基本信息
白云  女  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: baiyun@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所四室
邮政编码: 100029

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术

教育背景

2004-09--中国科学院上海技术物理研究所   博士
2001-09--河北师范大学   硕士
1996-09--河北师范大学   学位
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研
2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研
2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后
2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士
1996-09~现在, 河北师范大学, 学位
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110380662.2
( 2 ) 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910306624.5
( 3 ) 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910306635.3
( 4 ) 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210483461.X
( 5 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483401.8
( 6 ) 一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210482757.X
( 7 ) 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483359.X
( 8 ) SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110380007.7
( 9 ) 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410671594.9

出版信息

   
发表论文
(1) Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain, Materials Science Forum, 2017, 第 1 作者
(2) Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet detection with High optical gain, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者
(3) Design and Optimization of AlGaN Solar-blind Double Heterojunction, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者
(4)  Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N,  Journal of Electronic Materials, 2012, 第 1 作者
(5) Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface, Applied Surface Science, 2010, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
( 2 ) 高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 3 ) 1700V/30ASiC MOSFET 器件研制, 主持, 省级, 2017-01--2018-12
( 4 ) 高温SiC芯片研究, 主持, 国家级, 2016-07--2020-12
( 5 ) 化合物基车用芯片材料技术研究, 主持, 院级, 2017-01--2018-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生