 1190 ) 可逆相变材料电性能的表征方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100397676

( 1191 ) 一种减小相变存储器写入电流的单元结构及改进方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397675

( 1192 ) 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100383994

( 1193 ) 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100383994

( 1194 ) 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100383994

( 1195 ) 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100383994

( 1196 ) 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356607

( 1197 ) 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100356567

( 1198 ) 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356606

( 1199 ) 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356607

( 1200 ) 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100356567

( 1201 ) 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356606

( 1202 ) 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356607

( 1203 ) 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356607

( 1204 ) 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100356567

( 1205 ) 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356606

( 1206 ) 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100356567

( 1207 ) 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356606

( 1208 ) 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071843

( 1209 ) 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071843

( 1210 ) 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071843

( 1211 ) 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071843

( 1212 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101049934

( 1213 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101049934

( 1214 ) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100342550

( 1215 ) 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100342562

( 1216 ) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100342550

( 1217 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101049934

( 1218 ) 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100342562

( 1219 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101049934

( 1220 ) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100342550

( 1221 ) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100342550

( 1222 ) 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100342562

( 1223 ) 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100342562

( 1224 ) 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100335581

( 1225 ) 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100335581

( 1226 ) 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100335581

( 1227 ) 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100335581

( 1228 ) 可用于相变存储器多级存储的相变材料, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1326137

( 1229 ) 可用于相变存储器多级存储的相变材料, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1326137

( 1230 ) 可用于相变存储器多级存储的相变材料, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1326137

( 1231 ) 可用于相变存储器多级存储的相变材料, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1326137

( 1232 ) 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1314974

( 1233 ) 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1314974

( 1234 ) 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1314974

( 1235 ) 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1314974

( 1236 ) 用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1953229

( 1237 ) 用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1953229

( 1238 ) 用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1953229

( 1239 ) 用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1953229

( 1240 ) 金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1915595

( 1241 ) 金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1915595

( 1242 ) 金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1915595

( 1243 ) 金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1915595

( 1244 ) 电子束曝光中套刻工艺的实现方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1912747

( 1245 ) 电子束曝光中套刻工艺的实现方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1912747

( 1246 ) 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1300271

( 1247 ) 一种纳电子相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1300839

( 1248 ) 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1300271

( 1249 ) 一种纳电子相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1300839

( 1250 ) 电子束曝光中套刻工艺的实现方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1912747

( 1251 ) 电子束曝光中套刻工艺的实现方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1912747

( 1252 ) 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1300271

( 1253 ) 一种纳电子相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1300839

( 1254 ) 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1300271

( 1255 ) 一种纳电子相变存储器的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1300839

( 1256 ) 相变存储器器件单元测试系统及测试方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1905077

( 1257 ) 相变存储器器件单元测试系统及测试方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1905077

( 1258 ) 相变存储器器件单元测试系统及测试方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1905077

( 1259 ) 相变存储器器件单元测试系统及测试方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1905077

( 1260 ) 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1845339

( 1261 ) 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1845339

( 1262 ) 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1845339

( 1263 ) 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1845339

( 1264 ) 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1290962

( 1265 ) 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1290962

( 1266 ) 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1290962

( 1267 ) 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1290962

( 1268 ) 相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1877743

( 1269 ) 相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1877743

( 1270 ) 相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1877743

( 1271 ) 相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1877743

( 1272 ) 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1832050

( 1273 ) 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1832050

( 1274 ) 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1832050

( 1275 ) 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1832050

( 1276 ) 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1825649

( 1277 ) 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1825649

( 1278 ) 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1825649

( 1279 ) 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1825649

( 1280 ) 一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1271423

( 1281 ) 一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1271423

( 1282 ) 一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1271423

( 1283 ) 一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1271423

( 1284 ) 纳电子相变存储器器件单元的制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1779947

( 1285 ) 纳电子相变存储器器件单元的制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1779947

( 1286 ) 纳电子相变存储器器件单元的制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1779947

( 1287 ) 纳电子相变存储器器件单元的制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1779947

( 1288 ) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1731567

( 1289 ) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1731567

( 1290 ) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1731567

( 1291 ) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1731567

( 1292 ) 高容量锂离子电池阳极材料及制备方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1667856

( 1293 ) 高容量锂离子电池阳极材料及制备方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1667856

( 1294 ) 高容量锂离子电池阳极材料及制备方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1667856

( 1295 ) 高容量锂离子电池阳极材料及制备方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1667856

( 1296 ) 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1610114

( 1297 ) 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1610114

( 1298 ) 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1610114

( 1299 ) 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1610114

( 1300 ) 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN1170175

( 1301 ) 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN1170175

( 1302 ) 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN1170175

( 1303 ) 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN1170175

出版信息

   
发表论文
(1) WN coating of TiN electrode to improve the reliability of phase change memory, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 第 5 作者
(2) WN coating of TiN electrode to improve the reliability of phase change memory, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 第 5 作者
(3) The enhanced performance of a Si-As-Se ovonic threshold switching selector, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 通讯作者
(4) Characteristic of As3Se4-based ovonic threshold switching device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
(5) 连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响, Impact of Continuous RESET/SET Operations on Endurance Characteristic of Phase Change Memory, 上海交通大学学报, 2021, 第 9 作者
(6) AlSc Alloy Doped Sb2Te as High Speed Phase-Change Material with Excellent Thermal Stability and Ultralow Density Change, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 4 作者
(7) Microstructure and bending piezoelectric characteristics of AlN film for high-frequency flexible SAW devices, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 10 作者
(8) Three-dimensional perovskite nanowire array-based ultrafast resistive RAM with ultralong data retention, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 9 作者
(9) Phase change of Ge2Sb2Te5 under terahertz laser illumination, APL MATERIALS, 2021, 第 6 作者
(10) 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip, NANOSCALE, 2021, 通讯作者
(11) Reversible switching in bicontinuous structure for phase change random access memory application, NANOSCALE, 2021, 第 3 作者
(12) Extended endurance performance and reduced threshold voltage by doping Si in GeSe-based ovonic threshold switching selectors, THIN SOLID FILMS, 2021, 通讯作者
(13) Phase-change memory based on matched Ge-Te, Sb-Te, and In-Te octahedrons: Improved electrical performances and robust thermal stability, INFOMAT, 2021, 通讯作者
(14) Wafer-scale MoS2 for P-type field effect transistor arrays and defects-related electrical characteristics, THIN SOLID FILMS, 2021, 第 8 作者
(15) Ta-doped Ge5Sb95 phase change thin films for high speed and low power application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2021, 第 5 作者
(16) Improvement of Resistive Switching Performance in Sulfur-Doped HfOx-Based RRAM, MATERIALS, 2021, 第 6 作者
(17) Linearity improvement of HfOx-based memristor with multilayer structure, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 6 作者
(18) 基于相位划分的下肢连续运动预测, Continuous kinematics prediction of lower limbs based on phase division, 浙江大学学报:工学版, 2021, 第 6 作者
(19) The "gene" of reversible phase transformation of phase change materials: Octahedral motif, NANO RESEARCH, 2021, 通讯作者
(20) Rhenium doped Sb2Te phase change material with ultrahigh thermal stability and high speed, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 5 作者
(21) Valence Band Structure of Chalcogenide Obtained by X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Etching Technique, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2021, 第 6 作者
(22) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 10 作者
(23) Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint (vol 14, pg 232, 2021), NANO RESEARCH, 2021, 通讯作者
(24) Crystallization characteristic and structure of hafnium addition in germanium antimony thin films for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 6 作者
(25) Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint, Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint, NANO RESEARCH, 2021, 通讯作者
(26) 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip (Mar, 10.1039/d1nr00100k, 2021), NANOSCALE, 2021, 通讯作者
(27) MPPT Circuit Using Time Exponential Rate Perturbation and Observation for Enhanced Tracking Efficiency for a Wide Resistance Range of Thermoelectric Generator, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 6 作者
(28) Oxygen Vacancy-Dependent Synaptic Dynamic Behavior of TiOx-Based Transparent Memristor, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 8 作者
(29) Ta-Doped Sb2Te Allows Ultrafast Phase-Change Memory with Excellent High-Temperature Operation Characteristics, NANO-MICRO LETTERS, 2021, 第 5 作者
(30) Scalability of Sulfur-Based Ovonic Threshold Selectors for 3D Stackable Memory Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 第 4 作者
(31) Chemical Mechanical Polishing of TiN Film with Potassium Permanganate and L-Aspartic Acid in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 6 作者
(32) High Thermal Stability and Fast Speed Phase Change Memory by Optimizing GeTe Alloys with Ru Doping, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(33) Transparent HfOx-based memristor with robust flexibility and synapse characteristics by interfacial control of oxygen vacancies movement, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 8 作者
(34) Effect of Diethanolamine as Corrosion Inhibitor for the Chemical Mechanical Polishing of Cobalt in H2O2 Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(35) Universal memory based on phase-change materials:From phase-change random access memory to optoelectronic hybrid storage, Universal memory based on phase-change materials: From phase-change random access memory to optoelectronic hybrid storage*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 8 作者
(36) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 3 作者
(37) Phase Change Random Access Memory for Neuro-Inspired Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
(38) A Synaptic Transistor Based on Monolayer Monocrystalline-MoS2 for Neuromorphic Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 第 9 作者
(39) Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing, Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 7 作者
(40) Designing artificial carbon clusters using Ge2Sb2Te5/C superlattice-like structure for phase change applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 4 作者
(41) The enhanced performance of a Si-As-Se ovonic threshold switching selector, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 通讯作者
(42) Characteristic of As3Se4-based ovonic threshold switching device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
(43) 连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响, Impact of Continuous RESET/SET Operations on Endurance Characteristic of Phase Change Memory, 上海交通大学学报, 2021, 第 9 作者
(44) AlSc Alloy Doped Sb2Te as High Speed Phase-Change Material with Excellent Thermal Stability and Ultralow Density Change, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 4 作者
(45) Microstructure and bending piezoelectric characteristics of AlN film for high-frequency flexible SAW devices, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 10 作者
(46) Three-dimensional perovskite nanowire array-based ultrafast resistive RAM with ultralong data retention, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 9 作者
(47) Phase change of Ge2Sb2Te5 under terahertz laser illumination, APL MATERIALS, 2021, 第 6 作者
(48) 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip, NANOSCALE, 2021, 通讯作者
(49) Reversible switching in bicontinuous structure for phase change random access memory application, NANOSCALE, 2021, 第 3 作者
(50) Extended endurance performance and reduced threshold voltage by doping Si in GeSe-based ovonic threshold switching selectors, THIN SOLID FILMS, 2021, 通讯作者
(51) Phase-change memory based on matched Ge-Te, Sb-Te, and In-Te octahedrons: Improved electrical performances and robust thermal stability, INFOMAT, 2021, 通讯作者
(52) Wafer-scale MoS2 for P-type field effect transistor arrays and defects-related electrical characteristics, THIN SOLID FILMS, 2021, 第 8 作者
(53) Ta-doped Ge5Sb95 phase change thin films for high speed and low power application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2021, 第 5 作者
(54) Improvement of Resistive Switching Performance in Sulfur-Doped HfOx-Based RRAM, MATERIALS, 2021, 第 6 作者
(55) Linearity improvement of HfOx-based memristor with multilayer structure, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 6 作者
(56) 基于相位划分的下肢连续运动预测, Continuous kinematics prediction of lower limbs based on phase division, 浙江大学学报:工学版, 2021, 第 6 作者
(57) The "gene" of reversible phase transformation of phase change materials: Octahedral motif, NANO RESEARCH, 2021, 通讯作者
(58) Rhenium doped Sb2Te phase change material with ultrahigh thermal stability and high speed, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 5 作者
(59) Valence Band Structure of Chalcogenide Obtained by X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Etching Technique, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2021, 第 6 作者
(60) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 10 作者
(61) Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint (vol 14, pg 232, 2021), NANO RESEARCH, 2021, 通讯作者
(62) Crystallization characteristic and structure of hafnium addition in germanium antimony thin films for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 6 作者
(63) Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint, Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint, NANO RESEARCH, 2021, 通讯作者
(64) 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip (Mar, 10.1039/d1nr00100k, 2021), NANOSCALE, 2021, 通讯作者
(65) MPPT Circuit Using Time Exponential Rate Perturbation and Observation for Enhanced Tracking Efficiency for a Wide Resistance Range of Thermoelectric Generator, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 6 作者
(66) Oxygen Vacancy-Dependent Synaptic Dynamic Behavior of TiOx-Based Transparent Memristor, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 8 作者
(67) Ta-Doped Sb2Te Allows Ultrafast Phase-Change Memory with Excellent High-Temperature Operation Characteristics, NANO-MICRO LETTERS, 2021, 第 5 作者
(68) Scalability of Sulfur-Based Ovonic Threshold Selectors for 3D Stackable Memory Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 第 4 作者
(69) Chemical Mechanical Polishing of TiN Film with Potassium Permanganate and L-Aspartic Acid in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 6 作者
(70) High Thermal Stability and Fast Speed Phase Change Memory by Optimizing GeTe Alloys with Ru Doping, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(71) Transparent HfOx-based memristor with robust flexibility and synapse characteristics by interfacial control of oxygen vacancies movement, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 8 作者
(72) Effect of Diethanolamine as Corrosion Inhibitor for the Chemical Mechanical Polishing of Cobalt in H2O2 Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(73) Universal memory based on phase-change materials:From phase-change random access memory to optoelectronic hybrid storage, Universal memory based on phase-change materials: From phase-change random access memory to optoelectronic hybrid storage*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 8 作者
(74) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 3 作者
(75) Phase Change Random Access Memory for Neuro-Inspired Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
(76) A Synaptic Transistor Based on Monolayer Monocrystalline-MoS2 for Neuromorphic Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 第 9 作者
(77) Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing, Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 7 作者
(78) Designing artificial carbon clusters using Ge2Sb2Te5/C superlattice-like structure for phase change applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 4 作者
(79) FPGA-Enhanced Data Processing System Using PCM Technology, FPGA-Enhanced Data Processing System Using PCM Technology, CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2020, 第 5 作者
(80) Reversible phase-change characteristics and structural origin in Cr doped Ge2Sb2Te5 thin films, THIN SOLID FILMS, 2020, 第 4 作者
(81) Improved thermal stability and fast phase change speed of Y-doped Sb7Se3 thin film for phase change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 8 作者
(82) Optimization of driving current and crosstalk effect in epitaxial diode array for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(83) Toward a Reliable Synaptic Simulation Using Al-Doped HfO2 RRAM, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 10 作者
(84) Improving the performance of phase-change memory by grain refinement, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
(85) Designing High-Performance Storage in HfO2/BiFeO3 Memristor for Artificial Synapse Applications, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 10 作者
(86) Thermally stable tungsten and titanium doped antimony tellurium films for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者
(87) 基于新型非易失内存的远程零拷贝文件系统, A novel remote zero-copy file system based on non-volatile memory, 国防科技大学学报, 2020, 第 7 作者
(88) 硅溶胶的有机改性及应用, Organic modification and application of silica sol, 应用化工, 2020, 第 5 作者
(89) Zn-doped Sb70Se30 thin films with multiple phase transition for high storage density and low power consumption phase change memory applications, SCRIPTA MATERIALIA, 2020, 第 8 作者
(90) Investigation on thermal stability of vanadium-doped Sb2Te phase change material, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(91) Largely enhanced luminescence intensity and improved optical temperature sensing properties in CaWO 4 –La 2 (WO 4 ) 3 : Er 3+ , Yb 3+ via regulating cations composition, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者
(92) Reactive ion etching of Cr-doped Sb2Te3 phase change materials in CHF3/O2 gas, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 第 8 作者
(93) Ultralow power switching of Ta2O5/AlO(X)bilayer synergistic resistive random access memory, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 7 作者
(94) Phase change memory based on Ta–Sb–Te alloy –Towards a universal memory, MATERIALS TODAY PHYSICS, 2020, 通讯作者
(95) Ultrahigh drive current and large selectivity in GeS selector, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 通讯作者
(96) Microscopic Mechanism of Carbon-Dopant Manipulating Device Performance in CGeSbTe-Based Phase Change Random Access Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 通讯作者
(97) Reliable resistive switching of epitaxial single crystalline cubic Y-HfO2 RRAMs with Si as bottom electrodes, NANOTECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(98) The optimization effect of titanium on the phase change properties of SnSb4 thin films for phase change memory applications, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者
(99) Investigation of Effect of L-Aspartic Acid and H2O2 for Cobalt Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 6 作者
(100) Breakthrough in high ON-state current based on Ag-GeTe8 selectors, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 通讯作者
(101) FPGA-Enhanced Data Processing System Using PCM Technology, FPGA-Enhanced Data Processing System Using PCM Technology, CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2020, 第 5 作者
(102) Review on modeling and application of chemical mechanical polishing, NANOTECHNOLOGY REVIEWS, 2020, 第 7 作者
(103) Reversible phase-change characteristics and structural origin in Cr doped Ge2Sb2Te5 thin films, THIN SOLID FILMS, 2020, 第 4 作者
(104) Improved thermal stability and fast phase change speed of Y-doped Sb7Se3 thin film for phase change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 8 作者
(105) An Optimized Fast Stair-case Set Pulse with Variable Width for Phase Change Random Access Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(106) Optimization of driving current and crosstalk effect in epitaxial diode array for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(107) Toward a Reliable Synaptic Simulation Using Al-Doped HfO2 RRAM, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 10 作者
(108) A self-start circuit with asymmetric inductors reconfigurable technology for dual-output boost converter for energy harvesting, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 第 10 作者
(109) Improving the performance of phase-change memory by grain refinement, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
(110) The effect of thickness on texture of Ge2Sb2Te5 phase-change films, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 9 作者
(111) Designing High-Performance Storage in HfO2/BiFeO3 Memristor for Artificial Synapse Applications, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 10 作者
(112) Thermally stable tungsten and titanium doped antimony tellurium films for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者
(113) Dynamic evolution of thermally induced element distribution in nitrogen modified phase change materials, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 7 作者
(114) 基于新型非易失内存的远程零拷贝文件系统, A novel remote zero-copy file system based on non-volatile memory, 国防科技大学学报, 2020, 第 7 作者
(115) High thermal stability and fast operation speed phase-change memory devices containing Hf-doped Ge2Sb2Te5 films, MATERIALS LETTERS, 2020, 第 6 作者
(116) 硅溶胶的有机改性及应用, Organic modification and application of silica sol, 应用化工, 2020, 第 5 作者
(117) Zn-doped Sb70Se30 thin films with multiple phase transition for high storage density and low power consumption phase change memory applications, SCRIPTA MATERIALIA, 2020, 第 8 作者
(118) Investigation on thermal stability of vanadium-doped Sb2Te phase change material, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(119) Effect of V2O5 interlayers in V2O5/Ge8Sb92 superlattice-like film on thermal stability and size scaling, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者
(120) Largely enhanced luminescence intensity and improved optical temperature sensing properties in CaWO 4 –La 2 (WO 4 ) 3 : Er 3+ , Yb 3+ via regulating cations composition, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者
(121) Reactive ion etching of Cr-doped Sb2Te3 phase change materials in CHF3/O2 gas, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 第 8 作者
(122) Study on the Performance of Superlattice-Like Thin Film V2O5/Sb in Phase Change Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 7 作者
(123) Ultralow power switching of Ta2O5/AlO(X)bilayer synergistic resistive random access memory, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 7 作者
(124) 3A New High Selectivity Acidic Slurry for Chemical Mechanical Planarizationof Carbon-Doped Ge(2)Sb(2)Te(5)Film, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者
(125) Phase change memory based on Ta–Sb–Te alloy –Towards a universal memory, MATERIALS TODAY PHYSICS, 2020, 通讯作者
(126) The crystallization mechanism of zirconium-doped Sb2Te3 material for phase-change random-access memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者
(127) Ultrahigh drive current and large selectivity in GeS selector, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 通讯作者
(128) Microscopic Mechanism of Carbon-Dopant Manipulating Device Performance in CGeSbTe-Based Phase Change Random Access Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 通讯作者
(129) Reliable resistive switching of epitaxial single crystalline cubic Y-HfO2 RRAMs with Si as bottom electrodes, NANOTECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(130) Y-Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials: Toward a Universal Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 7 作者
(131) Breakthrough in high ON-state current based on Ag-GeTe8 selectors, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 通讯作者
(132) Fast and scalable phase change materials Ti-Sb-Te deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 3 作者
(133) Review on modeling and application of chemical mechanical polishing, NANOTECHNOLOGY REVIEWS, 2020, 第 7 作者
(134) An Optimized Fast Stair-case Set Pulse with Variable Width for Phase Change Random Access Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(135) A self-start circuit with asymmetric inductors reconfigurable technology for dual-output boost converter for energy harvesting, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 第 10 作者
(136) High Removal Rate Cobalt Slurry with Glutathione on Chemical Mechanical Polishing in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 5 作者
(137) The effect of thickness on texture of Ge2Sb2Te5 phase-change films, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 9 作者
(138) Dynamic evolution of thermally induced element distribution in nitrogen modified phase change materials, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 7 作者
(139) Investigation of crystallization behavior and structure of nanocomposite multilayer phase change thin films with zinc antimony and germanium antimony, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
(140) High thermal stability and fast operation speed phase-change memory devices containing Hf-doped Ge2Sb2Te5 films, MATERIALS LETTERS, 2020, 第 6 作者
(141) The etching process and mechanism analysis of Ta-Sb2Te3 film based on inductively coupled plasma, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2020, 第 5 作者
(142) Effect of V2O5 interlayers in V2O5/Ge8Sb92 superlattice-like film on thermal stability and size scaling, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者
(143) Study on the Performance of Superlattice-Like Thin Film V2O5/Sb in Phase Change Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 7 作者
(144) Crystal-Like Glassy Structure in Sc-Doped BiSbTe Ensuring Excellent Speed and Power Efficiency in Phase Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 7 作者
(145) 3A New High Selectivity Acidic Slurry for Chemical Mechanical Planarizationof Carbon-Doped Ge(2)Sb(2)Te(5)Film, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者
(146) Endurance Improvement of Phase Change Memory Based on High and Narrow RESET Currents, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第11作者
(147) The crystallization mechanism of zirconium-doped Sb2Te3 material for phase-change random-access memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者
(148) Y-Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials: Toward a Universal Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 7 作者
(149) Chemical Mechanical Planarization of Carbon-Doped Amorphous Ge2Sb2Te5 Film with Hydrogen Peroxide as Oxidizer in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者
(150) Fast and scalable phase change materials Ti-Sb-Te deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 3 作者
(151) High Removal Rate Cobalt Slurry with Glutathione on Chemical Mechanical Polishing in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 5 作者
(152) BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2020, 第 9 作者
(153) Investigation of crystallization behavior and structure of nanocomposite multilayer phase change thin films with zinc antimony and germanium antimony, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
(154) The etching process and mechanism analysis of Ta-Sb2Te3 film based on inductively coupled plasma, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2020, 第 5 作者
(155) Crystal-Like Glassy Structure in Sc-Doped BiSbTe Ensuring Excellent Speed and Power Efficiency in Phase Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 7 作者
(156) Endurance Improvement of Phase Change Memory Based on High and Narrow RESET Currents, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第11作者
(157) Chemical Mechanical Planarization of Carbon-Doped Amorphous Ge2Sb2Te5 Film with Hydrogen Peroxide as Oxidizer in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者
(158) BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2020, 第 9 作者
(159) The optimization effect of titanium on the phase change properties of SnSb4 thin films for phase change memory applications, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者
(160) Investigation of Effect of L-Aspartic Acid and H2O2 for Cobalt Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 6 作者
(161) Transition Metal Doping of Phase Change Materials: Atomic Arrangement of Cr-Doped Ge2Sb2Te5, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 第 6 作者
(162) High thermal stability and fast speed phase change memory by optimizing GeSbTe with Scandium doping, SCRIPTA MATERIALIA, 2019, 第 10 作者
(163) Flexible HfO2/Graphene Oxide Selector With Fast Switching and High Endurance, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 第 10 作者
(164) Subsequent set pulse impacts on set resistance distribution of phase change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(165) Transition Metal Doping of Phase Change Materials: Atomic Arrangement of Cr-Doped Ge2Sb2Te5, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 第 6 作者
(166) High thermal stability and fast speed phase change memory by optimizing GeSbTe with Scandium doping, SCRIPTA MATERIALIA, 2019, 第 10 作者
(167) The investigations of characteristics of GeSe thin films and selector devices for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
(168) Flexible HfO2/Graphene Oxide Selector With Fast Switching and High Endurance, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 第 10 作者
(169) Subsequent set pulse impacts on set resistance distribution of phase change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(170) The investigations of characteristics of GeSe thin films and selector devices for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
(171) Ultra-Long Retention and Low Power Consumption of Superlattice-Like Ge50Te50/Ge Thin Films for Phase Change Memory Application, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 8 作者
(172) Ultra-Long Retention and Low Power Consumption of Superlattice-Like Ge50Te50/Ge Thin Films for Phase Change Memory Application, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 8 作者
(173) Direct atomic insight into the role of dopants in phase-change materials, Nature Communications, 2019, 通讯作者
(174) Direct atomic insight into the role of dopants in phase-change materials, Nature Communications, 2019, 通讯作者
(175) Direct observation of partial disorder and zipperlike transition in crystalline phase change materials, PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2019, 第 7 作者
(176) Direct observation of partial disorder and zipperlike transition in crystalline phase change materials, PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2019, 第 7 作者
(177) RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第11作者
(178) RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第11作者
(179) Designing Multiple Crystallization in Superlattice-like Phase-Change Materials for Multilevel Phase-Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 通讯作者
(180) Designing Multiple Crystallization in Superlattice-like Phase-Change Materials for Multilevel Phase-Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 通讯作者
(181) Investigation on the Scaling Performances of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Random Access Memory in a 40 nm Process, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 7 作者
(182) Analysis and optimization of read/write reliability for 12F(2) cross-point ultra-fast phase change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(183) Investigation on the Scaling Performances of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Random Access Memory in a 40 nm Process, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 7 作者
(184) Insight into the role of nitrogen in the phase-change material Sb, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 第 10 作者
(185) Speeding Up the Write Operation for Multi-Level Cell Phase Change Memory with Programmable Ramp-Down Current Pulses, MICROMACHINES, 2019, 第 8 作者
(186) Analysis and optimization of read/write reliability for 12F(2) cross-point ultra-fast phase change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(187) 搭接率对送丝激光熔覆层的影响, Effect of Lapping Rate on Laser Cladding Layer of Wire Feeder, 现代制造技术与装备, 2019, 第 4 作者
(188) The phase change memory features high-temperature characteristic based on Ge-Sb-Se-Te alloys, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 8 作者
(189) Yttrium-doped Sb2Te as high speed phase-change materials with good thermal stability, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 7 作者
(190) Insight into the role of nitrogen in the phase-change material Sb, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 第 10 作者
(191) Thermal Barrier Phase Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 6 作者
(192) Speeding Up the Write Operation for Multi-Level Cell Phase Change Memory with Programmable Ramp-Down Current Pulses, MICROMACHINES, 2019, 第 8 作者
(193) Improvement of phase change speed and thermal stability in Ge5Sb95/ZnSb multilayer thin films for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 8 作者
(194) 搭接率对送丝激光熔覆层的影响, Effect of Lapping Rate on Laser Cladding Layer of Wire Feeder, 现代制造技术与装备, 2019, 第 4 作者
(195) Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 第 6 作者
(196) Dual-Functional Nonvolatile and Volatile Memory in Resistively Switching Indium Tin Oxide/HfOx Devices, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 10 作者
(197) The phase change memory features high-temperature characteristic based on Ge-Sb-Se-Te alloys, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 8 作者
(198) Layer-Switching Mechanisms in Sb2Te3, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 5 作者
(199) In-situ investigation on the crystallization property and microstructure evolution induced by thermal annealing and electron beam irradiation of titanium antimony thin film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 5 作者
(200) Yttrium-doped Sb2Te as high speed phase-change materials with good thermal stability, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 7 作者
(201) Observation of van der Waals reconfiguration in superlattice phase change materials, NANOSCALE, 2019, 第 6 作者
(202) 一种基于相变存储器的高速读出电路设计, A High-Speed Read Circuit for Phase-Change Random-Access Memory, 上海交通大学学报, 2019, 第 6 作者
(203) Thermal Barrier Phase Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 6 作者
(204) Improvement of phase change speed and thermal stability in Ge5Sb95/ZnSb multilayer thin films for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 8 作者
(205) High performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(206) Interface-engineered reliable HfO2-based RRAM for synaptic simulation (vol 7, pg 12682, 2019), JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第11作者
(207) Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 第 6 作者
(208) Electrical switching properties and structural characteristics of GeSe-GeTe films, NANOSCALE, 2019, 通讯作者
(209) Enhancing the Performance of Phase Change Memory for Embedded Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 通讯作者
(210) Dual-Functional Nonvolatile and Volatile Memory in Resistively Switching Indium Tin Oxide/HfOx Devices, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 10 作者
(211) Reducing structural change in the phase transition of Ge-doped Bi0.5Sb1.5Te3 to enable high-speed and low-energy memory switching, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第 6 作者
(212) Sb-rich CuSbTe material: A candidate for high-speed and high-density phase change memory application, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 6 作者
(213) Subsystem under 3D-Storage Class Memory on a chip, COMPUTERS & ELECTRICAL ENGINEERING, 2019, 第 6 作者
(214) Layer-Switching Mechanisms in Sb2Te3, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 5 作者
(215) First Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Random Access Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(216) Constructing reliable PCM and OTS devices with an interfacial carbon layer, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 6 作者
(217) In-situ investigation on the crystallization property and microstructure evolution induced by thermal annealing and electron beam irradiation of titanium antimony thin film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 5 作者
(218) Interface-engineered reliable HfO2-based RRAM for synaptic simulation, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第11作者
(219) SbSe/ZnSb stacked thin films with multi-level phase transition for high density phase change memory applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 7 作者
(220) Direct atomic identification of cation migration induced gradual cubic-to-hexagonal phase transition in Ge2Sb2Te5, COMMUNICATIONS CHEMISTRY, 2019, 通讯作者
(221) Observation of van der Waals reconfiguration in superlattice phase change materials, NANOSCALE, 2019, 第 6 作者
(222) The impact of vacancies on the stability of cubic phases in Sb-Te binary compounds, NPG ASIA MATERIALS, 2019, 通讯作者
(223) Increasing Trapped Carrier Density in Nanoscale GeSeAs Films by As Ion Implantation for Selector Devices in 3D-Stacking Memory, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2019, 通讯作者
(224) 一种基于相变存储器的高速读出电路设计, A High-Speed Read Circuit for Phase-Change Random-Access Memory, 上海交通大学学报, 2019, 第 6 作者
(225) Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION, 2019, 第 4 作者
(226) Structure-induced superhydrophilicity of silica membranes through hybridization and self-assembly of different dispersed nanoparticles, JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, 2019, 第 7 作者
(227) High performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(228) Atomic-Scale Observation of Carbon Distribution in High-Performance Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 and Its Influence on Crystallization Behavior, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 第 4 作者
(229) Sc-Centered Octahedron Enables High-Speed Phase Change Memory with Improved Data Retention and Reduced Power Consumption, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 10 作者
(230) Interface-engineered reliable HfO2-based RRAM for synaptic simulation (vol 7, pg 12682, 2019), JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第11作者
(231) Heterogeneous nucleus-induced crystallization for high-speed phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 8 作者
(232) Ovonic threshold switching selectors for three-dimensional stackable phase-change memory, MRS BULLETIN, 2019, 第 3 作者
(233) Electrical switching properties and structural characteristics of GeSe-GeTe films, NANOSCALE, 2019, 通讯作者
(234) Enhancing the Performance of Phase Change Memory for Embedded Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 通讯作者
(235) Reducing structural change in the phase transition of Ge-doped Bi0.5Sb1.5Te3 to enable high-speed and low-energy memory switching, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第 6 作者
(236) Sb-rich CuSbTe material: A candidate for high-speed and high-density phase change memory application, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 6 作者
(237) Subsystem under 3D-Storage Class Memory on a chip, COMPUTERS & ELECTRICAL ENGINEERING, 2019, 第 6 作者
(238) First Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Random Access Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(239) Constructing reliable PCM and OTS devices with an interfacial carbon layer, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 6 作者
(240) Interface-engineered reliable HfO2-based RRAM for synaptic simulation, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第11作者
(241) SbSe/ZnSb stacked thin films with multi-level phase transition for high density phase change memory applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 7 作者
(242) Direct atomic identification of cation migration induced gradual cubic-to-hexagonal phase transition in Ge2Sb2Te5, COMMUNICATIONS CHEMISTRY, 2019, 通讯作者
(243) The impact of vacancies on the stability of cubic phases in Sb-Te binary compounds, NPG ASIA MATERIALS, 2019, 通讯作者
(244) Increasing Trapped Carrier Density in Nanoscale GeSeAs Films by As Ion Implantation for Selector Devices in 3D-Stacking Memory, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2019, 通讯作者
(245) Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION, 2019, 第 4 作者
(246) Structure-induced superhydrophilicity of silica membranes through hybridization and self-assembly of different dispersed nanoparticles, JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, 2019, 第 7 作者
(247) Atomic-Scale Observation of Carbon Distribution in High-Performance Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 and Its Influence on Crystallization Behavior, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 第 4 作者
(248) Sc-Centered Octahedron Enables High-Speed Phase Change Memory with Improved Data Retention and Reduced Power Consumption, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 10 作者
(249) Heterogeneous nucleus-induced crystallization for high-speed phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 8 作者
(250) Ovonic threshold switching selectors for three-dimensional stackable phase-change memory, MRS BULLETIN, 2019, 第 3 作者
(251) Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 8 作者
(252) Crystallization characteristic and scaling behavior of germanium antimony thin films for phase change memory, NANOSCALE, 2018, 第 6 作者
(253) A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2018, 第 7 作者
(254) High performance Al3Sc alloy doped Al3Sc-Sb2Te chalcogenides for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 第 5 作者
(255) Scandium doping brings speed improvement in Sb2Te alloy for phase change random access memory application, SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 其他(合作组作者)
(256) Ultrafast Multilevel Optical Tuning with CSb2Te3 Thin Films, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 7 作者
(257) Controlled Growth of Bilayer-MoS2 Films and MoS2-Based Field-Effect Transistor (FET) Performance Optimization, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 8 作者
(258) Simultaneous ultra-long data retention and low power based on Ge10Sb90/SiO2 multilayer thin films, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 6 作者
(259) Al-Sb-Ge phase change material: A candidate for multilevel data storage with high-data retention and fast speed, SCRIPTA MATERIALIA, 2018, 第 5 作者
(260) Effect of cerium doping on the crystallization behavior of ZnSb for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 7 作者
(261) Excellent thermal stability owing to Ge and C doping in Sb2Te-based high-speed phase-change memory, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 10 作者
(262) Carbon doping induced Ge local structure change in as-deposited Ge2Sb2Te5 film by EXAFS and Raman spectrum, AIP ADVANCES, 2018, 第 6 作者
(263) MoSbTe for high-speed and high-thermal-stability phase-change memory applications, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018, 第 4 作者
(264) Understanding the crystallization behavior and structure of titanium addition in germanium antimony phase change thin films, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 第 7 作者
(265) From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage, From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 通讯作者
(266) 一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法, An Innovative Preparation Methodology of Non-spherical Nanosize Silica Particle, 材料导报, 2018, 第 3 作者
(267) Controllable multilevel resistance state of superlattice-like GaSb/Ge2Te films for ultralong retention phase-change memory, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2018, 第 7 作者
(268) Atomic scale insight into the effects of Aluminum doped Sb-2 Te for phase change memory application, SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 第11作者
(269) GeTe/Sb4Te films: A candidate for multilevel phase change memory, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2018, 第 8 作者
(270) 送丝激光增材制造的研究进展, 中国金属通报, 2018, 第 4 作者
(271) Removing overhang and increasing atom re-deposition of sputtering to enable gap-filling scalability, SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
(272) Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application, Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 7 作者
(273) 一种采用新型逻辑算法的SAR ADC, An SAR ADC Using A New Type of Logical Algorithm, 微电子学与计算机, 2018, 第 4 作者
(274) A facile one-step approach to superhydrophilic silica film with hierarchical structure using fluoroalkylsilane, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2018, 第 8 作者
(275) Scandium doped Ge2Sb2Te5 for high-speed and low-power-consumption phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 10 作者
(276) 化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响, Effects of Chemical-mechanical Polishing Parameters on Material Removal Rate of Zirconia Ceramic, 表面技术, 2018, 第 6 作者
(277) Layer thickness dependence of the phase separation and phase change properties of Ge2Sb2Te5/TiN superlattice-like thin films, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2018, 通讯作者
(278) Improvement of thermal stability of antimony film by cerium addition for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 第 6 作者
(279) A Memory Structure with Different Control Gates, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 通讯作者
(280) Design and security evaluation of PCM-based rPUF using cyclic refreshing strategy, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 第 5 作者
(281) Effect of Ti additions on structure and phase stability of Sb2Te3 thin films by experimental and theoretical methods, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 第 5 作者
(282) Structural Evolution and Phase Change Properties of C-Doped Ge2Sb2Te5 Films During Heating in Air, Structural Evolution and Phase Change Properties of C-Doped Ge2Sb2Te5 Films During Heating in Air, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 7 作者
(283) The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 9 作者
(284) 支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统设计, Logical Circuit Accelerated Computing for Phase Change Memory Based Storage System, 上海交通大学学报, 2018, 第 5 作者
(285) SiC-Doped Ge2Sb2Te5 Phase-Change Material: A Candidate for High-Density Embedded Memory Application, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 3 作者
(286) A Changing-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Vertical RRAM, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2018, 第 8 作者
(287) A novel non-volatile memory storage system for I/O-intensive applications, A novel non-volatile memory storage system for I/O-intensive applications, FRONTIERS OF INFORMATION TECHNOLOGY & ELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 5 作者
(288) Superlattice-like Sb-Ge thin films for high thermal stability and low power phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 5 作者
(289) 相变存储器预充电读出方法, Pre-charge read scheme for phase change memory, 浙江大学学报:工学版, 2018, 第 6 作者
(290) Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 8 作者
(291) Crystallization characteristic and scaling behavior of germanium antimony thin films for phase change memory, NANOSCALE, 2018, 第 6 作者
(292) A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2018, 第 7 作者
(293) High performance Al3Sc alloy doped Al3Sc-Sb2Te chalcogenides for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 第 5 作者
(294) Scandium doping brings speed improvement in Sb2Te alloy for phase change random access memory application, SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 其他(合作组作者)
(295) Ultrafast Multilevel Optical Tuning with CSb2Te3 Thin Films, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 7 作者
(296) Controlled Growth of Bilayer-MoS2 Films and MoS2-Based Field-Effect Transistor (FET) Performance Optimization, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 8 作者
(297) Simultaneous ultra-long data retention and low power based on Ge10Sb90/SiO2 multilayer thin films, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 6 作者
(298) Al-Sb-Ge phase change material: A candidate for multilevel data storage with high-data retention and fast speed, SCRIPTA MATERIALIA, 2018, 第 5 作者
(299) Effect of cerium doping on the crystallization behavior of ZnSb for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 7 作者
(300) Excellent thermal stability owing to Ge and C doping in Sb2Te-based high-speed phase-change memory, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 10 作者
(301) Carbon doping induced Ge local structure change in as-deposited Ge2Sb2Te5 film by EXAFS and Raman spectrum, AIP ADVANCES, 2018, 第 6 作者
(302) MoSbTe for high-speed and high-thermal-stability phase-change memory applications, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018, 第 4 作者
(303) Understanding the crystallization behavior and structure of titanium addition in germanium antimony phase change thin films, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 第 7 作者
(304) From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage, From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 通讯作者
(305) 一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法, An Innovative Preparation Methodology of Non-spherical Nanosize Silica Particle, 材料导报, 2018, 第 3 作者
(306) Controllable multilevel resistance state of superlattice-like GaSb/Ge2Te films for ultralong retention phase-change memory, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2018, 第 7 作者
(307) Atomic scale insight into the effects of Aluminum doped Sb-2 Te for phase change memory application, SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 第11作者
(308) GeTe/Sb4Te films: A candidate for multilevel phase change memory, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2018, 第 8 作者
(309) 送丝激光增材制造的研究进展, 中国金属通报, 2018, 第 4 作者
(310) Removing overhang and increasing atom re-deposition of sputtering to enable gap-filling scalability, SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
(311) Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application, Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 7 作者
(312) 一种采用新型逻辑算法的SAR ADC, An SAR ADC Using A New Type of Logical Algorithm, 微电子学与计算机, 2018, 第 4 作者
(313) A facile one-step approach to superhydrophilic silica film with hierarchical structure using fluoroalkylsilane, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2018, 第 8 作者
(314) Effect of Ti additions on structure and phase stability of Sb2Te3 thin films by experimental and theoretical methods, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 第 5 作者
(315) Scandium doped Ge2Sb2Te5 for high-speed and low-power-consumption phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 10 作者
(316) 化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响, Effects of Chemical-mechanical Polishing Parameters on Material Removal Rate of Zirconia Ceramic, 表面技术, 2018, 第 6 作者
(317) Layer thickness dependence of the phase separation and phase change properties of Ge2Sb2Te5/TiN superlattice-like thin films, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2018, 通讯作者
(318) Structural Evolution and Phase Change Properties of C-Doped Ge2Sb2Te5 Films During Heating in Air, Structural Evolution and Phase Change Properties of C-Doped Ge2Sb2Te5 Films During Heating in Air, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 7 作者
(319) Improvement of thermal stability of antimony film by cerium addition for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 第 6 作者
(320) The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 9 作者
(321) A Memory Structure with Different Control Gates, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 通讯作者
(322) 支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统设计, Logical Circuit Accelerated Computing for Phase Change Memory Based Storage System, 上海交通大学学报, 2018, 第 5 作者
(323) Design and security evaluation of PCM-based rPUF using cyclic refreshing strategy, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 第 5 作者
(324) SiC-Doped Ge2Sb2Te5 Phase-Change Material: A Candidate for High-Density Embedded Memory Application, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 3 作者
(325) A Changing-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Vertical RRAM, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2018, 第 8 作者
(326) A novel non-volatile memory storage system for I/O-intensive applications, A novel non-volatile memory storage system for I/O-intensive applications, FRONTIERS OF INFORMATION TECHNOLOGY & ELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 5 作者
(327) Superlattice-like Sb-Ge thin films for high thermal stability and low power phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 5 作者
(328) 相变存储器预充电读出方法, Pre-charge read scheme for phase change memory, 浙江大学学报:工学版, 2018, 第 6 作者
(329) 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵, An Embedded On-Chip Capacitor Charge Pump for PCRAM, 微电子学, 2017, 第 7 作者
(330) 非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计, Design of Non-Volatile Synapse Array and Neuron Circuits, 微电子学与计算机, 2017, 第 5 作者
(331) O-Doped Sb70Se30 Phase-Change Materials for High Thermal Stability and Fast Speed, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第11作者
(332) Logic area reduction using the deep trench isolation technique based on 40nm embedded PCM process, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
(333) Improved thermal stability of Sb materials by SiO2 doping for ultra-fast phase change memory application, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 7 作者
(334) Improving the thermal stability and phase change speed in Sb70Se30 films through Er doping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 6 作者
(335) Simultaneously high thermal stability and ultra-fast phase change speed based on samarium-doped antimony thin films, RSC ADVANCES, 2017, 第 4 作者
(336) Superlattice-like Ga40Sb60/Sb films with ultra-high speed and low power for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 9 作者
(337) Interface effect and stress effect on Ge2Sb2Te5/Sb superlattice-like thin films, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 8 作者
(338) Nanosecond Switching in Superlattice-Like GeTe/Sb Thin Film for High Speed and Low Power Phase Change Memory Application, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(339) Set/reset reference and parasitic matching scheme to speed up PCM read operation, ELECTRONICS LETTERS, 2017, 第 8 作者
(340) Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing, SCIENCE, 2017, 通讯作者
(341) Threshold switching in SiGeAsTeN chalcogenide glass prepared by As ion implantation into sputtered SiGeTeN film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(342) Local structural characteristics of Sb2Te3 films studied by reverse Monte Carlo modeling, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2017, 第 8 作者
(343) Avalanche atomic switching in strain engineered Sb2Te3-GeTe interfacial phase-change memory cells, NANO FUTURES, 2017, 第 5 作者
(344) Multi-level storage and ultra-high speed of superlattice-like Ge50Te50/Ge8Sb92 thin film for phase-change memory application, NANOTECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(345) CAM-based retention-aware DRAM (CRA-DRAM) for refresh power reduction, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
(346) Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 8 作者
(347) Carbon layer application in phase change memory to reduce power consumption and atomic migration, MATERIALS LETTERS, 2017, 通讯作者
(348) Sb7Te3/Ge multilayer films for low power and high speed phase-change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 5 作者
(349) Nanoscale cross-point diode array accessing embedded high density PCM, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(350) 基于二极管单元的高密度掩模ROM设计, Design of High-density Mask ROM Based on Diode Cells, 电子与信息学报, 2017, 第 3 作者
(351) Optical properties of Cr-doped Sb2Te thin films during ultrafast crystallization processes, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2017, 第 8 作者
(352) The ultrafast phase-change memory with high-thermal stability based on SiC-doped antimony, SCRIPTA MATERIALIA, 2017, 第 10 作者
(353) Sb7Te3/ZnSb multilayer thin films for high thermal stability and long data retention phase-change memory, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2017, 第 5 作者
(354) Investigation on the crystallization properties and structure of oxygen-doped Ge8Sb92 phase change thin films, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 6 作者
(355) Feasibility study of current pulse induced 2-bit/4-state multilevel programming in phase-change memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 6 作者
(356) 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计, Design of Boost DC-DC Converter with Frequency Hopping at Light Load, 上海交通大学学报, 2017, 第 7 作者
(357) Capacitor-less LDR based on flipped voltage follower with dual-feedback loops, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 7 作者
(358) Programming power reduction in confined phase change memory cells with titanium dioxide clad layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 4 作者
(359) 基于反激式原边反馈控制结构的过零检测方法及实现, Zero-crossing detecting method and achievement based on primary-side controlled flyback structure, 电子设计工程, 2017, 第 6 作者
(360) Enhanced read performance for phase change memory using a reference column, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 9 作者
(361) Investigation on scalability of dual trench epitaxial diode for phase change memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 8 作者
(362) Surface Energy Driven Cubic-to-Hexagonal Grain Growth of Ge 2 Sb 2 Te 5 Thin Film, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 10 作者
(363) 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, High Speed Programmable Pulsed Current Source Based on PCM Unit Test, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 7 作者
(364) Chemical mechanical polishing of Ge2Sb2Te5 in alkaline slurry, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2017, 第 5 作者
(365) Low Power Phase Change Memory With Vertical Carbon Nanotube Electrode, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 第 8 作者
(366) Simultaneously High Thermal Stability and Low Power Based on Ti-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 6 作者
(367) The high-thermal stability and ultrafast phase change memory based on Ge1.6Te-GaSb nano-composite alloys, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 7 作者
(368) 氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质, Surface Modified Alumina Particles and Their Chemical Mechanical Polishing (CMP) Behavior on C-plane (0001) Sapphire Substrate, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2017, 第 4 作者
(369) Silicon carbide doped Sb2Te3 nanomaterial for fast-speed phase change memory, MATERIALS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(370) O-doped Sb materials for improved thermal stability and high-speed phase change memory application, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 6 作者
(371) Improvement in reliability and power consumption based on Ge10Sb90 films through erbium doping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2017, 第 8 作者
(372) Properties of Ti-Sb-Te doped with SbSe alloy for application in nonvolatile phase change memory, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 3 作者
(373) Local structural characteristics of Sb2Te3 films studied by reverse Monte Carlo modeling, Local structural characteristics of Sb2Te3 films studied by reverse Monte Carlo modeling, 核技术(英文版), 2017, 第 8 作者
(374) Recessed cell structure for high performance phase change memory, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 6 作者
(375) Enhanced 3 ' VDD-tolerant ESD clamp circuit with stacked configuration, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 10 作者
(376) Multilayer SnSb4-SbSe Thin Films for Phase Change Materials Possessing Ultrafast Phase Change Speed and Enhanced Stability, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 第 8 作者
(377) Investigation of multilayer SnSb4/ZnSb thin films for phase change memory applications, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 第 6 作者
(378) Investigation of Cu-Sn-Se material for high-speed phase-change memory applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 6 作者
(379) The investigations of characteristics of Sb2Te as a base phase-change material, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 4 作者
(380) Superlattice-like GeTe/Sb thin film for ultra-high speed phase change memory applications, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2017, 第 7 作者
(381) TixSb100-x thin films as candidates for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 7 作者
(382) 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵, An Embedded On-Chip Capacitor Charge Pump for PCRAM, 微电子学, 2017, 第 7 作者
(383) 非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计, Design of Non-Volatile Synapse Array and Neuron Circuits, 微电子学与计算机, 2017, 第 5 作者
(384) O-Doped Sb70Se30 Phase-Change Materials for High Thermal Stability and Fast Speed, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第11作者
(385) Logic area reduction using the deep trench isolation technique based on 40nm embedded PCM process, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
(386) Improved thermal stability of Sb materials by SiO2 doping for ultra-fast phase change memory application, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 7 作者
(387) Improving the thermal stability and phase change speed in Sb70Se30 films through Er doping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 6 作者
(388) Simultaneously high thermal stability and ultra-fast phase change speed based on samarium-doped antimony thin films, RSC ADVANCES, 2017, 第 4 作者
(389) Superlattice-like Ga40Sb60/Sb films with ultra-high speed and low power for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 9 作者
(390) Interface effect and stress effect on Ge2Sb2Te5/Sb superlattice-like thin films, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 8 作者
(391) Nanosecond Switching in Superlattice-Like GeTe/Sb Thin Film for High Speed and Low Power Phase Change Memory Application, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(392) Set/reset reference and parasitic matching scheme to speed up PCM read operation, ELECTRONICS LETTERS, 2017, 第 8 作者
(393) Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing, SCIENCE, 2017, 通讯作者
(394) Threshold switching in SiGeAsTeN chalcogenide glass prepared by As ion implantation into sputtered SiGeTeN film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(395) Local structural characteristics of Sb2Te3 films studied by reverse Monte Carlo modeling, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2017, 第 8 作者
(396) Avalanche atomic switching in strain engineered Sb2Te3-GeTe interfacial phase-change memory cells, NANO FUTURES, 2017, 第 5 作者
(397) Multi-level storage and ultra-high speed of superlattice-like Ge50Te50/Ge8Sb92 thin film for phase-change memory application, NANOTECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(398) CAM-based retention-aware DRAM (CRA-DRAM) for refresh power reduction, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
(399) Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 8 作者
(400) Carbon layer application in phase change memory to reduce power consumption and atomic migration, MATERIALS LETTERS, 2017, 通讯作者
(401) Sb7Te3/Ge multilayer films for low power and high speed phase-change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 5 作者
(402) Nanoscale cross-point diode array accessing embedded high density PCM, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(403) 基于二极管单元的高密度掩模ROM设计, Design of High-density Mask ROM Based on Diode Cells, 电子与信息学报, 2017, 第 3 作者
(404) Optical properties of Cr-doped Sb2Te thin films during ultrafast crystallization processes, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2017, 第 8 作者
(405) The ultrafast phase-change memory with high-thermal stability based on SiC-doped antimony, SCRIPTA MATERIALIA, 2017, 第 10 作者
(406) Sb7Te3/ZnSb multilayer thin films for high thermal stability and long data retention phase-change memory, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2017, 第 5 作者
(407) Investigation on the crystallization properties and structure of oxygen-doped Ge8Sb92 phase change thin films, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 6 作者
(408) Feasibility study of current pulse induced 2-bit/4-state multilevel programming in phase-change memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 6 作者
(409) 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计, Design of Boost DC-DC Converter with Frequency Hopping at Light Load, 上海交通大学学报, 2017, 第 7 作者
(410) Capacitor-less LDR based on flipped voltage follower with dual-feedback loops, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 7 作者
(411) Programming power reduction in confined phase change memory cells with titanium dioxide clad layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 4 作者
(412) 基于反激式原边反馈控制结构的过零检测方法及实现, Zero-crossing detecting method and achievement based on primary-side controlled flyback structure, 电子设计工程, 2017, 第 6 作者
(413) Enhanced read performance for phase change memory using a reference column, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 9 作者
(414) Investigation on scalability of dual trench epitaxial diode for phase change memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 8 作者
(415) Surface Energy Driven Cubic-to-Hexagonal Grain Growth of Ge 2 Sb 2 Te 5 Thin Film, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 10 作者
(416) 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, High Speed Programmable Pulsed Current Source Based on PCM Unit Test, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 7 作者
(417) Chemical mechanical polishing of Ge2Sb2Te5 in alkaline slurry, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2017, 第 5 作者
(418) Low Power Phase Change Memory With Vertical Carbon Nanotube Electrode, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 第 8 作者
(419) Simultaneously High Thermal Stability and Low Power Based on Ti-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 6 作者
(420) The high-thermal stability and ultrafast phase change memory based on Ge1.6Te-GaSb nano-composite alloys, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 7 作者
(421) 氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质, Surface Modified Alumina Particles and Their Chemical Mechanical Polishing (CMP) Behavior on C-plane (0001) Sapphire Substrate, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2017, 第 4 作者
(422) Silicon carbide doped Sb2Te3 nanomaterial for fast-speed phase change memory, MATERIALS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(423) O-doped Sb materials for improved thermal stability and high-speed phase change memory application, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 6 作者
(424) Improvement in reliability and power consumption based on Ge10Sb90 films through erbium doping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2017, 第 8 作者
(425) Properties of Ti-Sb-Te doped with SbSe alloy for application in nonvolatile phase change memory, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 3 作者
(426) Local structural characteristics of Sb2Te3 films studied by reverse Monte Carlo modeling, Local structural characteristics of Sb2Te3 films studied by reverse Monte Carlo modeling, 核技术(英文版), 2017, 第 8 作者
(427) Recessed cell structure for high performance phase change memory, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 6 作者
(428) Enhanced 3 ' VDD-tolerant ESD clamp circuit with stacked configuration, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 10 作者
(429) Multilayer SnSb4-SbSe Thin Films for Phase Change Materials Possessing Ultrafast Phase Change Speed and Enhanced Stability, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 第 8 作者
(430) Investigation of multilayer SnSb4/ZnSb thin films for phase change memory applications, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 第 6 作者
(431) Investigation of Cu-Sn-Se material for high-speed phase-change memory applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017, 第 6 作者
(432) The investigations of characteristics of Sb2Te as a base phase-change material, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 第 4 作者
(433) Superlattice-like GeTe/Sb thin film for ultra-high speed phase change memory applications, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2017, 第 7 作者
(434) TixSb100-x thin films as candidates for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 7 作者
(435) Comprehensive analysis and optimization of interface in device, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 8 作者
(436) A Power-Efficient and Non-volatile Programmable Logic Array Based on Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(437) Uniform silicon carbide doped Sb2Te nanomaterial for high temperature and high speed PCM applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 6 作者
(438) 一种新型低漏电ESD电源箝位电路, A Novel Low-Leakage ESD Power-Rail Clamp Circuit, 微电子学, 2016, 第 8 作者
(439) Investigation of Data Retention under Current Bias for Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(440) Surface etching mechanism of carbon-doped ge2sb2te5 phase change material in fluorocarbon plasma, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 第 3 作者
(441) Poly disperse spherical colloidal silica particles: Preparation and application, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 6 作者
(442) Performance improvement in a Ti-Sb-Te phase change material by GaSb doping, CRYSTENGCOMM, 2016, 第 3 作者
(443) Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 8 作者
(444) An FPGA enhanced extensible and parallel query storage system for emerging NVRAM, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 第 8 作者
(445) Endurance characteristics of phase change memory cells, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第11作者
(446) The improvement of nitrogen doped Ge2Sb2Te5 on the phase change memory resistance distributions, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 7 作者
(447) Fast switching and low power of superlattice-like SnSe2/Sb thin films for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 8 作者
(448) Etching characteristics of phase change material GeTe in inductively coupled BCl3/Ar plasma for phase change memory, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 第11作者
(449) Investigation of SiC doped Sb3Te alloy for high-speed and high-thermal stability phase change random access memory applications, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(450) Low-Energy Amorphization of Ti 1 Sb 2 Te 5 Phase Change Alloy Induced by TiTe 2 Nano-Lamellae, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 6 作者
(451) Multilevel data storage in multilayer phase change material, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 9 作者
(452) Comparison of thermal stabilities between Zr-9(Ge2Sb2Te5)(91) and Ge2Sb2Te5 phase change films, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 8 作者
(453) Te-free Environmental Materials of TixSb2.19Se Applied in Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(454) Investigation of (SiC)(0.85)-Sb3Te alloy for high-reliability PCM applications, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(455) N-doped Sn15Sb85 thin films for high speed and high thermal stability phase change memory application, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(456) Femtosecond laser pulse induced phase transition of Cr-doped Sb2Te1 films studied with a pump-probe system, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(457) Microstructure and Electrical Properties of Sb2Te Phase-Change Material, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(458) 原子层沉积与磁控溅射法制备TiO_2薄膜性能对比研究, Comparative Study on Properties of TiO_2 Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition and Magnetron Sputtering, 人工晶体学报, 2016, 第 5 作者
(459) Sb-Te-Se composite film with high-thermal stability for phase-change memory application, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 第 3 作者
(460) The Effect of Ti-Rich TiN Film on Thermal Stability of Ge2Sb2Te5 for Phase Change Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 9 作者
(461) Three-Dimensional Simulations of RESET Operation in Phase-Change Random Access Memory with Blade-Type Like Phase Change Layer by Finite Element Modeling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 10 作者
(462) Microstructure evolution and crystallography of the phase-change material TiSbTe films annealed in situ, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 6 作者
(463) Superlattice-like SnSb4/Ge thin films for ultra-high speed phase change memory applications, CRYSTENGCOMM, 2016, 第 7 作者
(464) Design and implementation of a random access file system for NVRAM, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 第 7 作者
(465) A 40-nm 16-Mb Contact-Programming Mask ROM Using Dual Trench Isolation Diode Bitcell, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2016, 通讯作者
(466) The impact of W doping on the phase change behavior of Sb2Te3, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 4 作者
(467) Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(468) Temperature-Sensing Behavior Based on Upconversion Luminescence at the Rhombohedral-Tetragonal Phase Boundary, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 6 作者
(469) FPGA-based prototype storage system with phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(470) Low-energy phase change memory with graphene confined layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 8 作者
(471) Improvement of phase change properties of stacked Ge2Sb2Te5/ZnSb thin films for phase change memory application, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(472) High speed and low power consumption of superlattice-like Ge/Sb70Se30 thin films for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 第 10 作者
(473) Material Removal Mechanism of Ti0.4Sb2Te3 Film during Chemical Mechanical Polishing in Acidic Permanganate-Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 5 作者
(474) Improvement of the thermal stability of Sb thin film through erbium doping, CRYSTENGCOMM, 2016, 第 8 作者
(475) Optimization of J-V characteristic in diode array for phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(476) Phase-Change Memory Materials by Design: A Strain Engineering Approach, ADVANCED MATERIALS, 2016, 第 5 作者
(477) Si/Sb superlattice-like thin films for ultrafast and low power phase change memory application, SCRIPTA MATERIALIA, 2016, 第 10 作者
(478) Microstructure evolution of the phase change material TiSbTe, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(479) Formation of Recessed Hole by NF3/O-2 Etching for Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(480) 一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器, A Transient Response Enhanced LDO for SoC, 微电子学, 2016, 第 8 作者
(481) A snake addressing scheme for phase change memory testing, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2016, 第 7 作者
(482) Comprehensive analysis and optimization of interface in device, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 8 作者
(483) Etch Characteristics and Mechanism of TiSbTe Thin Films in Inductively-Coupled HBr-He, Ar, N-2, O-2 Plasma, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 8 作者
(484) A Power-Efficient and Non-volatile Programmable Logic Array Based on Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(485) Direct evidence of reactive ion etching induced damages in Ge2Sb2Te5 based on different halogen plasmas, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 5 作者
(486) Uniform silicon carbide doped Sb2Te nanomaterial for high temperature and high speed PCM applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 6 作者
(487) 一种新型低漏电ESD电源箝位电路, A Novel Low-Leakage ESD Power-Rail Clamp Circuit, 微电子学, 2016, 第 8 作者
(488) Development and application of a new CMP slurry for phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
(489) Investigation of Data Retention under Current Bias for Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(490) Surface etching mechanism of carbon-doped ge2sb2te5 phase change material in fluorocarbon plasma, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 第 3 作者
(491) Enhanced Crystallization Behaviors of Silicon-Doped Sb 2 Te Films: Optical Evidences, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 7 作者
(492) Poly disperse spherical colloidal silica particles: Preparation and application, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 6 作者
(493) 相变存储器材料研究, Study of phase change materials for phase change random access memory, 中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2016, 第 2 作者
(494) Performance improvement in a Ti-Sb-Te phase change material by GaSb doping, CRYSTENGCOMM, 2016, 第 3 作者
(495) Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 8 作者
(496) 原子层沉积低温制备高取向锐钛矿TiO_2薄膜, Synthesis and Characterization of Highly Oriented Anatase-Phased TiO_2 Thin Film by Atomic Layer Deposition, 真空科学与技术学报, 2016, 第 6 作者
(497) An FPGA enhanced extensible and parallel query storage system for emerging NVRAM, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 第 8 作者
(498) Endurance characteristics of phase change memory cells, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第11作者
(499) A nano-scale mirror-like surface of Ti–6Al–4V attained by chemical mechanical polishing, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 6 作者
(500) The improvement of nitrogen doped Ge2Sb2Te5 on the phase change memory resistance distributions, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 7 作者
(501) Fast switching and low power of superlattice-like SnSe2/Sb thin films for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 8 作者
(502) Superlattice-like film for high data retention and high speed phase change random access memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 5 作者
(503) Etching characteristics of phase change material GeTe in inductively coupled BCl3/Ar plasma for phase change memory, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 第11作者
(504) Etching Characteristics and Mechanisms of Ti-Sb-Te Phase Change Material in CHF3/O-2/Ar Plasma for Nano-Devices, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 8 作者
(505) Investigation of SiC doped Sb3Te alloy for high-speed and high-thermal stability phase change random access memory applications, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(506) Low-Energy Amorphization of Ti 1 Sb 2 Te 5 Phase Change Alloy Induced by TiTe 2 Nano-Lamellae, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 6 作者
(507) Reversible Phase Change Characteristics of Cr-Doped Sb2Te3 Films with Different Initial States Induced by Femtosecond Pulses, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 第 8 作者
(508) Multilevel data storage in multilayer phase change material, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 9 作者
(509) Comparison of thermal stabilities between Zr-9(Ge2Sb2Te5)(91) and Ge2Sb2Te5 phase change films, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 8 作者
(510) SnSb4/SiO2 multilayered thin films for phase change memory applications, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2016, 第 7 作者
(511) Te-free Environmental Materials of TixSb2.19Se Applied in Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(512) A Non-volatile Flip-flop Based on Diode-selected PCM for Ultra-low Power Systems, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(513) Investigation of (SiC)(0.85)-Sb3Te alloy for high-reliability PCM applications, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(514) N-doped Sn15Sb85 thin films for high speed and high thermal stability phase change memory application, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(515) N-doped GeTe Phase change material for high-temperature data retention and low-power consumption, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(516) Femtosecond laser pulse induced phase transition of Cr-doped Sb2Te1 films studied with a pump-probe system, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(517) Optical Temperature Sensor Through Upconversion Emission from the Er3+ Doped SrBi8Ti7O27 Ferroelectrics, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 6 作者
(518) Microstructure and Electrical Properties of Sb2Te Phase-Change Material, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(519) 原子层沉积与磁控溅射法制备TiO_2薄膜性能对比研究, Comparative Study on Properties of TiO_2 Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition and Magnetron Sputtering, 人工晶体学报, 2016, 第 5 作者
(520) Fast reversible switching Sb2Te–SiNx films with high thermal stability, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 5 作者
(521) Sb-Te-Se composite film with high-thermal stability for phase-change memory application, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 第 3 作者
(522) A Novel Standby Mode Detection Scheme with Light Load Efficiency Improvement, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(523) The Effect of Ti-Rich TiN Film on Thermal Stability of Ge2Sb2Te5 for Phase Change Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 9 作者
(524) Three-Dimensional Simulations of RESET Operation in Phase-Change Random Access Memory with Blade-Type Like Phase Change Layer by Finite Element Modeling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 10 作者
(525) Simulation of Phase-Change Random Access Memory with 35nm diameter of the TiN bottom electrode by Finite Element Modeling, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(526) Microstructure evolution and crystallography of the phase-change material TiSbTe films annealed in situ, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 6 作者
(527) Design and implementation of a random access file system for NVRAM, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 第 7 作者
(528) Reactive ion etching effects on carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material in CF4/Ar plasma, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 3 作者
(529) The impact of W doping on the phase change behavior of Sb2Te3, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 4 作者
(530) Electrical Properties of Cr-doped Sb2Te3 Phase Change Material, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(531) Temperature-Sensing Behavior Based on Upconversion Luminescence at the Rhombohedral-Tetragonal Phase Boundary, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 6 作者
(532) Improved phase change behavior of Sb2Se material by Si addition for phase change memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2016, 第 10 作者
(533) Low-energy phase change memory with graphene confined layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 8 作者
(534) Material Removal Mechanism of Ti0.4Sb2Te3 Film during Chemical Mechanical Polishing in Acidic Permanganate-Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 5 作者
(535) Direct observation of metastable face-centered cubic Sb_2Te_3 crystal, NANO RESEARCH, 2016, 通讯作者
(536) Optimization of J-V characteristic in diode array for phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(537) A candidate Zr-doped Sb2Te alloy for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(538) Microstructure evolution of the phase change material TiSbTe, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(539) 一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器, A Transient Response Enhanced LDO for SoC, 微电子学, 2016, 第 8 作者
(540) Ultra-high speed and low-power superlattice-like Sn18Sb82–SnSe2 thin films for phase change memory applications, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 5 作者
(541) Etch Characteristics and Mechanism of TiSbTe Thin Films in Inductively-Coupled HBr-He, Ar, N-2, O-2 Plasma, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 8 作者
(542) Direct evidence of reactive ion etching induced damages in Ge2Sb2Te5 based on different halogen plasmas, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 5 作者
(543) Influence of Silicon Oxide on the Performance of TiN Bottom Electrode in Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(544) Development and application of a new CMP slurry for phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
(545) An efficiency-enhanced 2X/1.5X SC charge pump with auto-adjustable output regulation for PCM, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 通讯作者
(546) Enhanced Crystallization Behaviors of Silicon-Doped Sb 2 Te Films: Optical Evidences, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 7 作者
(547) 相变存储器材料研究, Study of phase change materials for phase change random access memory, 中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2016, 第 2 作者
(548) Soft-start Mechanism with Coefficients Ki Optimization for DC-DC Power Converters, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(549) 原子层沉积低温制备高取向锐钛矿TiO_2薄膜, Synthesis and Characterization of Highly Oriented Anatase-Phased TiO_2 Thin Film by Atomic Layer Deposition, 真空科学与技术学报, 2016, 第 6 作者
(550) CHF3/O-2-Based Plasma Reactive Ion Etching of GeTe for Nonvolatile Phase Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2016, 第 8 作者
(551) A nano-scale mirror-like surface of Ti–6Al–4V attained by chemical mechanical polishing, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 6 作者
(552) Superlattice-like film for high data retention and high speed phase change random access memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 5 作者
(553) Improved thermal stability of N-doped Sb materials for high-speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 10 作者
(554) Etching Characteristics and Mechanisms of Ti-Sb-Te Phase Change Material in CHF3/O-2/Ar Plasma for Nano-Devices, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 8 作者
(555) Reversible Phase Change Characteristics of Cr-Doped Sb2Te3 Films with Different Initial States Induced by Femtosecond Pulses, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 第 8 作者
(556) Failure Analysis of Nitrogen-Doped Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016, 第 6 作者
(557) SnSb4/SiO2 multilayered thin films for phase change memory applications, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2016, 第 7 作者
(558) A Non-volatile Flip-flop Based on Diode-selected PCM for Ultra-low Power Systems, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 5 作者
(559) Changes in electrical and structural properties of phase-change Ge-Sb-Te films by Zr addition, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2016, 第 8 作者
(560) N-doped GeTe Phase change material for high-temperature data retention and low-power consumption, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(561) Optical Temperature Sensor Through Upconversion Emission from the Er3+ Doped SrBi8Ti7O27 Ferroelectrics, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 6 作者
(562) Simultaneous thermal stability and phase change speed improvement of Sn15Sb85 thin film through erbium doping, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 8 作者
(563) Fast reversible switching Sb2Te–SiNx films with high thermal stability, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 5 作者
(564) Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te_5-Based Phase Change Memory Devices, Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te~-Based Phase Change Memory Devices, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(565) A Novel Standby Mode Detection Scheme with Light Load Efficiency Improvement, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(566) Simulation of Phase-Change Random Access Memory with 35nm diameter of the TiN bottom electrode by Finite Element Modeling, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(567) The Storage System of PCM Based on Random Access File System, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(568) Reactive ion etching effects on carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material in CF4/Ar plasma, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 3 作者
(569) High Speed Sense Amplifier with Efficient Pre-charge Scheme for PCM in the 28nm Process, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 8 作者
(570) Electrical Properties of Cr-doped Sb2Te3 Phase Change Material, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(571) Improved phase change behavior of Sb2Se material by Si addition for phase change memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2016, 第 10 作者
(572) Direct observation of metastable face-centered cubic Sb_2Te_3 crystal, NANO RESEARCH, 2016, 通讯作者
(573) A candidate Zr-doped Sb2Te alloy for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(574) Ultra-high speed and low-power superlattice-like Sn18Sb82–SnSe2 thin films for phase change memory applications, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 5 作者
(575) Influence of Silicon Oxide on the Performance of TiN Bottom Electrode in Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(576) An efficiency-enhanced 2X/1.5X SC charge pump with auto-adjustable output regulation for PCM, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 通讯作者
(577) Soft-start Mechanism with Coefficients Ki Optimization for DC-DC Power Converters, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(578) CHF3/O-2-Based Plasma Reactive Ion Etching of GeTe for Nonvolatile Phase Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2016, 第 8 作者
(579) Improved thermal stability of N-doped Sb materials for high-speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 10 作者
(580) Failure Analysis of Nitrogen-Doped Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016, 第 6 作者
(581) Changes in electrical and structural properties of phase-change Ge-Sb-Te films by Zr addition, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2016, 第 8 作者
(582) Simultaneous thermal stability and phase change speed improvement of Sn15Sb85 thin film through erbium doping, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 8 作者
(583) Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te_5-Based Phase Change Memory Devices, Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te~-Based Phase Change Memory Devices, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(584) The Storage System of PCM Based on Random Access File System, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(585) High Speed Sense Amplifier with Efficient Pre-charge Scheme for PCM in the 28nm Process, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 8 作者
(586) Superlattice-like SnSb4/Ge thin films for ultra-high speed phase change memory applications, CRYSTENGCOMM, 2016, 第 7 作者
(587) A 40-nm 16-Mb Contact-Programming Mask ROM Using Dual Trench Isolation Diode Bitcell, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2016, 通讯作者
(588) Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 10 作者
(589) FPGA-based prototype storage system with phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
(590) Improvement of phase change properties of stacked Ge2Sb2Te5/ZnSb thin films for phase change memory application, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 7 作者
(591) High speed and low power consumption of superlattice-like Ge/Sb70Se30 thin films for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 第 10 作者
(592) Improvement of the thermal stability of Sb thin film through erbium doping, CRYSTENGCOMM, 2016, 第 8 作者
(593) Phase-Change Memory Materials by Design: A Strain Engineering Approach, ADVANCED MATERIALS, 2016, 第 5 作者
(594) Si/Sb superlattice-like thin films for ultrafast and low power phase change memory application, SCRIPTA MATERIALIA, 2016, 第 10 作者
(595) Formation of Recessed Hole by NF3/O-2 Etching for Phase Change Memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 6 作者
(596) A snake addressing scheme for phase change memory testing, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2016, 第 7 作者
(597) Study on WSb3Te material for phase-change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 4 作者
(598) Study on phase change properties of binary GaSb doped Sb–Se film, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 4 作者
(599) High speed and high reliability in Ge8Sb92/Ga30Sb70 stacked thin films for phase change memory applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 第 7 作者
(600) Vanadium doped sb2te3 material with modified crystallization mechanism for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 8 作者
(601) A smart primary side current sensing strategy for single stage isolated PFC controller, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 8 作者
(602) Optical thermometry based on the upconversion luminescence from Er doped Bi7Ti4TaO21 ferroelectric ceramics, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 7 作者
(603) Phase-change properties of GeSbTe thin films deposited by plasma-enchanced atomic layer depositon, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 第 3 作者
(604) Set Programming Method and Performance Improvement of Phase Change Random Access Memory Arrays, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 7 作者
(605) 基于相变存储器的SD卡系统设计, Design of Secure Digital Memory Card System Based on Phase Change Memory, 半导体光电, 2015, 第 4 作者
(606) Photoluminescence, Enhanced Ferroelectric and Dielectric Properties of Pr3+ Doped SrBi4Ti4O15 Multifunctional Ceramics, FERROELECTRICS, 2015, 第 6 作者
(607) Influence of N-doping on the thermal stability and switching speed of Zn15Sb85 phase change material, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 9 作者
(608) Superlattice-like SnSb4/Ga3Sb7 thin films for ultrafast switching phase-change memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 7 作者
(609) Thickness dependent nano-crystallization in Ti0.43Sb2Te3 films and its effect on devices, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 5 作者
(610) Direct observation of titanium-centered octahedra in titanium–antimony–tellurium phase-change material, NATURE COMMUNICATIONS, 2015, 通讯作者
(611) 操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响, Effect of Operating Current on the Endurance Characteristics of Phase Change Memory Cells, 半导体技术, 2015, 第 10 作者
(612) PCRAM-aware cluster allocation algorithm for hybrid main memory hierarchy, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 6 作者
(613) The Suppressing of Density Change in Nitrogen Doped Ge2Sb2Te5 for High Performance Phase Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 7 作者
(614) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, 中国物理快报:英文版, 2015, 第 5 作者
(615) Rapid flame synthesis of internal Mo6+ doped TiO2 nanocrystals in situ decorated with highly dispersed MoO3 clusters for lithium ion storage, NANOSCALE, 2015, 第 7 作者
(616) Effect of Sb2Se on phase change characteristics of Ge2Sb2Te5, CRYSTENGCOMM, 2015, 第 8 作者
(617) 相变存储器失效时间分析, Analysis of failure time in phase change memory, 电子元件与材料, 2015, 第 5 作者
(618) General Flame Approach to Chainlike MFe2O4 Spinel (M = Cu, Ni, Co, Zn) Nanoaggregates for Reduction of Nitroaromatic Compounds, INDUSTRIAL & ENGINEERING CHEMISTRY RESEARCH, 2015, 第 6 作者
(619) Characterization of Ge Doping on Sb_2Te_3 for High-Speed Phase Change Memory Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 5 作者
(620) Synthesis of colloid silica coated with ceria nano-particles with the assistance of PVP, CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2015, 第 4 作者
(621) Investigation of Cr-0.06(Sb4Te)(0.94) alloy for high-speed and high-data-retention phase change random access memory applications, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 4 作者
(622) CrxSb2Te1 materials for phase change memory with high speed and good thermal stability performance, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 7 作者
(623) Study on the phase change material Cr-doped Sb3Te1 for application in phase change memory, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2015, 第 6 作者
(624) Sb52Se36Te12 material with high-temperature data retention coupled with rapid crystallization speed for phase change application, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 3 作者
(625) Characterization of Ge Doping on Sb2Te3 for High-Speed Phase Change Memory Application, Characterization of Ge Doping on Sb2Te3 for High-Speed Phase Change Memory Application, 中国物理快报(英文版), 2015, 第 5 作者
(626) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 5 作者
(627) 用于相变存储器的高效开关电容电荷泵, An Efficiency-Enhanced SC Charge Pump for PCM, 微电子学, 2015, 第 5 作者
(628) 氧化铝抛光液磨料制备及其稳定性研究进展, Research Progress on the Preparation and Stability of Alumina Abrasive Suspensions, 上海第二工业大学学报, 2015, 第 4 作者
(629) The synthesis, characterization and DFT calculations of highly volatile aminogermylene precursors and thin film investigation for CVD/ALD technology, INORGANIC CHEMISTRY COMMUNICATIONS, 2015, 第 3 作者
(630) Improvement of reliability and power consumption for SnSb4 phase change film composited with Ga3Sb7 by superlattice-like method, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 5 作者
(631) Cu对用于高速相变存储器的Sb_2Te薄膜的结构及相变的影响研究, Effect of Cu on the structure and phase-change characteristics of Sb_2 Te film for high-speed phase change random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 8 作者
(632) Study on phase change properties of binary GaSb doped Sb–Se film, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 4 作者
(633) Synthesis of {Large}-{Area} {Highly} {Crystalline} {Monolayer} {Molybdenum} {Disulfide} with {Tunable} {Grain} {Size} in a {H}2 {Atmosphere},, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 通讯作者
(634) High speed and high reliability in Ge8Sb92/Ga30Sb70 stacked thin films for phase change memory applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 第 7 作者
(635) Theoretical research on structures of aminopyrimidine germanium(II) precursors and their application in film formation, RUSSIAN JOURNAL OF GENERAL CHEMISTRY, 2015, 第 3 作者
(636) Optimizing set performance for phase change memory with dual pulses set method, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 8 作者
(637) A smart primary side current sensing strategy for single stage isolated PFC controller, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 8 作者
(638) Ti-Sb-Te Alloy: A Candidate for Fast and Long-Life Phase-Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第 4 作者
(639) 小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析, Layout Design and Verification of Modest Capacity PCRAM Chip, 微电子学, 2015, 第 7 作者
(640) Optical thermometry based on the upconversion luminescence from Er doped Bi7Ti4TaO21 ferroelectric ceramics, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 7 作者
(641) The Effect of pH on Sapphire Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 5 作者
(642) Set Programming Method and Performance Improvement of Phase Change Random Access Memory Arrays, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 7 作者
(643) Photoluminescence, Enhanced Ferroelectric and Dielectric Properties of Pr3+ Doped SrBi4Ti4O15 Multifunctional Ceramics, FERROELECTRICS, 2015, 第 6 作者
(644) Influence of N-doping on the thermal stability and switching speed of Zn15Sb85 phase change material, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 9 作者
(645) Thickness dependent nano-crystallization in Ti0.43Sb2Te3 films and its effect on devices, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 5 作者
(646) 操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响, Effect of Operating Current on the Endurance Characteristics of Phase Change Memory Cells, 半导体技术, 2015, 第 10 作者
(647) The Suppressing of Density Change in Nitrogen Doped Ge2Sb2Te5 for High Performance Phase Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 7 作者
(648) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, 中国物理快报:英文版, 2015, 第 5 作者
(649) Effect of Sb2Se on phase change characteristics of Ge2Sb2Te5, CRYSTENGCOMM, 2015, 第 8 作者
(650) 相变存储器失效时间分析, Analysis of failure time in phase change memory, 电子元件与材料, 2015, 第 5 作者
(651) Characterization of Ge Doping on Sb_2Te_3 for High-Speed Phase Change Memory Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 5 作者
(652) Synthesis of colloid silica coated with ceria nano-particles with the assistance of PVP, CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2015, 第 4 作者
(653) CrxSb2Te1 materials for phase change memory with high speed and good thermal stability performance, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 7 作者
(654) Sb52Se36Te12 material with high-temperature data retention coupled with rapid crystallization speed for phase change application, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 3 作者
(655) Characterization of Ge Doping on Sb2Te3 for High-Speed Phase Change Memory Application, Characterization of Ge Doping on Sb2Te3 for High-Speed Phase Change Memory Application, 中国物理快报(英文版), 2015, 第 5 作者
(656) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 5 作者
(657) 氧化铝抛光液磨料制备及其稳定性研究进展, Research Progress on the Preparation and Stability of Alumina Abrasive Suspensions, 上海第二工业大学学报, 2015, 第 4 作者
(658) Improvement of reliability and power consumption for SnSb4 phase change film composited with Ga3Sb7 by superlattice-like method, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 5 作者
(659) Cu对用于高速相变存储器的Sb_2Te薄膜的结构及相变的影响研究, Effect of Cu on the structure and phase-change characteristics of Sb_2 Te film for high-speed phase change random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 8 作者
(660) Synthesis of {Large}-{Area} {Highly} {Crystalline} {Monolayer} {Molybdenum} {Disulfide} with {Tunable} {Grain} {Size} in a {H}2 {Atmosphere},, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 通讯作者
(661) Theoretical research on structures of aminopyrimidine germanium(II) precursors and their application in film formation, RUSSIAN JOURNAL OF GENERAL CHEMISTRY, 2015, 第 3 作者
(662) Optimizing set performance for phase change memory with dual pulses set method, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 8 作者
(663) Ti-Sb-Te Alloy: A Candidate for Fast and Long-Life Phase-Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第 4 作者
(664) 小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析, Layout Design and Verification of Modest Capacity PCRAM Chip, 微电子学, 2015, 第 7 作者
(665) The Effect of pH on Sapphire Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 5 作者
(666) Al-x(Sn2Se3)(1-x) phase change films for high-temperature data retention and fast transition speed application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 10 作者
(667) A Phase Change Memory Chip Based on TiSbTe Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology, NANO-MICRO LETTERS, 2015, 通讯作者
(668) Methods to speed up read operation in a 64 Mbit phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 9 作者
(669) Al-x(Sn2Se3)(1-x) phase change films for high-temperature data retention and fast transition speed application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 10 作者
(670) A Phase Change Memory Chip Based on TiSbTe Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology, NANO-MICRO LETTERS, 2015, 通讯作者
(671) Methods to speed up read operation in a 64 Mbit phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 9 作者
(672) The effect of oxygen plasma ashing on the resistance of TiN bottom electrode for phase change memory, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 4 作者
(673) The effect of oxygen plasma ashing on the resistance of TiN bottom electrode for phase change memory, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 4 作者
(674) Improvement of the thermal stability and power consumption of Sb70Se30 through nitrogen doping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 8 作者
(675) Understanding the crystallization behavior of as-deposited Ti-Sb-Te alloys through real-time radial distribution functions, NANOSCALE, 2015, 第 3 作者
(676) Improvement of the thermal stability and power consumption of Sb70Se30 through nitrogen doping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 8 作者
(677) High thermal stability Sb3Te-TiN2 material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 6 作者
(678) Titanium-induced structure modification for thermal stability enhancement of a GeTeTi phase change material, RSC ADVANCES, 2015, 第 5 作者
(679) Cr-doped Ge2Sb2Te5 for ultra-long data retention phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 9 作者
(680) Understanding the crystallization behavior of as-deposited Ti-Sb-Te alloys through real-time radial distribution functions, NANOSCALE, 2015, 第 3 作者
(681) Synthesis of Large-Area Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide with Tunable Grain Size in a H-2 Atmosphere, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第11作者
(682) Cu对用于高速相变存储器的Sb_2Te薄膜的结构及相变的影响研究, Effect of Cu on the structure and phase-change characteristics of Sb_2 Te film for high-speed phase change random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 8 作者
(683) High thermal stability Sb3Te-TiN2 material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 6 作者
(684) Ni-doped GST materials for high speed phase change memory applications, MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2015, 第 5 作者
(685) Characterization of Cr-doped Sb2Te3 films and their application to phase-change memory, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2015, 第 10 作者
(686) Titanium-induced structure modification for thermal stability enhancement of a GeTeTi phase change material, RSC ADVANCES, 2015, 第 5 作者
(687) Characteristics and mechanism of phase change material W0.03Sb2Te etched by Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 4 作者
(688) High thermal stable and fast switching ni-ge-te alloy for phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 6 作者
(689) Cr-doped Ge2Sb2Te5 for ultra-long data retention phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 9 作者
(690) Ge2Sb2Te5/Sb superlattice-like thin film for high speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 10 作者
(691) Thermal Stability Improvement of Sb2Te Material with Rapid Phase Transition, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 4 作者
(692) Synthesis of Large-Area Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide with Tunable Grain Size in a H-2 Atmosphere, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第11作者
(693) Local structure of AlSb2Te3 thin film studied by experimental and theoretical methods, JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2015, 第 7 作者
(694) Cu对用于高速相变存储器的Sb_2Te薄膜的结构及相变的影响研究, Effect of Cu on the structure and phase-change characteristics of Sb_2 Te film for high-speed phase change random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 8 作者
(695) Advantage of ti-doped ge2sb2te5 material for phase change memory applications, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 8 作者
(696) Ni-doped GST materials for high speed phase change memory applications, MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2015, 第 5 作者
(697) Study on WSb3Te material for phase-change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 4 作者
(698) Characterization of Cr-doped Sb2Te3 films and their application to phase-change memory, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2015, 第 10 作者
(699) Vanadium doped sb2te3 material with modified crystallization mechanism for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 8 作者
(700) Phase-change properties of GeSbTe thin films deposited by plasma-enchanced atomic layer depositon, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 第 3 作者
(701) Characteristics and mechanism of phase change material W0.03Sb2Te etched by Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 4 作者
(702) 基于相变存储器的SD卡系统设计, Design of Secure Digital Memory Card System Based on Phase Change Memory, 半导体光电, 2015, 第 4 作者
(703) Superlattice-like SnSb4/Ga3Sb7 thin films for ultrafast switching phase-change memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 7 作者
(704) High thermal stable and fast switching ni-ge-te alloy for phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 6 作者
(705) Direct observation of titanium-centered octahedra in titanium–antimony–tellurium phase-change material, NATURE COMMUNICATIONS, 2015, 通讯作者
(706) PCRAM-aware cluster allocation algorithm for hybrid main memory hierarchy, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 6 作者
(707) Ge2Sb2Te5/Sb superlattice-like thin film for high speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 10 作者
(708) Rapid flame synthesis of internal Mo6+ doped TiO2 nanocrystals in situ decorated with highly dispersed MoO3 clusters for lithium ion storage, NANOSCALE, 2015, 第 7 作者
(709) Thermal Stability Improvement of Sb2Te Material with Rapid Phase Transition, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 4 作者
(710) General Flame Approach to Chainlike MFe2O4 Spinel (M = Cu, Ni, Co, Zn) Nanoaggregates for Reduction of Nitroaromatic Compounds, INDUSTRIAL & ENGINEERING CHEMISTRY RESEARCH, 2015, 第 6 作者
(711) Investigation of Cr-0.06(Sb4Te)(0.94) alloy for high-speed and high-data-retention phase change random access memory applications, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 4 作者
(712) Local structure of AlSb2Te3 thin film studied by experimental and theoretical methods, JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2015, 第 7 作者
(713) Study on the phase change material Cr-doped Sb3Te1 for application in phase change memory, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2015, 第 6 作者
(714) 用于相变存储器的高效开关电容电荷泵, An Efficiency-Enhanced SC Charge Pump for PCM, 微电子学, 2015, 第 5 作者
(715) Advantage of ti-doped ge2sb2te5 material for phase change memory applications, ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 第 8 作者
(716) The synthesis, characterization and DFT calculations of highly volatile aminogermylene precursors and thin film investigation for CVD/ALD technology, INORGANIC CHEMISTRY COMMUNICATIONS, 2015, 第 3 作者
(717) 基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统, Test System of Current Pluses Based on Phase Change Memory Device, 半导体光电, 2014, 第 3 作者
(718) Synthesis and thermal properties of aminopyrimidine Ge(II) precursors for CVD/ALD technology, RUSSIAN JOURNAL OF GENERAL CHEMISTRY, 2014, 第 3 作者
(719) Study on the Cu-doped Ge2Sb2Te5 for low-power phase change memory, MATERIALS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(720) N-doped Zn15Sb85 phase-change materials for higher thermal stability and lower power consumption, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 第 9 作者
(721) Understanding the early cycling evolution behaviors for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 其他(合作组作者)
(722) Effect of the Hydrogen Peroxide on the Ti0.4Sb2Te3 Chemical Mechanical Polishing in Acidic Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 6 作者
(723) Investigation of Al-Sb-Se alloy for long data retention and low power consumption phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 4 作者
(724) Atomic scale insight into the amorphous structure of Cu doped GeTe phase-change material, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 4 作者
(725) Characteristics and mechanism of Al1.3Sb3Te etched by Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 3 作者
(726) Flexible block management with data migration wear-leveling algorithm for phase change memory, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 8 作者
(727) The micro-structure and composition evolution of Ti-Sb-Te alloy during reversible phase transition in phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(728) One order of magnitude faster phase change at reduced power in Ti-Sb-Te, NATURE COMMUNICATIONS, 2014, 第 8 作者
(729) Multi-step phase-change behavior in Ga30Sb70/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
(730) Chemical mechanical planarization of Ge_2Sb_2Te_5 using IC1010 and Politex reg pads in acidic slurry, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(731) Optical temperature sensing by upconversion luminescence of Er doped Bi5TiNbWO15 ferroelectric materials, AIP ADVANCES, 2014, 第 6 作者
(732) Study and Improvement on Tungsten Plug Corrosion in CMP Process for PCRAM, IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2014, 第 2 作者
(733) Phase change characteristics of Sb-rich Ga-Sb-Se materials, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 第 6 作者
(734) Ge2Sb2Te5/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films for phase change memory application, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 7 作者
(735) Low-power phase change memory with multilayer TiN/W nanostructure electrode, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 第 4 作者
(736) Thermal effect of Ge_2Sb_2Te_5 in phase change memory device, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(737) RESET Distribution Improvement of Phase Change Memory: The Impact of Pre-Programming, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第11作者
(738) Homogeneous phase W-Ge-Te material with improved overall phase-change properties for future nonvolatile memory, ACTA MATERIALIA, 2014, 第 4 作者
(739) Study on the stability of modified colloidal silica with polymer in aqueous environment, COLLOID AND POLYMER SCIENCE, 2014, 通讯作者
(740) Refined sectionalized method of QD-SOA, OPTIK, 2014, 第 4 作者
(741) Iron trichloride as oxidizer in acid slurry for chemical mechanical polishing of Ge_2Sb_2Te_5, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 5 作者
(742) Optimization of periphery circuits in a 1K-bit PCRAM chip for highly reliable write and read operations, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 9 作者
(743) Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 for Phase-Change Memory Application, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 第 6 作者
(744) Non-spherical colloidal silica particles—Preparation, application and model, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2014, 第 4 作者
(745) 相变存储器及其发展, 功能材料信息, 2014, 第 1 作者
(746) 3-D Resistance Model for Phase-Change Memory Cell, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 4 作者
(747) Superlattice-like Ge8Sb92/Ge thin fins for high speed and low power consumption phase change memory application, SCRIPTA MATERIALIA, 2014, 第 7 作者
(748) A smart method of optimizing the read/write current on PCM array, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
(749) Improved performances of Ge2Sb2Te5 based phase change memory by W doping, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 3 作者
(750) A novel auxiliary-free zero inductor current detection scheme for step down non-isolated LED driver, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 7 作者
(751) Study on the nitrogen-doped W-Sb-Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(752) Cost-Effective Schottky-Barrier Diode Array With Ni-Silicidation Accessing Low Power Phase-Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 3 作者
(753) 基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统, Test System of Current Pluses Based on Phase Change Memory Device, 半导体光电, 2014, 第 3 作者
(754) Etching of new phase change material Ti0.5Sb2Te3 by Cl2/Ar and CF4/Ar inductively coupled plasmas, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 3 作者
(755) Synthesis and thermal properties of aminopyrimidine Ge(II) precursors for CVD/ALD technology, RUSSIAN JOURNAL OF GENERAL CHEMISTRY, 2014, 第 3 作者
(756) Uniform Ti-doped Sb2Te3 materials for high-speed phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(757) Role of the Lysine as a Complexing Agent in Ge2Sb2Te5 Chemical Mechanical PolishingSlurries, ELECTROCHIMICA ACTA, 2014, 第 4 作者
(758) Mass transport in Ti0.5Sb2Te3 phase-change nanobridge, ACTA MATERIALIA, 2014, 第 6 作者
(759) Study on the Cu-doped Ge2Sb2Te5 for low-power phase change memory, MATERIALS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(760) Phase change material W-0.04(Sb4Te)(0.96) for application in high-speed phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 第 3 作者
(761) Temperature and concentration dependent crystallization behavior of Ge2Sb2Te5 phase change films: tungsten doping effects, RSC ADVANCES, 2014, 第 7 作者
(762) N-doped Zn15Sb85 phase-change materials for higher thermal stability and lower power consumption, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 第 9 作者
(763) High thermal stability and low density variation of carbon-doped Ge2Sb2Te5 for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 5 作者
(764) 基于写数据页聚簇的固态硬盘缓冲算法, Buffer Algorithm for Solid State Disk Based on the Cluster of Write Pages, 计算机系统应用, 2014, 第 6 作者
(765) Understanding the early cycling evolution behaviors for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 其他(合作组作者)
(766) Effect of the Hydrogen Peroxide on the Ti0.4Sb2Te3 Chemical Mechanical Polishing in Acidic Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 6 作者
(767) Investigation of Al-Sb-Se alloy for long data retention and low power consumption phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 4 作者
(768) Atomic scale insight into the amorphous structure of Cu doped GeTe phase-change material, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 4 作者
(769) Characteristics and mechanism of Al1.3Sb3Te etched by Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 3 作者
(770) Flexible block management with data migration wear-leveling algorithm for phase change memory, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 8 作者
(771) The micro-structure and composition evolution of Ti-Sb-Te alloy during reversible phase transition in phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(772) One order of magnitude faster phase change at reduced power in Ti-Sb-Te, NATURE COMMUNICATIONS, 2014, 第 8 作者
(773) Multi-step phase-change behavior in Ga30Sb70/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
(774) Chemical mechanical planarization of Ge_2Sb_2Te_5 using IC1010 and Politex reg pads in acidic slurry, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(775) Optical temperature sensing by upconversion luminescence of Er doped Bi5TiNbWO15 ferroelectric materials, AIP ADVANCES, 2014, 第 6 作者
(776) Study and Improvement on Tungsten Plug Corrosion in CMP Process for PCRAM, IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2014, 第 2 作者
(777) Phase change characteristics of Sb-rich Ga-Sb-Se materials, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 第 6 作者
(778) Ge2Sb2Te5/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films for phase change memory application, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 7 作者
(779) Low-power phase change memory with multilayer TiN/W nanostructure electrode, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 第 4 作者
(780) Thermal effect of Ge_2Sb_2Te_5 in phase change memory device, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(781) RESET Distribution Improvement of Phase Change Memory: The Impact of Pre-Programming, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第11作者
(782) Homogeneous phase W-Ge-Te material with improved overall phase-change properties for future nonvolatile memory, ACTA MATERIALIA, 2014, 第 4 作者
(783) Study on the stability of modified colloidal silica with polymer in aqueous environment, COLLOID AND POLYMER SCIENCE, 2014, 通讯作者
(784) Refined sectionalized method of QD-SOA, OPTIK, 2014, 第 4 作者
(785) Iron trichloride as oxidizer in acid slurry for chemical mechanical polishing of Ge_2Sb_2Te_5, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 5 作者
(786) Optimization of periphery circuits in a 1K-bit PCRAM chip for highly reliable write and read operations, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 9 作者
(787) Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 for Phase-Change Memory Application, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 第 6 作者
(788) Non-spherical colloidal silica particles—Preparation, application and model, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2014, 第 4 作者
(789) 相变存储器及其发展, 功能材料信息, 2014, 第 1 作者
(790) 3-D Resistance Model for Phase-Change Memory Cell, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 4 作者
(791) Superlattice-like Ge8Sb92/Ge thin fins for high speed and low power consumption phase change memory application, SCRIPTA MATERIALIA, 2014, 第 7 作者
(792) A smart method of optimizing the read/write current on PCM array, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
(793) Improved performances of Ge2Sb2Te5 based phase change memory by W doping, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 3 作者
(794) A novel auxiliary-free zero inductor current detection scheme for step down non-isolated LED driver, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2014, 第 7 作者
(795) Study on the nitrogen-doped W-Sb-Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(796) Cost-Effective Schottky-Barrier Diode Array With Ni-Silicidation Accessing Low Power Phase-Change Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 3 作者
(797) Etching of new phase change material Ti0.5Sb2Te3 by Cl2/Ar and CF4/Ar inductively coupled plasmas, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 3 作者
(798) Uniform Ti-doped Sb2Te3 materials for high-speed phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(799) Role of the Lysine as a Complexing Agent in Ge2Sb2Te5 Chemical Mechanical PolishingSlurries, ELECTROCHIMICA ACTA, 2014, 第 4 作者
(800) Mass transport in Ti0.5Sb2Te3 phase-change nanobridge, ACTA MATERIALIA, 2014, 第 6 作者
(801) Phase change material W-0.04(Sb4Te)(0.96) for application in high-speed phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 第 3 作者
(802) Temperature and concentration dependent crystallization behavior of Ge2Sb2Te5 phase change films: tungsten doping effects, RSC ADVANCES, 2014, 第 7 作者
(803) High thermal stability and low density variation of carbon-doped Ge2Sb2Te5 for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 5 作者
(804) 基于写数据页聚簇的固态硬盘缓冲算法, Buffer Algorithm for Solid State Disk Based on the Cluster of Write Pages, 计算机系统应用, 2014, 第 6 作者
(805) Reactive Ion Etching of SixSb2Te in CF4/Ar Plasma for Nonvolatile Phase-Change Memory Device, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 第 3 作者
(806) Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率, Electron-LO phonon scattering in Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 5 作者
(807) Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(808) Study on the impact of the initialization process on the phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(809) Al19Sb54Se27 material for high stability and high-speed phase-change memory applications, SCRIPTA MATERIALIA, 2013, 第 5 作者
(810) 一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵, A new charge pump for PLL Clock in phase change memory, 电路与系统学报, 2013, 第 3 作者
(811) Characterization of the thermal properties for Si-implanted Sb2Te3 phase change material, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(812) Phase-change behaviors of Sb80Te20/SbSe nanocomposite multilayer films, SCRIPTA MATERIALIA, 2013, 第 3 作者
(813) External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
(814) 基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路, A Write Driver for Phase Change Memory Based on Programming Current or Voltage, 微电子学, 2013, 第 10 作者
(815) Study on the crystallization process of GaSb-Sb2Te3 pseudobinary films for phase-change random access memory., JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 第 4 作者
(816) Investigation of Al doping on Ge55Te45 for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 3 作者
(817) Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展, Research and Development of Chemical Mechanical Planarization for Ge_2Sb_2Te_5, ACTA CHIMICA SINICA, 2013, 第 3 作者
(818) 新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究, Study on Etching Process and Mechanism of New Phase Change Material Ti_(0.5)Sb_2Te_3, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2013, 第 8 作者
(819) Electron-LO phonon scattering in Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 5 作者
(820) 蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究, Mechanism of Sapphire Chemical Mechanical Polishing bySi0O Particles, 上海第二工业大学学报, 2013, 第 5 作者
(821) The effect of titanium doping on the structure and phase change characteristics of Sb4Te, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(822) Characterization of Cu doping on GeTe for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(823) Performance improvement of phase-change memory cell using AlSb3Te and atomic layer deposition TiO2 buffer layer., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2013, 第 2 作者
(824) Investigation on nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 material for phase-change memory application, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 第 4 作者
(825) Mechanism of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 removal during chemical mechanical planarization in acidic H_2O_2 slurry, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 2 作者
(826) Optimization of Anomalous Cells with High SET Resistance in Phase Change Memory Arrays, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 3 作者
(827) Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
(828) An Improvement of the Thermal Stability of SnTe through Nitrogen Doping, An Improvement of the Thermal Stability of SnTe through Nitrogen Doping, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(829) 一种适用于片上LDO系统的过流保护电路, An over-current protection circuit especially for capacitor-less LDO systems, 电路与系统学报, 2013, 第 5 作者
(830) Oxygen-doped Sb4Te phase change films for high-temperature data retention and low-power application, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 4 作者
(831) Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_(2) Film, Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_2 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
(832) Study on GeGaSbTe film for long data retention phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2013, 第 3 作者
(833) Nitrogen-doped Ge3Te2 materials with self-restricted active region for low power phase-change memory, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(834) 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响, 物理学报, 2013, 第 4 作者
(835) 外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响, Influence of External Cavity Feedback on The Output Characteristics of Quantum-dot Lasers, 发光学报, 2013, 第 8 作者
(836) Switching operation improvement of phase change memory with nanoscale W plug structure by CMP process, ELECTRONICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
(837) Reactive ion etching of Si2Sb2Te5 in CF4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 3 作者
(838) Fast crystallization and low power of Al-doped Sn2Se3 thin films for phase change memory applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 5 作者
(839) High tolerance of proton irradiation of Ge2Sb2Te5 phase change material, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 6 作者
(840) Phase-change material Ge0.61Sb2Te for application in high-speed phase change random access memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(841) Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te phase-change material for high-performance phase-change memory, ACTA MATERIALIA, 2013, 第 3 作者
(842) Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展, Research and Development of Chemical Mechanical Planarization for Ge_2Sb_2Te_5, ACTA CHIMICA SINICA, 2013, 第 3 作者
(843) Effects of germanium and nitrogen incorporation on crystallization of N-doped Ge2+xSb2Te5 (x=0,1) thin films for phase-change memory, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 3 作者
(844) Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响, The characteristics of GeTe-Sb thin films with different Sb concentration for phase change memory, 电子显微学报, 2013, 第 8 作者
(845) 纳米SiO2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用, Preparation of Silica-based Slurry and Its Polishing Performance on Sapphire Substrate, 润滑与密封, 2013, 第 5 作者
(846) A lithography-independent and fully confined fabrication process of phase-change materials in metal electrode nanogap with 16-mu A threshold current and 80-mV SET voltage, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2013, 第 9 作者
(847) Study on the thermal stability improvement of GeTe by Al doping, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(848) 大电流负载的片上LDO系统设计, Design of an On-Chip LDO System with Large Loading Current, 电子学报, 2013, 第 7 作者
(849) Optimal Design of Phase Change Random Access Memory based on 130nm CMOS Technology, 2012 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION STORAGE AND NINTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2013, 第 10 作者
(850) 三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究, 功能材料与器件学报, 2013, 第 4 作者
(851) Investigation of Ga8Sb34Se58 Material for Low-Power Phase Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 5 作者
(852) Investigation of Ge-Sn-Te alloy for long data retention and high speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(853) Performance improvement of Ge-Sb-Te material by GaSb doping for phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 8 作者
(854) Application of three-step epitaxial process to dual trench epitaxial diode array., JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 第 3 作者
(855) Femtosecond laser-irradiated crystallization of amorphous Si2Sb2Te3 films and its in-situ characterization by coherent phonon spectroscopy, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 5 作者
(856) A simple method used to evaluate phase-change materials based on focused-ion beam technique, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
(857) The preparation of ceria colloids dispersed by polyvinyl alcohol, CERAMICS INTERNATIONAL, 2013, 第 5 作者
(858) Reactive Ion Etching of SixSb2Te in CF4/Ar Plasma for Nonvolatile Phase-Change Memory Device, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 第 3 作者
(859) Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率, Electron-LO phonon scattering in Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 5 作者
(860) Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(861) Study on the impact of the initialization process on the phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(862) Al19Sb54Se27 material for high stability and high-speed phase-change memory applications, SCRIPTA MATERIALIA, 2013, 第 5 作者
(863) 一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵, A new charge pump for PLL Clock in phase change memory, 电路与系统学报, 2013, 第 3 作者
(864) Characterization of the thermal properties for Si-implanted Sb2Te3 phase change material, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(865) Phase-change behaviors of Sb80Te20/SbSe nanocomposite multilayer films, SCRIPTA MATERIALIA, 2013, 第 3 作者
(866) External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
(867) 基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路, A Write Driver for Phase Change Memory Based on Programming Current or Voltage, 微电子学, 2013, 第 10 作者
(868) Study on the crystallization process of GaSb-Sb2Te3 pseudobinary films for phase-change random access memory., JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 第 4 作者
(869) Investigation of Al doping on Ge55Te45 for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 3 作者
(870) Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展, Research and Development of Chemical Mechanical Planarization for Ge_2Sb_2Te_5, ACTA CHIMICA SINICA, 2013, 第 3 作者
(871) 新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究, Study on Etching Process and Mechanism of New Phase Change Material Ti_(0.5)Sb_2Te_3, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2013, 第 8 作者
(872) Electron-LO phonon scattering in Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 5 作者
(873) 蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究, Mechanism of Sapphire Chemical Mechanical Polishing bySi0O Particles, 上海第二工业大学学报, 2013, 第 5 作者
(874) The effect of titanium doping on the structure and phase change characteristics of Sb4Te, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(875) Characterization of Cu doping on GeTe for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(876) Performance improvement of phase-change memory cell using AlSb3Te and atomic layer deposition TiO2 buffer layer., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2013, 第 2 作者
(877) Investigation on nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 material for phase-change memory application, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 第 4 作者
(878) Mechanism of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 removal during chemical mechanical planarization in acidic H_2O_2 slurry, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 2 作者
(879) Optimization of Anomalous Cells with High SET Resistance in Phase Change Memory Arrays, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 3 作者
(880) Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
(881) An Improvement of the Thermal Stability of SnTe through Nitrogen Doping, An Improvement of the Thermal Stability of SnTe through Nitrogen Doping, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(882) 一种适用于片上LDO系统的过流保护电路, An over-current protection circuit especially for capacitor-less LDO systems, 电路与系统学报, 2013, 第 5 作者
(883) Oxygen-doped Sb4Te phase change films for high-temperature data retention and low-power application, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 4 作者
(884) Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_(2) Film, Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_2 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
(885) Study on GeGaSbTe film for long data retention phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2013, 第 3 作者
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(887) 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响, 物理学报, 2013, 第 4 作者
(888) 外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响, Influence of External Cavity Feedback on The Output Characteristics of Quantum-dot Lasers, 发光学报, 2013, 第 8 作者
(889) Switching operation improvement of phase change memory with nanoscale W plug structure by CMP process, ELECTRONICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
(890) Reactive ion etching of Si2Sb2Te5 in CF4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 3 作者
(891) Fast crystallization and low power of Al-doped Sn2Se3 thin films for phase change memory applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 5 作者
(892) Phase-change material Ge0.61Sb2Te for application in high-speed phase change random access memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(893) High tolerance of proton irradiation of Ge2Sb2Te5 phase change material, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 第 6 作者
(894) Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te phase-change material for high-performance phase-change memory, ACTA MATERIALIA, 2013, 第 3 作者
(895) Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展, Research and Development of Chemical Mechanical Planarization for Ge_2Sb_2Te_5, ACTA CHIMICA SINICA, 2013, 第 3 作者
(896) Effects of germanium and nitrogen incorporation on crystallization of N-doped Ge2+xSb2Te5 (x=0,1) thin films for phase-change memory, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 3 作者
(897) Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响, The characteristics of GeTe-Sb thin films with different Sb concentration for phase change memory, 电子显微学报, 2013, 第 8 作者
(898) 纳米SiO2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用, Preparation of Silica-based Slurry and Its Polishing Performance on Sapphire Substrate, 润滑与密封, 2013, 第 5 作者
(899) A lithography-independent and fully confined fabrication process of phase-change materials in metal electrode nanogap with 16-mu A threshold current and 80-mV SET voltage, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2013, 第 9 作者
(900) Study on the thermal stability improvement of GeTe by Al doping, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(901) 大电流负载的片上LDO系统设计, Design of an On-Chip LDO System with Large Loading Current, 电子学报, 2013, 第 7 作者
(902) Optimal Design of Phase Change Random Access Memory based on 130nm CMOS Technology, 2012 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION STORAGE AND NINTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2013, 第 10 作者
(903) 三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究, 功能材料与器件学报, 2013, 第 4 作者
(904) Investigation of Ga8Sb34Se58 Material for Low-Power Phase Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 5 作者
(905) Investigation of Ge-Sn-Te alloy for long data retention and high speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(906) Performance improvement of Ge-Sb-Te material by GaSb doping for phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 8 作者
(907) Application of three-step epitaxial process to dual trench epitaxial diode array., JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 第 3 作者
(908) Femtosecond laser-irradiated crystallization of amorphous Si2Sb2Te3 films and its in-situ characterization by coherent phonon spectroscopy, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 5 作者
(909) A simple method used to evaluate phase-change materials based on focused-ion beam technique, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
(910) The preparation of ceria colloids dispersed by polyvinyl alcohol, CERAMICS INTERNATIONAL, 2013, 第 5 作者
(911) Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 第 2 作者
(912) 一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法, A novel method to prepare monodisperse ultrafine silica particles, 功能材料与器件学报, 2012, 第 3 作者
(913) Understanding of Thermal Engineering for Vertical Nanowire Phase-Change Random Access Memory Partially Wrapped by Low-Conductivity Layer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 7 作者
(914) Superlattice-like electrode for low-power phase-change random access memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(915) Investigation of CuSb4Te2 alloy for high-speed phase change random access memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(916) 一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计, Design of On-Chip LDO System with Enhanced Transient Response, 微电子学, 2012, 第 5 作者
(917) Investigation on Sb-rich Sb–Se–Te phase-change material for phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2012, 第 3 作者
(918) Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 2 作者
(919) N-Doped Si0.6Sb2Te3 Material for Applications of Phase-Change Memory, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 4 作者
(920) The Influence of Sputtering Power on Phase-Change Films, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 第11作者
(921) Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(922) 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计, Design of Low Temperature-Drift Bandgap Voltage Reference with High PSRR, 微电子学, 2012, 第 4 作者
(923) W-Sb-Te phase-change material: A candidate for the trade-off between programming speed and data retention, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者
(924) Chemical mechanical polishing of stainless steel foil as flexible substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 2 作者
(925) Nano-scale gap filling and mechanism of deposit—etch—deposit process for phase-change material, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 3 作者
(926) The study of multi-walled carbon nanotubes with different diameter as anodes for lithium-ion batteries, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 6 作者
(927) Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 4 作者
(928) 一种相变存储器读出电路及其快速读出方法, A Readout Circuit for Phase Change Memory and Its Rapid Read Method, 微电子学, 2012, 第 2 作者
(929) Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第11作者
(930) 基于相变存储器的音频存储播放系统设计, Design of Audio Recording and Playing System Based on Phase Change Memory, 功能材料与器件学报, 2012, 第 3 作者
(931) An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
(932) Local atomic structure in molten Si 3Sb 2Te 3 phase change material, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 第 4 作者
(933) Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(934) Multi-Step Resistance Memory Behavior in Ge2Sb2Te5/GeTe Stacked Chalcogenide Films, INTEGRATED FERROELECTRICS, 2012, 第 4 作者
(935) Direct Tunneling and Storage of Electrons in Ni Nanocrystals Embedded within MOS Structure, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2012, 第 3 作者
(936) Improved thermal and electrical properties of nitrogen-doped Ge-rich Ge 3Sb 2Te 5 for phase-change memory application, MATERIALS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(937) Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 Using Abrasive-Free Solutions of Iron Trichloride, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 8 作者
(938) A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 2 作者
(939) Scaling properties of phase-change line memory, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 3 作者
(940) Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2012, 第 2 作者
(941) SixSb2Te materials with stable phase for phase change random access memory applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 3 作者
(942) Synthesis of crystalline cerium dioxide hydrosol by a sol–gel method, CERAMICS INTERNATIONAL, 2012, 第 6 作者
(943) 相变存储器中灵敏放大器的设计, 微电子学, 2012, 第 7 作者
(944) 自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片, 中国材料进展, 2012, 第 1 作者
(945) 基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计, Design of Key Analog Front-End Circuit for UHF Tags Based on PCRAM, 微电子学, 2012, 第 4 作者
(946) Si/SnSe2 Multilayer Films for Phase Change Memory Applications, INTEGRATED FERROELECTRICS, 2012, 第 6 作者
(947) Superlattice-like GaSb/Sb2Te3 films for low-power phase change memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2012, 第 3 作者
(948) 电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文), Direct Tunneling and Storage of Electrons in Ni Nanocrys-tals Embedded within MOS Structure, 稀有金属材料与工程, 2012, 第 3 作者
(949) Solvent-infiltration imprint lithography: a novel method to prepare large area poly(3-hexylthiophene) micro/nano-patterns, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, 2012, 第 3 作者
(950) Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(951) 用于相变存储器的超低输出纹波电荷泵, Novel Low-Ripple Charge Pump for Phase Chang Memory, 电子科技大学学报, 2012, 第 2 作者
(952) 不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响, Effects of Different Alkaline Agents and Dispersant on the Lapping of Sapphire Substrate, 半导体技术, 2012, 第 3 作者
(953) An 8-Mb Phase-Change Random Access Memory Chip Based on a Resistor-on-Via-Stacked-Plug Storage Cell, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 第 5 作者
(954) Amorphous Ge2Sb2Te5 Chemical Mechanical Planarization Using (NH4)2S2O8 or H2O2 as Oxidizer in Acidic Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 第 3 作者
(955) Triangle Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5 Based Phase Change Memory Devices, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 3 作者
(956) 一种具有掉电数据保持功能的触发器设计, Design of a Flip-flop with Power Failure Data Retention, 微电子学与计算机, 2012, 第 6 作者
(957) Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5, MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2012, 第 4 作者
(958) High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 3 作者
(959) Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous Ga-Sb-Se films and coherent phonon dynamics, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 4 作者
(960) 一种滞环恒流LED驱动电路的电流采样电路, A Current Sensing Circuit for High-power LED Driver Using Hysteresis Current Control, 电子科技, 2012, 第 5 作者
(961) Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials, ACTA MATERIALIA, 2012, 第 2 作者
(962) Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 第 2 作者
(963) 一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法, A novel method to prepare monodisperse ultrafine silica particles, 功能材料与器件学报, 2012, 第 3 作者
(964) Understanding of Thermal Engineering for Vertical Nanowire Phase-Change Random Access Memory Partially Wrapped by Low-Conductivity Layer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 7 作者
(965) Superlattice-like electrode for low-power phase-change random access memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(966) Investigation of CuSb4Te2 alloy for high-speed phase change random access memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(967) 一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计, Design of On-Chip LDO System with Enhanced Transient Response, 微电子学, 2012, 第 5 作者
(968) Investigation on Sb-rich Sb–Se–Te phase-change material for phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2012, 第 3 作者
(969) Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 2 作者
(970) N-Doped Si0.6Sb2Te3 Material for Applications of Phase-Change Memory, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 4 作者
(971) The Influence of Sputtering Power on Phase-Change Films, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 第11作者
(972) Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(973) 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计, Design of Low Temperature-Drift Bandgap Voltage Reference with High PSRR, 微电子学, 2012, 第 4 作者
(974) W-Sb-Te phase-change material: A candidate for the trade-off between programming speed and data retention, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者
(975) Chemical mechanical polishing of stainless steel foil as flexible substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 2 作者
(976) Nano-scale gap filling and mechanism of deposit—etch—deposit process for phase-change material, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 3 作者
(977) The study of multi-walled carbon nanotubes with different diameter as anodes for lithium-ion batteries, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 6 作者
(978) Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 4 作者
(979) 一种相变存储器读出电路及其快速读出方法, A Readout Circuit for Phase Change Memory and Its Rapid Read Method, 微电子学, 2012, 第 2 作者
(980) Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第11作者
(981) 基于相变存储器的音频存储播放系统设计, Design of Audio Recording and Playing System Based on Phase Change Memory, 功能材料与器件学报, 2012, 第 3 作者
(982) An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
(983) Local atomic structure in molten Si 3Sb 2Te 3 phase change material, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 第 4 作者
(984) Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(985) Multi-Step Resistance Memory Behavior in Ge2Sb2Te5/GeTe Stacked Chalcogenide Films, INTEGRATED FERROELECTRICS, 2012, 第 4 作者
(986) Direct Tunneling and Storage of Electrons in Ni Nanocrystals Embedded within MOS Structure, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2012, 第 3 作者
(987) Scaling properties of phase-change line memory, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 3 作者
(988) Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2012, 第 2 作者
(989) SixSb2Te materials with stable phase for phase change random access memory applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 3 作者
(990) Synthesis of crystalline cerium dioxide hydrosol by a sol–gel method, CERAMICS INTERNATIONAL, 2012, 第 6 作者
(991) Improved thermal and electrical properties of nitrogen-doped Ge-rich Ge 3Sb 2Te 5 for phase-change memory application, MATERIALS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(992) 相变存储器中灵敏放大器的设计, 微电子学, 2012, 第 7 作者
(993) 自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片, 中国材料进展, 2012, 第 1 作者
(994) 基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计, Design of Key Analog Front-End Circuit for UHF Tags Based on PCRAM, 微电子学, 2012, 第 4 作者
(995) Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 Using Abrasive-Free Solutions of Iron Trichloride, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 8 作者
(996) A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 2 作者
(997) Si/SnSe2 Multilayer Films for Phase Change Memory Applications, INTEGRATED FERROELECTRICS, 2012, 第 6 作者
(998) Superlattice-like GaSb/Sb2Te3 films for low-power phase change memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2012, 第 3 作者
(999) 电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文), Direct Tunneling and Storage of Electrons in Ni Nanocrys-tals Embedded within MOS Structure, 稀有金属材料与工程, 2012, 第 3 作者
(1000) Solvent-infiltration imprint lithography: a novel method to prepare large area poly(3-hexylthiophene) micro/nano-patterns, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, 2012, 第 3 作者
(1001) Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(1002) 用于相变存储器的超低输出纹波电荷泵, Novel Low-Ripple Charge Pump for Phase Chang Memory, 电子科技大学学报, 2012, 第 2 作者
(1003) 不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响, Effects of Different Alkaline Agents and Dispersant on the Lapping of Sapphire Substrate, 半导体技术, 2012, 第 3 作者
(1004) An 8-Mb Phase-Change Random Access Memory Chip Based on a Resistor-on-Via-Stacked-Plug Storage Cell, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 第 5 作者
(1005) Amorphous Ge2Sb2Te5 Chemical Mechanical Planarization Using (NH4)2S2O8 or H2O2 as Oxidizer in Acidic Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 第 3 作者
(1006) Triangle Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5 Based Phase Change Memory Devices, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 3 作者
(1007) 一种具有掉电数据保持功能的触发器设计, Design of a Flip-flop with Power Failure Data Retention, 微电子学与计算机, 2012, 第 6 作者
(1008) Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5, MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2012, 第 4 作者
(1009) High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 3 作者
(1010) Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous Ga-Sb-Se films and coherent phonon dynamics, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 4 作者
(1011) 一种滞环恒流LED驱动电路的电流采样电路, A Current Sensing Circuit for High-power LED Driver Using Hysteresis Current Control, 电子科技, 2012, 第 5 作者
(1012) Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials, ACTA MATERIALIA, 2012, 第 2 作者
(1013) 一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器, A Low Noise Clock Generator for Phase Change Memory, 微电子学, 2011, 第 3 作者
(1014) Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin films: Structure and phase stability, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 3 作者
(1015) Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1016) Sb-rich Si-Sb-Te phase change material for multilevel data storage: The degree of disorder in the crystalline state, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者
(1017) Ab initio study of Sb 2Se xTe 3− x ( x=0, 1, 2) phase change materials, SOLID STATE SCIENCES, 2011, 第 3 作者
(1018) Al1.3Sb3Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1019) Effect of mechanical process parameters on friction behavior and material removal during sapphire chemical mechanical polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 5 作者
(1020) A Phase Change Memory Device Fabrication Technology Using Si2Sb2Te6 for Low Power Consumption Application, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2011 (CSTIC 2011), 2011, 第 3 作者
(1021) Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(1022) A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, 中国物理快报:英文版, 2011, 
(1023) Advantages of SixSb2Te phase-change material and its applications in phase-change random access memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 第 5 作者
(1024) A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 9 作者
(1025) 一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路, SET Driver for Phase Change Memory Based on Step-Down Current Pulse, 微电子学, 2011, 第 2 作者
(1026) Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1027) 一种1kb相变存储芯片的设计, Design of a 1 kb Phase Change Memory Chip, 微电子学, 2011, 第 2 作者
(1028) 单晶菱形CeOHCO3片状物的制备及其向CeO2的热转换, Single-Crystalline CeOHCO_3 with Rhombic Morphology:Synthesis and Thermal Conversion to CeO_2, 无机化学学报, 2011, 第 4 作者
(1029) Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory, CURRENT APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者
(1030) Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1031) Pressure-induced reversible amorphization and an amorphous-amorphous transition in Ge2Sb2Te5 phase-change memory material, PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 2011, 第 4 作者
(1032) Investigation of HfO 2 doping on GeTe for phase change memory, SOLID STATE SCIENCES, 2011, 第 3 作者
(1033) Stress reduction and performance improvement of phase change memory cell by using Ge2Sb2Te5-TaOx composite films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 2 作者
(1034) Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 第 3 作者
(1035) Preparation of monodisperse polystyrene/silica core–shell nano-composite abrasive with controllable size and its chemical mechanical polishing performance on copper, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 6 作者
(1036) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, 中国物理B, 2011, 第 3 作者
(1037) Complexing Between Additives and Ceria Abrasives Used for Polishing Silicon Dioxide and Silicon Nitride Films, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 3 作者
(1038) A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1039) Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 4 作者
(1040) Study on the crystallization behaviors of Si2Sb2Tex materials, SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 第 3 作者
(1041) 单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文), 无机化学学报, 2011, 第 4 作者
(1042) Study on Interface Adhesion between Phase Change Material Film and SiO2 Layer by Nanoscratch Test, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1043) Crystallization Process of Amorphous GaSb5Te4 Film for High-Speed Phase Change Memory, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011, 第 3 作者
(1044) Phase-change behavior in Si/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 第 3 作者
(1045) Influence of pH and abrasive concentration on polishing rate of amorphous Ge(2)Sb(2)Te(5) film in chemical mechanical polishing, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2011, 第 3 作者
(1046) Single-Crystalline CeOHCO3 with Rhombic Morphology: Synthesis and Thermal Conversion to CeO2, CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY, 2011, 第 4 作者
(1047) Nitrogen incorporated GeTe phase change thin film for high-temperature data retention and low-power application, SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 第 4 作者
(1048) 动力氢镍电池循环寿命仿真方法研究, Research on Simulation Method of Cycle Life for Ni-MH Power Battery, 科学技术与工程, 2011, 第 3 作者
(1049) Investigation of Sb-rich Si2Sb2+x Te-6 material for phase change random access memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 第 3 作者
(1050) 一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究, Performance of a novel composite abrasive in Cu chemical mechanical polishing, 功能材料与器件学报, 2011, 第 6 作者
(1051) Mechanism of Oxidation on Si2Sb2Te5 Phase Change Material and Its Application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 2 作者
(1052) Investigation of phase transition behaviors of the nitrogen-doped Sb-rich Si–Sb–Te films for phase-change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 3 作者
(1053) N-doped Sb2Te phase change materials for higher data retention, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 第 4 作者
(1054) Sb2Te3-HfO2 composite films for low-power phase change memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 第 3 作者
(1055) Investigation of GeTe/Ge2Sb2Te5 Nanocomposite Multilayer Films for Phase-Change Memory Applications, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 4 作者
(1056) Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1057) Phase Change Characteristics of SiO2 Doped Sb2Te3 Materials for Phase Change Memory Application, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 4 作者
(1058) Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 第 2 作者
(1059) Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro- roughness of silicon wafer after final polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 2 作者
(1060) Performance improvement of Sb 2Te 3 phase change material by Al doping, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 3 作者
(1061) Influence of silicon on the thermally-induced crystallization process of Si-Sb4Te phase change materials, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1062) Si-Sb-Te materials for phase change memory applications, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 2 作者
(1063) Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1064) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 3 作者
(1065) 基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器, An 8 Mb Phase Change Random Access Memory Based on 0. 13 μm Technology, 固体电子学研究与进展, 2011, 第11作者
(1066) 用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵, A Switched-Capacitor Charge Pump with 1.5X/2X/3X Booster for PCM, 微电子学, 2011, 第 2 作者
(1067) 一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器, A Low Noise Clock Generator for Phase Change Memory, 微电子学, 2011, 第 3 作者
(1068) Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin films: Structure and phase stability, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 3 作者
(1069) Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1070) Sb-rich Si-Sb-Te phase change material for multilevel data storage: The degree of disorder in the crystalline state, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者
(1071) Ab initio study of Sb 2Se xTe 3− x ( x=0, 1, 2) phase change materials, SOLID STATE SCIENCES, 2011, 第 3 作者
(1072) Al1.3Sb3Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1073) Effect of mechanical process parameters on friction behavior and material removal during sapphire chemical mechanical polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 5 作者
(1074) A Phase Change Memory Device Fabrication Technology Using Si2Sb2Te6 for Low Power Consumption Application, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2011 (CSTIC 2011), 2011, 第 3 作者
(1075) Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(1076) A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, 中国物理快报:英文版, 2011, 
(1077) Advantages of SixSb2Te phase-change material and its applications in phase-change random access memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 第 5 作者
(1078) A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 9 作者
(1079) 一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路, SET Driver for Phase Change Memory Based on Step-Down Current Pulse, 微电子学, 2011, 第 2 作者
(1080) Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1081) 一种1kb相变存储芯片的设计, Design of a 1 kb Phase Change Memory Chip, 微电子学, 2011, 第 2 作者
(1082) 单晶菱形CeOHCO3片状物的制备及其向CeO2的热转换, Single-Crystalline CeOHCO_3 with Rhombic Morphology:Synthesis and Thermal Conversion to CeO_2, 无机化学学报, 2011, 第 4 作者
(1083) Phase transition behaviors of Ga30Sb70/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films for application in phase change random access memory, CURRENT APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者
(1084) Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1085) Pressure-induced reversible amorphization and an amorphous-amorphous transition in Ge2Sb2Te5 phase-change memory material, PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 2011, 第 4 作者
(1086) Investigation of HfO 2 doping on GeTe for phase change memory, SOLID STATE SCIENCES, 2011, 第 3 作者
(1087) Stress reduction and performance improvement of phase change memory cell by using Ge2Sb2Te5-TaOx composite films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 2 作者
(1088) Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 第 3 作者
(1089) Preparation of monodisperse polystyrene/silica core–shell nano-composite abrasive with controllable size and its chemical mechanical polishing performance on copper, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 6 作者
(1090) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, 中国物理B, 2011, 第 3 作者
(1091) Complexing Between Additives and Ceria Abrasives Used for Polishing Silicon Dioxide and Silicon Nitride Films, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 3 作者
(1092) A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1093) Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 4 作者
(1094) Study on the crystallization behaviors of Si2Sb2Tex materials, SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 第 3 作者
(1095) 单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文), 无机化学学报, 2011, 第 4 作者
(1096) Study on Interface Adhesion between Phase Change Material Film and SiO2 Layer by Nanoscratch Test, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1097) Crystallization Process of Amorphous GaSb5Te4 Film for High-Speed Phase Change Memory, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011, 第 3 作者
(1098) Phase-change behavior in Si/Sb80Te20 nanocomposite multilayer films, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 第 3 作者
(1099) Influence of pH and abrasive concentration on polishing rate of amorphous Ge(2)Sb(2)Te(5) film in chemical mechanical polishing, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2011, 第 3 作者
(1100) Single-Crystalline CeOHCO3 with Rhombic Morphology: Synthesis and Thermal Conversion to CeO2, CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY, 2011, 第 4 作者
(1101) Nitrogen incorporated GeTe phase change thin film for high-temperature data retention and low-power application, SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 第 4 作者
(1102) 动力氢镍电池循环寿命仿真方法研究, Research on Simulation Method of Cycle Life for Ni-MH Power Battery, 科学技术与工程, 2011, 第 3 作者
(1103) Investigation of Sb-rich Si2Sb2+x Te-6 material for phase change random access memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 第 3 作者
(1104) 一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究, Performance of a novel composite abrasive in Cu chemical mechanical polishing, 功能材料与器件学报, 2011, 第 6 作者
(1105) Mechanism of Oxidation on Si2Sb2Te5 Phase Change Material and Its Application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 2 作者
(1106) Investigation of phase transition behaviors of the nitrogen-doped Sb-rich Si–Sb–Te films for phase-change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 3 作者
(1107) N-doped Sb2Te phase change materials for higher data retention, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 第 4 作者
(1108) Sb2Te3-HfO2 composite films for low-power phase change memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 第 3 作者
(1109) Investigation of GeTe/Ge2Sb2Te5 Nanocomposite Multilayer Films for Phase-Change Memory Applications, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 4 作者
(1110) Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1111) Phase Change Characteristics of SiO2 Doped Sb2Te3 Materials for Phase Change Memory Application, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 4 作者
(1112) Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 第 2 作者
(1113) Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro- roughness of silicon wafer after final polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 2 作者
(1114) Performance improvement of Sb 2Te 3 phase change material by Al doping, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 3 作者
(1115) Influence of silicon on the thermally-induced crystallization process of Si-Sb4Te phase change materials, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(1116) Si-Sb-Te materials for phase change memory applications, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 2 作者
(1117) Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(1118) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 3 作者
(1119) 基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器, An 8 Mb Phase Change Random Access Memory Based on 0. 13 μm Technology, 固体电子学研究与进展, 2011, 第11作者
(1120) 用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵, A Switched-Capacitor Charge Pump with 1.5X/2X/3X Booster for PCM, 微电子学, 2011, 第 2 作者
(1121) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on Insulator, INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, 2010, 第 4 作者
(1122) Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, 半导体学报, 2010, 第 3 作者
(1123) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 3 作者
(1124) Phase Change Memory Based on (Sb2Te3)(0.85)-(HfO2)(0.15) Composite Film, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010, 第 3 作者
(1125) Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 3 作者
(1126) Phase stability and electronic structure of Si 2Sb 2Te 5 phase-change material, JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2010, 第 4 作者
(1127) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 5 作者
(1128) Three-Dimensional Finite Element Analysis of Phase Change Memory Cell with Thin TiO2 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1129) Novel phase-change material GeSbSe for application of three-level phase-change random access memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 第 2 作者
(1130) 相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法, Analysis and Reducing Method of Disturbing Current among Drive-Diodes in Phase Change Random Access Memory, 电子器件, 2010, 第 3 作者
(1131) Ag–N doped ZnO film and its p–n junction fabricated by ion beam assisted deposition, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 6 作者
(1132) Basic Wet-Etching Solutions for Ge2Sb2Te5 Phase Change Material, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 3 作者
(1133) Three-Dimensional Finite Element Simulations for the Thermal Characteristics of PCRAMs with Different Buffer Layer Materials, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1134) Nanoscale Tapered Pt Bottom Electrode Fabricated by FIB for Low Power and Highly Stable Operations of Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1135) Sb 2Te 3–Ta 2O 5 nano-composite films for low-power phase-change memory application, MATERIALS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1136) Simulation of Voltage SET Operation in Phase-Change Random Access Memories with Heater Addition and Ring-Type Contactor for Low-Power Consumption by Finite Element Modeling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1137) Enhanced Performance of Phase Change Memory Cell Element by Initial Operation and Non-Cumulative Programming, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1138) Characterization of the properties for phase-change material GeSb, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2010, 第 3 作者
(1139) Performance improvement of phase-change memory cell with Ge2Sb2Te5-HfO2 composite films, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2010, 第 2 作者
(1140) Performance improvement of phase change memory cell by using a cerium dioxide buffer layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 第 4 作者
(1141) 相变存储器中选通二极管的模型与优化, Model and Optimization of Switch-Diode in Phase Change Memory, 功能材料与器件学报, 2010, 第 3 作者
(1142) Synthesis, characterization of ceria-coated silica particles and their chemical mechanical polishing performance on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 4 作者
(1143) Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 5 作者
(1144) Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 3 作者
(1145) Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 3 作者
(1146) Investigation on the controllable growth of monodisperse silica colloid abrasives for the chemical mechanical polishing application, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 第 2 作者
(1147) Low-consumption phase change material with good data retention selected from SbxTe., JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 第 3 作者
(1148) Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Cell Featuring Platinum Tapered Heating Electrode For Low-Voltage Operation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 2 作者
(1149) Effect of abrasive particle concentration on preliminary chemical mechanical polishing of glass substrate, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 第 3 作者
(1150) 工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响, Process conditions affected chemical mechanical polishing (CMP) on sapphire, 功能材料与器件学报, 2010, 第 4 作者
(1151) Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 5 作者
(1152) Modified postannealing of the Ge condensation process for better-strained Si material and devices, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 5 作者
(1153) Ge 2Sb 2Te 5 and PbZr 0.30Ti 0.70O 3 composite films for application in phase change random access memory, MATERIALS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1154) Surface modification of ceria nanoparticles and their chemical mechanical polishing behavior on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 4 作者
(1155) Improved Performance of Phase Change Memory Cell with Strontium Titanate and Barium Titanate Buffer Layer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 4 作者
(1156) Particle size and surfactant effects on chemical mechanical polishing of glass using silica-based slurry, APPLIED OPTICS, 2010, 第 3 作者
(1157) 纳米压印技术的最新进展, Latest Progress in Nano-Imprint Lithography, 微纳电子技术, 2010, 第 3 作者
(1158) Ge/Sb 2Te 3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 3 作者
(1159) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on Insulator, INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, 2010, 第 4 作者
(1160) Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, 半导体学报, 2010, 第 3 作者
(1161) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 3 作者
(1162) Phase Change Memory Based on (Sb2Te3)(0.85)-(HfO2)(0.15) Composite Film, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010, 第 3 作者
(1163) Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 3 作者
(1164) Phase stability and electronic structure of Si 2Sb 2Te 5 phase-change material, JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2010, 第 4 作者
(1165) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 5 作者
(1166) Three-Dimensional Finite Element Analysis of Phase Change Memory Cell with Thin TiO2 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1167) Novel phase-change material GeSbSe for application of three-level phase-change random access memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 第 2 作者
(1168) 相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法, Analysis and Reducing Method of Disturbing Current among Drive-Diodes in Phase Change Random Access Memory, 电子器件, 2010, 第 3 作者
(1169) Ag–N doped ZnO film and its p–n junction fabricated by ion beam assisted deposition, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 6 作者
(1170) Basic Wet-Etching Solutions for Ge2Sb2Te5 Phase Change Material, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 3 作者
(1171) Three-Dimensional Finite Element Simulations for the Thermal Characteristics of PCRAMs with Different Buffer Layer Materials, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1172) Nanoscale Tapered Pt Bottom Electrode Fabricated by FIB for Low Power and Highly Stable Operations of Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1173) Sb 2Te 3–Ta 2O 5 nano-composite films for low-power phase-change memory application, MATERIALS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1174) Simulation of Voltage SET Operation in Phase-Change Random Access Memories with Heater Addition and Ring-Type Contactor for Low-Power Consumption by Finite Element Modeling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1175) Enhanced Performance of Phase Change Memory Cell Element by Initial Operation and Non-Cumulative Programming, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1176) Characterization of the properties for phase-change material GeSb, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2010, 第 3 作者
(1177) Performance improvement of phase-change memory cell with Ge2Sb2Te5-HfO2 composite films, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2010, 第 2 作者
(1178) Performance improvement of phase change memory cell by using a cerium dioxide buffer layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 第 4 作者
(1179) 相变存储器中选通二极管的模型与优化, Model and Optimization of Switch-Diode in Phase Change Memory, 功能材料与器件学报, 2010, 第 3 作者
(1180) Synthesis, characterization of ceria-coated silica particles and their chemical mechanical polishing performance on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 4 作者
(1181) Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 5 作者
(1182) Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 3 作者
(1183) Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 3 作者
(1184) Investigation on the controllable growth of monodisperse silica colloid abrasives for the chemical mechanical polishing application, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 第 2 作者
(1185) Low-consumption phase change material with good data retention selected from SbxTe., JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 第 3 作者
(1186) Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Cell Featuring Platinum Tapered Heating Electrode For Low-Voltage Operation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 2 作者
(1187) Effect of abrasive particle concentration on preliminary chemical mechanical polishing of glass substrate, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 第 3 作者
(1188) 工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响, Process conditions affected chemical mechanical polishing (CMP) on sapphire, 功能材料与器件学报, 2010, 第 4 作者
(1189) Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 5 作者
(1190) Modified postannealing of the Ge condensation process for better-strained Si material and devices, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 5 作者
(1191) Ge 2Sb 2Te 5 and PbZr 0.30Ti 0.70O 3 composite films for application in phase change random access memory, MATERIALS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(1192) Surface modification of ceria nanoparticles and their chemical mechanical polishing behavior on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 4 作者
(1193) Improved Performance of Phase Change Memory Cell with Strontium Titanate and Barium Titanate Buffer Layer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 4 作者
(1194) Particle size and surfactant effects on chemical mechanical polishing of glass using silica-based slurry, APPLIED OPTICS, 2010, 第 3 作者
(1195) 纳米压印技术的最新进展, Latest Progress in Nano-Imprint Lithography, 微纳电子技术, 2010, 第 3 作者
(1196) Ge/Sb 2Te 3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 3 作者
(1197) Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 第 6 作者
(1198) Fabrication, constructions and electrical property of Si(2)Sb(2)Te(5) electrical probe storage system, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2009, 第 2 作者
(1199) 金属纳米晶的制备及其在MOS电容结构中的存储特性, Fabrication and charging characteristics of metal nanocrystals in MOS capacitor structure, 功能材料与器件学报, 2009, 第 3 作者
(1200) Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 5 作者
(1201) Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 6 作者
(1202) An SPICE Model for PCM Based on Arrhenius Equation, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 2 作者
(1203) Dry Etching of Nanosized Ge1Sb2Te4 Patterns Using TiN Hard Mask for High Density Phase-Change Memory, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2009, 第 3 作者
(1204) Three-Dimensional Numerical Simulation of Phase-Change Memory Cell with Probe like Bottom Electrode Structure, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 2 作者
(1205) Enhanced surface blistering of germanium with B+/H+ coimplantation, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2009, 第 5 作者
(1206) 电子辐照的P(VDF/TrFE)共聚物的铁电弛豫异常现象, Abnormal ferroelectric relaxation in the electron-irradiated copolymers of vinylidenefluoride and trifluoroethylene, 功能材料与器件学报, 2009, 第 4 作者
(1207) The construction of Si(2)Sb(2)Te(5) electrical probe storage based on UV nanoimprint lithography, NANOTECHNOLOGY, 2009, 第 4 作者
(1208) Planarization machining of sapphire wafers with boron carbide and colloidal silica as abrasives, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 2 作者
(1209) Replication of mold for UV-nanoimprint lithography using AAO membrane, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 6 作者
(1210) Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals, Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals, 半导体学报, 2009, 第 3 作者
(1211) Synthesis and characterization of phase change memory cells, SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2009, 第 6 作者
(1212) N+ plasma-assisted wafer bonding between silicon and chemical vapor deposition oxide at low temperature, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2009, 第 5 作者
(1213) Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 通讯作者
(1214) 压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列, Si2Sb2Te5 Based Ultra-High-Density PCRAM Arrays Fabricated by UV-IL, 微纳电子技术, 2009, 第 3 作者
(1215) 水玻璃为原料制备纳米氧化硅磨料及应用于硅片抛光(英文), 2009国际粉体技术与应用论坛论文集, 2009, 第 2 作者
(1216) Absorption enhancement in 1D Ag/SiO2 metallic-dielectric photonic crystals, OPTICA APPLICATA, 2009, 第 4 作者
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(1218) Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究, Fabrication and Charging Characteristics of Ni Nanocrystals in MOS Capacitor Structure, 固体电子学研究与进展, 2009, 第 4 作者
(1219) Simulation of SET Operation in Phase-Change Random Access Memories with Heater Addition and Ring-Type Contactor for Low-Power Consumption by Finite Element Modeling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 2 作者
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(1223) Phase-Change Characteristics and Thermal Stability of GeTe/Sb2Te3 Nanocomposite Multilayer Films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 3 作者
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(1233) Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 5 作者
(1234) Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 6 作者
(1235) An SPICE Model for PCM Based on Arrhenius Equation, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 2 作者
(1236) Dry Etching of Nanosized Ge1Sb2Te4 Patterns Using TiN Hard Mask for High Density Phase-Change Memory, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2009, 第 3 作者
(1237) Three-Dimensional Numerical Simulation of Phase-Change Memory Cell with Probe like Bottom Electrode Structure, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 2 作者
(1238) Enhanced surface blistering of germanium with B+/H+ coimplantation, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2009, 第 5 作者
(1239) 电子辐照的P(VDF/TrFE)共聚物的铁电弛豫异常现象, Abnormal ferroelectric relaxation in the electron-irradiated copolymers of vinylidenefluoride and trifluoroethylene, 功能材料与器件学报, 2009, 第 4 作者
(1240) The construction of Si(2)Sb(2)Te(5) electrical probe storage based on UV nanoimprint lithography, NANOTECHNOLOGY, 2009, 第 4 作者
(1241) Planarization machining of sapphire wafers with boron carbide and colloidal silica as abrasives, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 2 作者
(1242) Replication of mold for UV-nanoimprint lithography using AAO membrane, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 6 作者
(1243) Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals, Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals, 半导体学报, 2009, 第 3 作者
(1244) Synthesis and characterization of phase change memory cells, SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2009, 第 6 作者
(1245) N+ plasma-assisted wafer bonding between silicon and chemical vapor deposition oxide at low temperature, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2009, 第 5 作者
(1246) Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 通讯作者
(1247) 压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列, Si2Sb2Te5 Based Ultra-High-Density PCRAM Arrays Fabricated by UV-IL, 微纳电子技术, 2009, 第 3 作者
(1248) 水玻璃为原料制备纳米氧化硅磨料及应用于硅片抛光(英文), 2009国际粉体技术与应用论坛论文集, 2009, 第 2 作者
(1249) Absorption enhancement in 1D Ag/SiO2 metallic-dielectric photonic crystals, OPTICA APPLICATA, 2009, 第 4 作者
(1250) Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals, Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2009, 第 3 作者
(1251) Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究, Fabrication and Charging Characteristics of Ni Nanocrystals in MOS Capacitor Structure, 固体电子学研究与进展, 2009, 第 4 作者
(1252) Simulation of SET Operation in Phase-Change Random Access Memories with Heater Addition and Ring-Type Contactor for Low-Power Consumption by Finite Element Modeling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 2 作者
(1253) Simulation of Phase Change Random Access Memory for Low Reset Current and High Thermal Efficiency by Finite Element Modeling, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 3 作者
(1254) O-Doped Si2Sb2Te5 Nano-Composite Phase Change Material for Application of Chalcogenide Random Access Memory, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2009, 第 2 作者
(1255) The effect of annealing and chemical mechanical polishing on Ge2Sb2Te5 phase change memory, SCRIPTA MATERIALIA, 2009, 第 2 作者
(1256) Phase-Change Characteristics and Thermal Stability of GeTe/Sb2Te3 Nanocomposite Multilayer Films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 3 作者
(1257) Cation Effect on Copper Chemical Mechanical Polishing, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 3 作者
(1258) Growth of High Quality Strained-Si on Ultra-Thin SiGe-on-Insulator Substrate, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 5 作者
(1259) Acid and Surfactant Effect on Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 第 3 作者
(1260) Phase change memory cell based on Sb 2Te 3/TiN/Ge 2Sb 2Te 5 sandwich-structure, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 第 2 作者
(1261) Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 6 作者
(1262) Sn12Sb88 material for phase change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 第 2 作者
(1263) Reactive-ion etching of Sn-doped Ge 2Sb 2Te 5 in CHF 3/O 2 plasma for non-volatile phase-change memory device, THIN SOLID FILMS, 2008, 第 3 作者
(1264) Investigation of electron beam induced phase change in Si2Sb2Te5 material, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2008, 第 2 作者
(1265) Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 第 4 作者
(1266) 相变随机存储器材料与结构设计最新进展, Recent Progress on the Materials and Structures for Phase-Change Random Access Memory, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
(1267) Reactive-ion etching of Ge 2Sb 2Te 5 in CF 4/Ar plasma for non-volatile phase-change memories, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 第 3 作者
(1268) Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1269) Investigation of environmental friendly Te-free SiSb material for applications of phase-change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 第 2 作者
(1270) Characterization of anti-adhesive self-assembled monolayer for nanoimprint lithography, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 第 6 作者
(1271) Fabrication of arrays of line with nanoscale width and large length by electron beam lithography with high-precision stage, MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 第 2 作者
(1272) Defect Analysis of Silicon-Silicide-on-Insulator Substrates, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 第 4 作者
(1273) Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 第 3 作者
(1274) 相变存储器驱动电路的设计与实现, Design and Realization of Driving Circuit for Phase-Change RAM Chip, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
(1275) 基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5的相变存储器器件单元存储性能, Storage characteristics of phase change memory cells based on Sn-doped Ge2Sb2Te5, 功能材料与器件学报, 2008, 第 5 作者
(1276) Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 5 作者
(1277) Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 5 作者
(1278) Simulation of phase-change random access memory with ring-type contactor for low reset current by finite element modelling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 3 作者
(1279) Temperature influence on electrical properties of Sb-Te phase-change material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 第 3 作者
(1280) Phase change memory based on ge(2)sb(2)te(5) capped between polygermanium layers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1281) Oxidant addition effect on ge(2)sb(2)te(5) phase change film chemical mechanical polishing, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 第 2 作者
(1282) 纳米相变存储技术研究进展, Development of nano phase change storage technology, 功能材料与器件学报, 2008, 第 1 作者
(1283) High Speed and Ultra-Low-Power Phase Change Line Cell Memory Based on SiSb Thin Films with Nanoscale Gap of Electrodes Less Than 100 nm, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1284) Lower current operation of phase change memory cell with a thin TiO2 layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1285) A 0.18-mu m 3.3V 16k bits 1R1T phase change random access memory (PCRAM) chip, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1286) The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 第 3 作者
(1287) Polycrystalline Si-rich SiSbx bottom heating layer for phase change memory, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1288) Investigation of SOI substrates incorporated with buried MOSi2 for high frequency SiGeHBTs, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 5 作者
(1289) Comparison of the crystallization of Ge-Sb-Te and Si-Sb-Te in a constant-temperature annealing process, SCRIPTA MATERIALIA, 2008, 第 3 作者
(1290) 利用压印技术制备大面积相变材料阵列, Fabrication of Phase Change Materials Large Area Array by Using UV Imprint Lithography, 微细加工技术, 2008, 第 3 作者
(1291) Reactive-ion etching of Sn-doped Ge 2Sb 2Te 5 in CHF 3/O 2 plasma for non-volatile phase-change memory device, THIN SOLID FILMS, 2008, 第 3 作者
(1292) Investigation of electron beam induced phase change in Si2Sb2Te5 material, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2008, 第 2 作者
(1293) Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 第 4 作者
(1294) 相变随机存储器材料与结构设计最新进展, Recent Progress on the Materials and Structures for Phase-Change Random Access Memory, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
(1295) Reactive-ion etching of Ge 2Sb 2Te 5 in CF 4/Ar plasma for non-volatile phase-change memories, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 第 3 作者
(1296) Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1297) Investigation of environmental friendly Te-free SiSb material for applications of phase-change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 第 2 作者
(1298) Characterization of anti-adhesive self-assembled monolayer for nanoimprint lithography, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 第 6 作者
(1299) Fabrication of arrays of line with nanoscale width and large length by electron beam lithography with high-precision stage, MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 第 2 作者
(1300) Defect Analysis of Silicon-Silicide-on-Insulator Substrates, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 第 4 作者
(1301) Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 第 3 作者
(1302) 相变存储器驱动电路的设计与实现, Design and Realization of Driving Circuit for Phase-Change RAM Chip, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
(1303) 基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5的相变存储器器件单元存储性能, Storage characteristics of phase change memory cells based on Sn-doped Ge2Sb2Te5, 功能材料与器件学报, 2008, 第 5 作者
(1304) Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 5 作者
(1305) Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 5 作者
(1306) Simulation of phase-change random access memory with ring-type contactor for low reset current by finite element modelling, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 3 作者
(1307) Temperature influence on electrical properties of Sb-Te phase-change material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 第 3 作者
(1308) Phase change memory based on ge(2)sb(2)te(5) capped between polygermanium layers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1309) Oxidant addition effect on ge(2)sb(2)te(5) phase change film chemical mechanical polishing, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 第 2 作者
(1310) 纳米相变存储技术研究进展, Development of nano phase change storage technology, 功能材料与器件学报, 2008, 第 1 作者
(1311) High Speed and Ultra-Low-Power Phase Change Line Cell Memory Based on SiSb Thin Films with Nanoscale Gap of Electrodes Less Than 100 nm, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1312) Lower current operation of phase change memory cell with a thin TiO2 layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1313) A 0.18-mu m 3.3V 16k bits 1R1T phase change random access memory (PCRAM) chip, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1314) The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 第 3 作者
(1315) Polycrystalline Si-rich SiSbx bottom heating layer for phase change memory, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 第 2 作者
(1316) Investigation of SOI substrates incorporated with buried MOSi2 for high frequency SiGeHBTs, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 5 作者
(1317) Comparison of the crystallization of Ge-Sb-Te and Si-Sb-Te in a constant-temperature annealing process, SCRIPTA MATERIALIA, 2008, 第 3 作者
(1318) 利用压印技术制备大面积相变材料阵列, Fabrication of Phase Change Materials Large Area Array by Using UV Imprint Lithography, 微细加工技术, 2008, 第 3 作者
(1319) Colloidal nano-abrasives and slurry for chemical-mechanical polishing of semiconductor materials, JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH, 2007, 第 2 作者
(1320) 我国相变存储器的研究现状与发展前景, Current Situation and Developing Trend on Phase-Change Memory in China, 微纳电子技术, 2007, 第 2 作者
(1321) Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1322) First-principles study of equilibrium properties and electronic structures of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary crystalline films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007, 第 2 作者
(1323) Effect of chemicals on chemical mechanical polishing of glass substrates, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 3 作者
(1324) Multilevel data storage characteristics of phase change memory cell with douhlelayer chalcogenide films (Ge(2)Sh(2)Te(5) and Sb2Te3), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1325) Effects of Ge doping on the properties of Sb 2Te 3 phase-change thin films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 4 作者
(1326) Advantages of SiSb phase-change material and its applications in phase-change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1327) Material and device properties of ZnO-based film bulk acoustic resonator for mass sensing applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 2 作者
(1328) Chemical mechanical polishing and a succedent reactive ion etching processing of sapphire wafer, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2007, 第 3 作者
(1329) Reversible resistance switching of GeTi thin film used for non-volatile memory, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 4 作者
(1330) 相变存储器单元阵列的自动化演示系统, Automatic demonstration system for phase change memory cell arrays, 微计算机信息, 2007, 第 2 作者
(1331) 相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善, Improvement of Pulse Signal about Test System on Phase Change Memory, 计算机测量与控制, 2007, 第 2 作者
(1332) 相变存储器单元阵列的自动化演示系统, Automatic demonstration system for phase change memory cell arrays, 微计算机信息, 2007, 第 2 作者
(1333) High speed chalcogenide random access memory based on Si2Sb2Te5, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1334) 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性, Charge storage characteristics for Ge nanocrystal floating gate memory, 功能材料与器件学报, 2007, 第 2 作者
(1335) Current-voltage characteristic of C-RAM nano-cell-element, NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY, PTS 1 AND 2, 2007, 第 2 作者
(1336) 用smart-cut方法制备GOI材料及研究, Preparation and investigation of GOI material by using smart- cut technology, 功能材料与器件学报, 2007, 第 5 作者
(1337) Te-free SiSb phase change material for high data retention phase change memory application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1338) Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1339) 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计, Design of High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference, 半导体技术, 2007, 第 2 作者
(1340) Reactive ion etching of Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for nonvolatile phase-change memory device, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2007, 第 3 作者
(1341) Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1342) Investigation of phase change Si 2Sb 2Te 5 material and its application in chalcogenide random access memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 第 2 作者
(1343) 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能, Properties of W Sub-Microtube Heater Electrode Used for Phase Change Memory, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(1344) Ceria concentration effect on chemical mechanical polishing of optical glass, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 3 作者
(1345) Set and reset properties of phase change memory cells with double-layer chalcogenide films (Ge2Sb2Te5 and Sb2Te3), JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2007, 第 2 作者
(1346) Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory, CHINESE PHYSICS, 2007, 第 2 作者
(1347) Colloidal nano-abrasives and slurry for chemical-mechanical polishing of semiconductor materials, JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH, 2007, 第 2 作者
(1348) 我国相变存储器的研究现状与发展前景, Current Situation and Developing Trend on Phase-Change Memory in China, 微纳电子技术, 2007, 第 2 作者
(1349) Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1350) First-principles study of equilibrium properties and electronic structures of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary crystalline films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007, 第 2 作者
(1351) Effect of chemicals on chemical mechanical polishing of glass substrates, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 3 作者
(1352) Multilevel data storage characteristics of phase change memory cell with douhlelayer chalcogenide films (Ge(2)Sh(2)Te(5) and Sb2Te3), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1353) Effects of Ge doping on the properties of Sb 2Te 3 phase-change thin films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 4 作者
(1354) Advantages of SiSb phase-change material and its applications in phase-change memory, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1355) Material and device properties of ZnO-based film bulk acoustic resonator for mass sensing applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 2 作者
(1356) Chemical mechanical polishing and a succedent reactive ion etching processing of sapphire wafer, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2007, 第 3 作者
(1357) Reversible resistance switching of GeTi thin film used for non-volatile memory, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 4 作者
(1358) 相变存储器单元阵列的自动化演示系统, Automatic demonstration system for phase change memory cell arrays, 微计算机信息, 2007, 第 2 作者
(1359) 相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善, Improvement of Pulse Signal about Test System on Phase Change Memory, 计算机测量与控制, 2007, 第 2 作者
(1360) 相变存储器单元阵列的自动化演示系统, Automatic demonstration system for phase change memory cell arrays, 微计算机信息, 2007, 第 2 作者
(1361) High speed chalcogenide random access memory based on Si2Sb2Te5, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1362) 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性, Charge storage characteristics for Ge nanocrystal floating gate memory, 功能材料与器件学报, 2007, 第 2 作者
(1363) Current-voltage characteristic of C-RAM nano-cell-element, NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY, PTS 1 AND 2, 2007, 第 2 作者
(1364) 用smart-cut方法制备GOI材料及研究, Preparation and investigation of GOI material by using smart- cut technology, 功能材料与器件学报, 2007, 第 5 作者
(1365) Te-free SiSb phase change material for high data retention phase change memory application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1366) Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1367) 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计, Design of High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference, 半导体技术, 2007, 第 2 作者
(1368) Reactive ion etching of Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for nonvolatile phase-change memory device, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2007, 第 3 作者
(1369) Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(1370) Investigation of phase change Si 2Sb 2Te 5 material and its application in chalcogenide random access memory, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 第 2 作者
(1371) 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能, Properties of W Sub-Microtube Heater Electrode Used for Phase Change Memory, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(1372) Ceria concentration effect on chemical mechanical polishing of optical glass, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 3 作者
(1373) Set and reset properties of phase change memory cells with double-layer chalcogenide films (Ge2Sb2Te5 and Sb2Te3), JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2007, 第 2 作者
(1374) Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory, CHINESE PHYSICS, 2007, 第 2 作者
(1375) Study on the delamination of tungsten thin films on Sb2Te3, CHINESE PHYSICS, 2006, 第 3 作者
(1376) 纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储, 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会论文集, 2006, 第 3 作者
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(1379) Oxidation of silicon electrochemically etched microchannels Arrays, 2006 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, VOLS 1-3, 2006, 第 6 作者
(1380) 原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化, 电子显微学报, 2006, 第 6 作者
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(1383) ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型, Material Removal Mechanism and Model on Chemical Mechanical Polishing in ULSI, 润滑与密封, 2006, 第 3 作者
(1384) Study on the delamination of tungsten thin films on Sb2Te3, CHINESE PHYSICS, 2006, 第 3 作者
(1385) 纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储, 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会论文集, 2006, 第 3 作者
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(1387) 相变存储器器件单元测试系统, Device Unit Test System on Phase Change Memory, 半导体技术, 2006, 第 2 作者
(1388) Oxidation of silicon electrochemically etched microchannels Arrays, 2006 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, VOLS 1-3, 2006, 第 6 作者
(1389) 原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化, 电子显微学报, 2006, 第 6 作者
(1390) Damascene array structure of phase change memory fabricated with chemical mechanical polishing method, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 第 2 作者
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(1393) 相变型半导体存储器研究进展, 物理, 2005, 第 2 作者
(1394) Ag-SiO_2多层薄膜对光子带隙的影响(英文), 光子学报, 2005, 第 1 作者
(1395) 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
(1396) SOI在射频电路中的应用, 微电子学, 2005, 第 6 作者
(1397) Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
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(1399) ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光, 微纳电子技术, 2005, 第 2 作者
(1400) Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory, Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory, 中国物理快报:英文版, 2005, 第 3 作者
(1401) 硅衬底超精密CMP中抛光液的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(1402) 半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 2 作者
(1403) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(1404) 制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(1405) 硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 2 作者
(1406) 硫系化合物随机存储器在军事及航空航天领域的应用前景, 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 1 作者
(1407) 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 4 作者
(1408) 用于相变存储器多级存储的相变材料, 科技开发动态, 2005, 第 2 作者
(1409) 基于低温键合技术制备SOI材料的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 4 作者
(1410) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(1411) Ag—SiO2多层薄膜对光子带隙的影响, Effects of Multilayer Structure of Ag-SiO2 Films on the Photonic Band Gap, 光子学报, 2005, 第 1 作者
(1412) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文), 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(1413) 相变型半导体存储器研究进展, 物理, 2005, 第 2 作者
(1414) Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
(1415) Ag-SiO_2多层薄膜对光子带隙的影响(英文), 光子学报, 2005, 第 1 作者
(1416) 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
(1417) ULSI化学机械抛光的研究与展望, 微电子学, 2005, 第 2 作者
(1418) SOI在射频电路中的应用, 微电子学, 2005, 第 6 作者
(1419) Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
(1420) 多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展, 半导体技术, 2005, 第 3 作者
(1421) ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光, 微纳电子技术, 2005, 第 2 作者
(1422) Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory, Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory, 中国物理快报:英文版, 2005, 第 3 作者
(1423) 硅衬底超精密CMP中抛光液的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(1424) 半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 2 作者
(1425) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(1426) 制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(1427) 硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 2 作者
(1428) 硫系化合物随机存储器在军事及航空航天领域的应用前景, 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 1 作者
(1429) 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 4 作者
(1430) 用于相变存储器多级存储的相变材料, 科技开发动态, 2005, 第 2 作者
(1431) 基于低温键合技术制备SOI材料的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 4 作者
(1432) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(1433) Ag—SiO2多层薄膜对光子带隙的影响, Effects of Multilayer Structure of Ag-SiO2 Films on the Photonic Band Gap, 光子学报, 2005, 第 1 作者
(1434) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文), 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(1435) Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
(1436) ULSI化学机械抛光的研究与展望, 微电子学, 2005, 第 2 作者
(1437) 硫系化合物随机存储器研究进展, 微纳电子技术, 2004, 第 2 作者
(1438) 等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究, 四川大学学报:工程科学版, 2004, 第 4 作者
(1439) ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究, 电子器件, 2004, 第 2 作者
(1440) SOI在高压器件中的应用, 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ, 2004, 第 5 作者
(1441) 硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究, 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集, 2004, 第 2 作者
(1442) 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜, 功能材料, 2004, 第 6 作者
(1443) 硫系化合物随机存储器研究进展, 微纳电子技术, 2004, 第 2 作者
(1444) 等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究, 四川大学学报:工程科学版, 2004, 第 4 作者
(1445) ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究, 电子器件, 2004, 第 2 作者
(1446) SOI在高压器件中的应用, 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ, 2004, 第 5 作者
(1447) 硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究, 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集, 2004, 第 2 作者
(1448) 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜, 功能材料, 2004, 第 6 作者
(1449) 准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的研究, 中国激光, 2003, 第 2 作者
(1450) 近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展, 功能材料, 2003, 第 4 作者
(1451) 新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征, 功能材料与器件学报, 2003, 第 2 作者
(1452) 近红外波段电子晶体的微细加工方法研究进展, Progress of microfabrication method of near infrared wavelength photonic crystals, 功能材料, 2003, 第 2 作者
(1453) 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能, 半导体学报, 2003, 第 2 作者
(1454) 准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的研究, 中国激光, 2003, 第 2 作者
(1455) 近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展, 功能材料, 2003, 第 4 作者
(1456) 新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征, 功能材料与器件学报, 2003, 第 2 作者
(1457) 近红外波段电子晶体的微细加工方法研究进展, Progress of microfabrication method of near infrared wavelength photonic crystals, 功能材料, 2003, 第 2 作者
(1458) 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能, 半导体学报, 2003, 第 2 作者
(1459) 新型高k栅介质材料研究进展, 功能材料, 2002, 第 2 作者
(1460) 新型高k栅介质材料研究进展, 功能材料, 2002, 第 2 作者
(1461) 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法, 2000, 第 4 作者
(1462) 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法, 2000, 第 4 作者
(1463) 不同气氛下制备的PLT铁电薄膜钉扎现象的研究, 压电与声光, 1999, 第 5 作者
(1464) 一种提高热释电红外探测器响应的方法, 1999, 第 1 作者
(1465) 富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常, 功能材料与器件学报, 1999, 第 4 作者
(1466) 不同气氛下制备的PLT铁电薄膜钉扎现象的研究, 压电与声光, 1999, 第 5 作者
(1467) 一种提高热释电红外探测器响应的方法, 1999, 第 1 作者
(1468) 富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常, 功能材料与器件学报, 1999, 第 4 作者
(1469) 由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象, 材料研究学报, 1998, 第 4 作者
(1470) 由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象, 材料研究学报, 1998, 第 4 作者
(1471) 39Reversible phase-change characteristics and structural origin in Cr doped Ge2Sb2Te5 thin films, Thin Solid Films, 第 4 作者
(1472) 39Reversible phase-change characteristics and structural origin in Cr doped Ge2Sb2Te5 thin films, Thin Solid Films, 第 4 作者
发表著作
( 1 ) 相变存储器, Phase Change Memory, 科学出版社, 2010-02, 第 1 作者
( 2 ) 相变存储器与应用基础, Phase change memory and its application, 科学出版社, 2013-09, 第 1 作者
( 3 ) 大辞海——材料科技卷, 上海辞书出版社, 2014-12, 第 其他 作者
( 4 ) 2049年中国科技与社会愿景新材料与未来世界, 中国材料研究学会, 2020-04, 第 其他 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 45nm相变存储器工程化关键技术与应用, 负责人, 国家任务, 2009-01--2018-09
( 2 ) 高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成, 负责人, 国家任务, 2017-06--2022-06
( 3 ) 大容量三维相变存储器纳米存储阵列制备系统, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2019-12
( 4 ) 上海市半导体存储器制备与测试专业技术服务平台, 负责人, 地方任务, 2017-04--2020-03
( 5 ) 相变存储器神经形态关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
( 6 ) 新型存储的高密度集成, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
( 7 ) 基于多值相变存储的神经形态芯片研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2022-10
( 8 ) 基于相变存储的模拟存内计算芯片, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
参与会议
(1)Phase Change Materials and Phase Change Mechanism   第二十届亚洲科学理事会大会   宋志棠   2021-05-13
(2)The neuromorphic application of phase change materials   第三届IEEE未来计算国际研讨会   2019-12-14
(3)Phase Change Memory:From Fundamental Research to Industrail Development   2019-09-16
(4)High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped Ge2Sb2Te5 in 40nm Node for Embedded Application   Song ZT,Cai DL,Li X,Wang L,Chen YF,Chen HP,Wang Q,Zhan YP,Ji MH   2018-12-05
(5)From octahedral structure motif fo Sub-nanosecond phase transitions on 130 phase change materials for data storage   2018-10-23
(6)Ti-Sb-Te Phase Change Material and Memory Chip   2017-08-31
(7)世界相变存储器的最新研究进展   2016芯片存储技术发展与应用研讨会   2016-11-09
(8)Phase Change Material Innovation and Device Integration by SIMIT and SMIC   亚洲材料大会先进微电子与光电子材料分会   2016-10-20
(9)相变存储技术   中国材料大会2015   2015-07-11
(10)Materials Engineering and Device Integration for Phase Change Random Access Memory    2012-10-22
(11)Phase Change Random Access Memory:Materials and Device Intergration   2011-11-07
(12)Phase Change Materials and Random Access Memory   宋志棠   2010-12-16
(13)Phase Change Materials and Random Access Memory   宋志棠   2009-03-16
(14)产研互动和自主创新并重的纳电子器件发展之路   中国材料研讨会纳米材料分会   宋志棠   2008-10-22
(15)PCRAM材料与器件   第十二届全国电介质物理、材料与应用学术会议   宋志棠   2008-08-18