基本信息
宋志棠  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ztsong@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼401室
邮政编码: 200050

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
新型相变材料
相变存储器的设计、工艺与测试,相变存储器的物理模拟
化学机械抛光,集成电路用磨料

教育背景

1998-02--1999-11   中科院上海微系统所   博士后
1994-09--1997-11   西安交通大学   工学博士
1989-09--1992-07   西安交通大学   工学硕士
1981-09--1985-07   山西大学物理系   理学学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2013-04~现在, 上海微系统所, 超级973项目首席科学家
2013-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 主任
2010-10~现在, 中科院上海微系统所 , 所长助理
2006-01~2010-10,中科院上海微系统所纳米技研究室, 研究员 主任 博导
2003-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 副主任
2002-10~2005-12,半导体薄膜国家工程技术研究中心 , 研究员 主任 博导
2001-03~2002-10,中科院上海微系统所业务处, 处长
2000-05~2001-03,香港理工大学应用物理系, R. F.(高级访问学者)R. A.(助理研究员)
1999-12~2000-05,中科院上海微系统所, 副研究员
1998-02~1999-11,中科院上海微系统所, 博士后
1994-09~1997-11,西安交通大学, 工学博士
1992-07~1994-08,榆次经纬纺织机械厂, 工程师
1989-09~1992-07,西安交通大学, 工学硕士
1985-07~1989-08,太原重型机械学院, 助教
1981-09~1985-07,山西大学物理系, 理学学士
社会兼职
2012-06-05-今,上海市真空学会,
2010-04-15-今,全国纳米技术标准化技术委员纳米加工分委员会, 秘书长
2008-07-01-今,市(地级)政协委员,
2001-03-01-今,九三学社委员,

教授课程

相变存储器技术基础
相变存储技术基础

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国电子学会科学技术奖, 三等奖, 专项, 2017
(2) 上海市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2016
(3) 中国材料研究学会贡献奖, 省级, 2016
(4) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013
(5) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013
(6) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013
(7) 国务院特殊津贴, , 国家级, 2009
(8) 上海市领军人才, , 省级, 2009
(9) 新世纪百千万人才工程国家级人选, , 国家级, 2009
(10) 中科院朱李月华优秀教师, , 研究所(学校), 2009
(11) 中科院院长特别奖导师, 特等奖, 研究所(学校), 2009
(12) 上海市纳米科技创新论坛“创新之星”银奖, 二等奖, 省级, 2008
(13) 上海市长宁区先进工作者, , 省级, 2007
(14) 上海市科技进步一等奖, 一等奖, 省级, 2006
(15) 上海市中长期科学发展规划纲要编制荣誉证书等称号与奖励, , 省级, 2006
(16) 上海市优秀学科带头人, , 省级, 2006
(17) 中科院研究生院优秀教师, , 研究所(学校), 2006
(18) 国家科技进步一等奖, 一等奖, 国家级, 2006
(19) 第五届中国国际发明展览会银奖, 二等奖, 国家级, 2004
(20) 上海新泰个人优秀奖, 特等奖, 省级, 2003
(21) 上海市科技启明星, , 省级, 1999
(22) 上海市优秀博士后, , 省级, 1999
专利成果
( 1 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200910053513.8
( 2 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810204996.
( 3 ) 制备相变材料的溅射靶材的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910196760.3
( 4 ) 一种新型存储系统, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200810040948.4
( 5 ) 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200910053119.4
( 6 ) 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810040952.0
( 7 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810202824.1
( 8 ) 一种硅溶胶晶种的制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200910054211.2
( 9 ) 相变存储单元的读写驱动电路, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200910050914.8
( 10 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810038907.1
( 11 ) 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810207453.6
( 12 ) 动态相变存储器, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810040851.3
( 13 ) 一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810042296.8
( 14 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200910194558.7
( 15 ) 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200810041393.5
( 16 ) 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200610023390.X
( 17 ) 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200810040950.1
( 18 ) 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200610023827.X
( 19 ) 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910201171.X
( 20 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200810204987.3
( 21 ) 基于SiSb复合材料的相变存储器单元, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200810203357.4
( 22 ) 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201010138167.6
( 23 ) 纳米复合相变材料;制备方法及其优选方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201010163476.9
( 24 ) 一种复合相变材料靶材及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910196759.0
( 25 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200810033924.6
( 26 ) 一种快速表征相变材料及介质层的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910200962.0
( 27 ) 相变存储材料及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110033438.6
( 28 ) 复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010275460.7
( 29 ) 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110112153.1
( 30 ) 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010583561.0
( 31 ) 相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 200610028740.1
( 32 ) 用于相变存储器的Sb2TeX-SiO2纳米复合相变材料及制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010569991.7
( 33 ) 一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201210093924.1
( 34 ) 一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010591390.6
( 35 ) 用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010590406.1
( 36 ) 相变存储器单元期间的复合电极结构, 2014, 第 1 作者, 专利号: 200810042218.8
( 37 ) 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210335321.8
( 38 ) 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110331342.8
( 39 ) 相变存储单元及其制造方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201310213980.9
( 40 ) 相变存储单元及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201310306025.X
( 41 ) 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310500580.6 
( 42 ) 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310534339.5 
( 43 ) 包含三明治型电极的相变存储结构的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310370885.X 
( 44 ) 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: US8476085 B1
( 45 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: US8920684 B2
( 46 ) 一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: US8722455 B2
( 47 ) 相变存储器的数据读出电路, 2015, 第 3 作者, 专利号: US8947924 B2
( 48 ) 用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: US14/129955
( 49 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201410115086.2 
( 50 ) 相变存储器及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410504612.4 
( 51 ) 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201410631642.1
( 52 ) 一种相变存储单元及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201510177956.3
( 53 ) 一种支持逻辑电路快速查询的存储器装置及其访问方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201410708797.0 
( 54 ) 文件访问方法及系统, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201310105367.5
( 55 ) 参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201410182102.X 
( 56 ) 用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201510136878.2
( 57 ) 一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201510318780.9
( 58 ) 外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201410712365.7 
( 59 ) 一种具有数据拆分加密功能的嵌入式系统的使用方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410737314.X 
( 60 ) 存储设备及其数据读写方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410562409.2 
( 61 ) 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201410675312.2 
( 62 ) 用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410522199.4 
( 63 ) 具有数据处理功能的文件系统及其使用方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: 201410854347.2
( 64 ) 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201610210819.X
( 65 ) 含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: US9276202B2
( 66 ) 用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: US9362493B2
( 67 ) 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: US9334583B2

出版信息

   
发表论文
(1) A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2018, 第 7 作者
(2) Scandium doped Ge2Sb2Te5 for high-speed and low-power-consumption phase, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 10 作者
(3) Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing, science, 2017, 第 11 作者
(4) Surface Energy Driven Cubic-to-Hexagonal Grain Growth of Ge2Sb2Te5 Thin Film, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 10 作者
(5) The ultrafast phase-change memory with high-thermal stability based on SiC-doped antimony, SCRIPTA MATERIALIA, 2017, 第 10 作者
(6) Threshold switching in SiGeAsTeN chalcogenide glass prepared by As ion implantation into sputtered SiGeTeN film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(7) Programming power reduction in confined phase change memory cells with titanium dioxide clad layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 4 作者
(8) Reversible phase change characteristics of Cr-doped Sb2Te3 films with different initial states induced by femtosecond pulses, ACS Applied Materials & Interfaces, 2016, 第 8 作者
(9) Direct observation of metastable face-centered cubic Sb2Te3 crystal, Nano Research, 2016, 第 8 作者
(10) Low-Energy Amorphization of Ti1Sb2Te5 Phase Change Alloy Induced by TiTe2 Nano-Lamellae, Scientific Reports, 2016, 第 6 作者
(11) Direct observation of titanium-centered octahedra in titanium-antimony-tellurium phase-change material, Nat. Commun, 2015, 第 2 作者
(12) Ti–Sb–Te Alloy: A Candidate for Fast and Long-Life Phase-Change Memory, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2015, 第 4 作者
(13) Understanding the crystallization behavior of as-deposited Ti--Sb--Te alloys through real-time radial distribution functions, Nanoscale, 2015, 第 3 作者
(14) One Order of Magnitude Faster Phase Change at Reduced Power in Ti-Sb-Te, Nature Communication, 2014, 第 11 作者
(15) Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 第 11 作者
(16) High-Speed Phase Change Memory Applications, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
(17) The Micro-Structure and Composition Evolution of Ti-Sb-Te Alloy during Reversible Phase Transition in Phase Change Memory, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
(18) Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te Phase-change Material for High Performance Phase-change Memory, Acta Materialia, 2013, 第 3 作者
(19) Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, Applied Physics Letters, 2013, 第 3 作者
(20) Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for highdensity phase change memory application, Applied Physics Letters, 2012, 第 3 作者
(21) Ti10Sb60Te30 for Phase Change Memory with High-Temperature Data Retention and Rapid crystallization speed, Applied Physics Letters, 2012, 第 3 作者
(22) Stress reduction and performance improvement of phase change memory cell by using Ge2Sb2Te5-TaOx composite films, J. Appl. Phys., 2011, 第 2 作者
(23) Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory,  J. Appl. Phys, 2011, 第 3 作者
(24) Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application, J. Phys. D: Appl. Phys, 2011, 第 3 作者
(25) Si–Sb–Te materials for phase change memory applications, Nanotechnology, 2011, 第 2 作者
(26) Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, Thin Solid Films, 2011, 第 4 作者
(27) Complexing between additives and ceria abrasives used for polishing silicon dioxide and silicon nitride films, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 第 3 作者
(28) Ab initio study of Sb2SexTe3-x (x=0, 1, 2) phase change materials, Solid State Sciences, 2011, 第 3 作者
(29) Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin films: Structure and phase stability, Appl. Surf. Sci, 2011, 第 3 作者
(30) Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device, Solid-State Electronics, 2011, 第 2 作者
(31) A compact spice model with Verilog-A for phase change memory, Chin. Phys. Lett, 2011, 第 2 作者
(32) Study on the crystallization behaviors of Si2Sb2Tex materials, Scripta Materialia, 2011, 第 3 作者
(33) Mechanism of oxidation on Si2Sb2Te5 phase change material and its application, Jpn. J. Appl. Phys, 2011, 第 2 作者
(34) Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro- roughness of silicon wafer after final polishing, Microelectronic Engineering, 2011, 第 2 作者
(35) Influence of pH and Abrasive Concentration on Polishing Rate of Amorphous Ge2Sb2Te5 Film in Chemical Mechanical Polishing, Journal of Vacuum Science Technology B, 2011, 第 3 作者
发表著作
( 1 ) 相变存储器, Phase Change Memory, 科学出版社, 2010-02, 第 1 作者
( 2 ) 相变存储器与应用基础, Phase change memory and its application, 科学出版社, 2013-09, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 45nm相变存储器工程化关键技术与应用, 主持, 国家级, 2009-01--2018-09
( 2 ) 高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成, 主持, 国家级, 2017-06--2022-06
( 3 ) 大容量三维相变存储器纳米存储阵列制备系统, 主持, 部委级, 2018-01--2019-12
( 4 ) 上海市半导体存储器制备与测试专业技术服务平台, 主持, 省级, 2017-04--2020-03
参与会议
(1)Ti-Sb-Te Phase Change Material and Memory Chip   2017-08-31
(2)世界相变存储器的最新研究进展   2016芯片存储技术发展与应用研讨会   2016-11-09
(3)Phase Change Material Innovation and Device Integration by SIMIT and SMIC   亚洲材料大会先进微电子与光电子材料分会   2016-10-20
(4)相变存储技术   中国材料大会2015   2015-07-11
(5)Materials Engineering and Device Integration for Phase Change Random Access Memory    2012-10-22
(6)Phase Change Random Access Memory:Materials and Device Intergration   2011-11-07
(7)Phase Change Materials and Random Access Memory   宋志棠   2010-12-16
(8)Phase Change Materials and Random Access Memory   宋志棠   2009-03-16
(9)产研互动和自主创新并重的纳电子器件发展之路   中国材料研讨会纳米材料分会   宋志棠   2008-10-22
(10)PCRAM材料与器件   第十二届全国电介质物理、材料与应用学术会议   宋志棠   2008-08-18

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生