基本信息
王翠梅 女 硕导 未知
email: cmwang@semi.ac.cn
address: 北京市海淀区清华东路甲35号
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email: cmwang@semi.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
宽禁带半导体材料与器件
教育背景
2003-09--2006-05 中国科学院半导体研究所 博士
工作经历
工作简历
2006-06~2016-08,中国科学院半导体研究所, 助研,副研2003-09~2006-05,中国科学院半导体研究所, 博士
教授课程
氮化镓微波器件与5G通信半导体微纳加工技术半导体异质结构电学特性的建模分金属有机物化合物气相外延基础及
专利与奖励
奖励信息
(1) 北京市科技进步二等奖, 二等奖, 部委级, 2012
专利成果
( 1 ) 双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610594320.3( 2 ) 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201310048977.6( 3 ) 一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310054863.2( 4 ) 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210467084.0( 5 ) 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 201210348006.9( 6 ) 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110401468.8
出版信息
发表论文
(1) Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors, Chinese Physics Letters, 2017, 第 8 作者(2) Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor, Chinese Physics Letters, 2017, 第 8 作者(3) Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 5 作者(4) Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT, The European Physical Journal Applied Physics, 2015, 第 4 作者(5) Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 4 作者(6) Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 4 作者(7) Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures: The effects of buffer acceptor and channel width, Journal of Applied Physics, 2013, 第 4 作者(8) 2nm低温GaN空间层对AlGaN/InAlN/AlN/GaN异质结构2DEG的影响研究, A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport propertiesof two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 4 作者(9) (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN异质结构载流子限阈特性的自洽模拟, Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 4 作者(10) (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN异质结构载流子限制优化研究, Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B: Physicas of Condensed Matter, 2012, 第 4 作者(11) InAlN/AlN/GaN异质结构压力影响研究, The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure, Eur.Phys.J.Appl.Phys, 2012, 第 3 作者(12) n-GaN中电场影响持续光电导效应研究, Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-GaN, Appl. Phys. Lett. , 2011, 第 4 作者(13) MOCVD方法在Si衬底上生长2μm无裂纹GaN材料, Growth of 2μm Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Chinese Physics Letter, 2011, 第 4 作者(14) Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell, Chinese Physics Letters, 2011, 通讯作者(15) Comparison of as grown and annealed GaN/InGaN:Mg Samples, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 4 作者(16) The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure, Applied physics A, 2011, 通讯作者(17) Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, J Cryst Growth, 2011, 通讯作者(18) Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者(19) Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates., J Cryst Growth, 2011, 第 4 作者(20) Behavioral investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images, Journal of Physics D-Applied Physics, 2011, 第 4 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) W波段GaN材料, 负责人, 国家任务, 2012-01--2016-12( 2 ) 09年专项, 参与, 国家任务, 2009-01--2013-12( 3 ) 11年专项, 参与, 国家任务, 2011-01--2013-12( 4 ) 4英寸材料工程化应用技术, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12( 5 ) 高线性器件研究, 负责人, 国家任务, 2016-12--2018-12
参与会议
(1)Research on InAlN-based HEMT Wang Cuimei, Wang Xiaoliang, Xiao Hongling, Feng Chun, Jiang Lijuan, Chen Hong, Yin Haibo, Wang Zhanguo and Hou Xun 2013-05-13(2)基于InAlN的HEMT材料和器件研究 第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 王翠梅 2012-11-07