080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
085400-电子信息

光电子器件集成
新型光电子器件
光电子材料

2003-09--2006-06   中科院半导体所   博士
1999-09--2002-03   北京科技大学   硕士
1995-09--1999-06   北京科技大学   学士

   

2003-09~2006-06,中科院半导体所, 博士
1999-09~2002-03,北京科技大学, 硕士
1995-09~1999-06,北京科技大学, 学士

光子集成芯片基础
光子集成芯片材料与器件进展

   

（ 1 ） 单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310019746

（ 2 ） 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210319231

（ 3 ） 基于边入射光混频器的THz天线阵列, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210370216

（ 4 ） 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010269026

（ 5 ） 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910078863

（ 6 ） 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910078864

（ 7 ） NPN异质结双极型晶体管激光器, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810240353

（ 8 ）  宽光谱自组织量子点材料的生长方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810240354.8

   

（1） High Speed Directly Modulated DFB Lasers Having MQW Based Passive Reflectors, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 通讯作者
（2） A Novel High Speed Directly Modulated Dual Wavelength 1.3 mu m DFB Laser for THz Communications, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2023, 通讯作者
（3） 1.3 mu m InGaAlAs/InP DFB Laser Integrated With SSC Having Reverse Mesa Ridge Waveguide, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2022, 通讯作者
（4） Up to 50 Gb/s modulation of an EAM integrated widely tunable DBR laser, OPTICS EXPRESS, 2021, 通讯作者
（5） 1.3 μm InGaAlAs/InP laser integrated with laterally tapered SSC in a reverse mesa shape, Optics Express, 2021, 通讯作者
（6） High Speed Waveguide Uni-Traveling Carrier InGaAs/InP Photodiodes Fabricated By Zn Diffusion Doping, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
（7） A10 Gb/s 1.5 mu m Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser*, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 通讯作者
（8） Dual-wavelength DBR laser integrated with high-speed EAM for THz communications, OPTICS EXPRESS, 2020, 通讯作者
（9） 10 Gb/s NRZ and 20 Gb/s PAM4 Transmission Using an EAM-Integrated Widely Tunable DBR Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 通讯作者
（10） Analysis and optimization of 1.5-μm InGaAsP/InP MQWs electroabsorption modulator, OPTIK, 2019, 第 2 作者
（11） 1.55-μm AlGaInAs/InP Sampled Grating Laser Diodes for Mode Locking at Terahertz Frequencies, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2018, 第 1 作者
（12） AlGaInAs EML having high extinction ratios fabricated by identical epitaxial layer technique, OPTICS COMMUNICATIONS, 2018, 通讯作者
（13） Low Chirp EMLs Fabricated By Combining SAG and Double Stack Active Layer Techniques, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2018, 通讯作者
（14） Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
（15） Data Transmission Using a Directly Modulated Widely Tunable DBR Laser With an Integrated Ti Thin Film Heater, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2018, 通讯作者
（16） High-speed directly modulated widely tunable two-section InGaAlAs DBR lasers, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（17） Fabrication of antenna integrated UTC-PDs as THz sources, Terahertz Science and Technology, 2017, 通讯作者
（18） Evanescently Coupled Waveguide InGaAs UTC-PD having an over 21 GHz Bandwidth under Zero Bias, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 通讯作者
（19） Continuous-wave operation up to 20 oC of deep-ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-μm wavelength, Optics Express, 2016, 通讯作者
（20） DBR Laser With Over 20-nm Wavelength Tuning Range, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 通讯作者
（21） Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 通讯作者
（22） Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors, OPTICS EXPRESS, 2014, 通讯作者
（23） Multichannel DFB Laser Arrays Fabricated by Upper SCH Layer SAG Technique, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2014, 第 2 作者
（24） Optimization of selective area growth conditions for the fabrication of multi-wavelength DFB laser array, Optics communications, 2013, 通讯作者
（25） Tunable DFB lasers integrated with Ti thin film heaters fabricated with a simple procedure, OPTICS & LASER TECHNOLOGY, 2013, 
（26） Multi-channel DFB laser array fabricated by SAG with optimized epitaxy conditions, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 通讯作者
（27） Ultrashort Pulse Generation at Quasi-40-GHz by Using a Two-Section Passively Mode-Locked InGaAsP-InP Tensile Strained Quantum-Well Laser, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
（28） A modified SAG technique for the fabrication of DWDM DFB laser arrays with highly uniform wavelength spacings, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 2 作者
（29） Temperature performance of the edge emitting transistor laser, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 通讯作者
（30） Growth simulations of self-assembled nanowires on stepped substrates, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2011, 通讯作者
（31） Inp-based deep-ridge npn transistor laser, OPTICS LETTERS, 2011, 
（32） All-optical clock recovery using a ridge width varied two-section partly gain-coupled DFB self-pulsation laser, OPTICS COMMUNICATIONS, 2010, 
（33） Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 
（34） Size distributions of quantum islands on stepped substrates, JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2009, 
（35） A selective area growth double stack active layer electroabsorption modulator integrated with a distributed feedback laser, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2009, 第 2 作者
（36） A ridge width varied two-section index-coupled DFB self-pulsation laser with a widely tunable frequency range, J. Phys. D: Appl. Phys., 2009, 通讯作者

（ 1 ） 半导体材料研究进展（第一卷，第五章）, Research Progress of Semiconductor Materials（Volume 1，Chapter 5）, 高等教育出版社, 2012-01, 第 4 作者

   

（ 1 ） 脊波导InP基光敏晶体管的研究（子课题）, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 2 ） 10×10Gb/s 并行光发射单片集成芯片设计与制备（子课题）, 负责人, 国家任务, 2011-01--2014-12
（ 3 ） 高性能InP基晶体管激光器研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 4 ） 1×4阵列式波长可调谐40G激光器（子课题）, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 5 ） 基于PD的THz天线阵列研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 6 ） 4×25GHz高线性度直接调制激光器及探测器阵列集成研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 7 ） InP基光子集成发射芯片研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2018-12
（ 8 ） 高功率低发散角激光器芯片, 负责人, 国家任务, 2019-08--2023-03