基本信息
董业民  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ymdong@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海长宁路865号
邮政编码: 200050
部门/实验室:七室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠器件与电路
低温电子学
高性能模拟电路

教育背景

2001-03--2004-08   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   工学博士
1998-09--2001-06   苏州大学物理学院   理学硕士
1994-09--1998-06   苏州大学物理学院   理学学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2007-02~2016-02,格罗方德(新加坡)私人有限公司, 研发部技术经理
2004-01~2007-01,上海华虹宏力半导体制造有限公司, 研发部主任工程师
2001-03~2004-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 工学博士
1998-09~2001-06,苏州大学物理学院, 理学硕士
1994-09~1998-06,苏州大学物理学院, 理学学士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) Integration of trench MOS with low voltage integrated circuits, 2015, 第 3 作者, 专利号: US9209297B2
( 2 ) High voltage trench transistor, 2015, 第 1 作者, 专利号: US9054133B2
( 3 ) Integration of high voltage trench transistor with low voltage CMOS transistor, 2015, 第 3 作者, 专利号: US8999769B2
( 4 ) Integration of trench MOS with low voltage integrated circuits, 2014, 第 3 作者, 专利号: US8637370B2
( 5 ) Integrated circuit system with high voltage transistor and method of manufacture thereof, 2012, 第 1 作者, 专利号: US8138051B2
( 6 ) 具有高电压电晶体的积体电路系统及其制造方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: TWI413211B
( 7 ) 具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN101930946B
( 8 ) 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN100342549C
( 9 ) 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1265433C
( 10 ) 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1261988C
( 11 ) 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1261974C
( 12 ) 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1206725C
( 13 ) 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1199249C
( 14 ) 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1193432C
( 15 ) 一种形成半导体衬底的方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1193421C
( 16 ) 场效应晶体管的制造方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1193414C
( 17 ) 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1184697C
( 18 ) 一种分离栅闪存器件制备工艺, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510557269.4
( 19 ) 一种MOS场效应晶体管, 2016, 第 4 作者, 专利号: ZL201620597513.X
( 20 ) 用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107947774A
( 21 ) 一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN108063133A
( 22 ) 一种ESD保护结构, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN108122904A
( 23 ) 一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN108063134A
( 24 ) 一种SOI下衬底接触引出的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106783729A
( 25 ) 一款基于SOI工艺的D触发器电路设计, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107508578B
( 26 ) 一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810146750.8
( 27 ) 一种基于SOI工艺的压控振荡器电路, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810146296.6
( 28 ) 一种用于锁相环的锁定检测电路, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810145945.0
( 29 ) 一种三模冗余电路结构, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810446851.7
( 30 ) 一种IGBT短路过流保护电路, 2018, 第 4 作者, 专利号: 201810522926.5
( 31 ) 一种CMOS电路与超导SFQ电路的单片集成方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811067650.2
( 32 ) 基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201811243175.X
( 33 ) 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811406131.4
( 34 ) 一种用于Nanoprobe-FIB-TEM失效分析的多用途样品座及其应用, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910339547.1
( 35 ) 一种超薄TEM样品的原位制备方法以及由此得到的超薄TEM薄膜, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910339551.3
( 36 ) 一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质层集成结构, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910339548.1
( 37 ) 一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质材料集成结构, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910340421.1
( 38 ) 改进的汉明码纠错方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910426799.3
( 39 ) 一种柔性SOI器件结构及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910488313.9
( 40 ) 异步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910558207.3
( 41 ) 同步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910558206.9
( 42 ) 存储器及加固待存储数据的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910618491.9
( 43 ) 一种驱动电路、驱动方法及微反射镜阵列, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910629209.7
( 44 ) 一种具有双向SCR结构的ESD保护器件, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910650174.5
( 45 ) 一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910650593.9
( 46 ) 逐步逼近型模数转换装置的电容阵列校准方法和装置, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910687426.1
( 47 ) PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910691004.1
( 48 ) 基于交替偏置的高可靠接口电路及方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 201910712286.9
( 49 ) 一种基于SOI工艺的静电放电保护结构, 2020, 第 2 作者, 专利号: 201910722077.2
( 50 ) 一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910743314.3
( 51 ) 201910773021.X, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810146296.6
( 52 ) 一种静电保护结构及静电保护电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: 201910773025.8
( 53 ) 一种柔性电子器件及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201911000927.4
( 54 ) 半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片及其制作方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201911012066.1
( 55 ) 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201911128957.3
( 56 ) 一种具有双埋氧层的晶体管结构及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201911214247.2

出版信息

   
发表论文
(1) Soft-templated mesoporous carbon-modified glassy carbon electrode for sensitive and selective detection of aristolochic acids, Journal of Hazardous Materials, 2020, 第 7 作者
(2) Effects of boron doping on non-linear properties of SOI with embedded polycrystalline silicon layer for RF applications, Solid-State Electronics, 2020, 第 7 作者
(3) A 16-bit 8-MS/s SAR ADC with a foreground calibration and hybrid-charge-supply power structure, IEICE Electronics Express, 2020, 第 11 作者
(4) A 16 bit 200 kS/s successive approximation register ADC with foreground on-chip self-calibration, IEICE Electronics Express, 2020, 第 11 作者
(5) An Enhanced Well-Changed GGNMOS for 3.3-V ESD Protection in 0.13-μm SOI Process, IEICE Transactions on Electronics, 2020, 第 11 作者
(6) Design of a High-performance Low-cost Radiation-Hardended phased-Locked Loop for Space Application, IEEE Transactions on Aerospace and Electronic Systems, 2020, 第 3 作者
(7) Synthesis of Millimeter-Scale Continuous WS2 Film by Mitigating Poisoning of H-2 on WO2.9 Precursor, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2019, 第 4 作者
(8) One-Transistor Memory Compatible with Si-Based Technology with Multilevel Applications, Advanced Electronic Materials, 2019, 第 11 作者
(9) Multi-core yolk-shell like mesoporous double carbon-coated silicon nanoparticles as anode materials for lithium-ion batteries, Energy Storage Materials, 2019, 第 8 作者
(10) Mn-doped Co3O4 nanoarrays as a promising electrocatalyst for oxygen evolution reaction, Materials Research Express, 2019, 第 3 作者
(11) Glassy Carbon Electrode Modified via Molybdenum Disulfide Decorated Multiwalled Carbon Nanotubes for Sensitive Voltammetric Detection of Aristolochic Acids, Electroanalysis, 2019, 第 6 作者
(12) Flexible, Printable Soft X-ray Detectors Based on All-Inorganic Perovskite Quantum Dots, Advanced Materials, 2019, 第 12 作者
(13) Flexible photodetectors based on reticulated SWNT/perovskite quantum dot heterostructures with ultrahigh durability, Nanoscale, 2019, 第 8 作者
(14) Double-shelled yolk-shell Si@C microspheres based electrochemical sensor for determination of cadmium and lead ions, Analytica Chimica Acta, 2019, 第 8 作者
(15) Comparative Investigation on Bias Dependent RF Performance of SOI Substrates, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 第 5 作者
(16) Capillary-Bridge Mediated Assembly of Aligned Perovskite Quantum Dots for High-Performance Photodetector, Journal of Materials Chemistry C, 2019, 第 10 作者
(17) Fabrication and characterization of radiation hardened SOI wafers via ion-cut technique, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 6 作者
(18) Compact Model for Tunnel Diode Body Contact (TDBC) SOI n-MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 第 7 作者
(19) Body Effects on the Tuning RF Performance of PD SOI Technology Using Four-Port Network, IEEE Electron Device Letters, 2018, 第 11 作者
(20) An Electrochemical Sensor Based on Green γ-AlOOH-Carbonated Bacterial Cellulose Hybrids for Simultaneous Determination Trace Levels of Cd(II) and Pb(II) in Drinking Water, Journal of The Electrochemical Society, 2018, 第 11 作者
(21) Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 5 作者
(22) Study of Total-Ionizing-Dose Effects on a Single-Event-Hardened Phase-Locked Loop, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 第 3 作者
(23) Investigation of radiation hardened SOI wafer fabricated by ion-cut technique, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2018, 第 6 作者
(24) Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Chinese Physics Letters, 2018, 第 5 作者
(25) A 12 bit 120MS/s SHA-less Pipeline ADC with Capacitor Mismatch Error Calibration, IEICE Electronics Express, 2018, 第 5 作者
(26) 基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计, Design of the WiFi Power Amplifier in 0.13μm CMOS, 半导体技术, 2017, 第 4 作者
(27) Fabrication of radiation hardened SOI with embedded Si nanocrystal by ion-cut technique, J. Vac. Sci. Tech. B, 2017, 第 6 作者
(28) SOI标准单元库抗总剂量辐射验证方法研究, 半导体技术, 2017, 第 5 作者
(29) Substrate current characterization and optimization of high voltage LDMOS transistors, Solid-State Electronics, 2008, 第 3 作者
(30) A comprehensive study of reducing the STI mechanical stress effect on channel-width-dependent Idsat, Semiconductor Science and Technology, 2007, 第 4 作者
(31) The formation of thick buried oxide layers using ion implantation from water plasma, Thin Solid Films, 2005, 第 3 作者
(32) Patterned silicon-on-insulator technology for RF Power LDMOSFET, Microelectronic Engineering, 2005, 第 3 作者
(33) Synthesis and Thermal Conductivity Measurement of High-Integrity Ultrathin Oxygen-Implanted Buried Oxide Layers, Japanese Journal of Applied Physics, 2004, 第 1 作者
(34) Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation, Journal of Physics D: Applied Physics, 2004, 第 1 作者
(35) Optimized implant dose and energy to fabricate high-quality patterned SIMOX SOI materials, Solid State Communications, 2004, 第 1 作者
(36) Patterned buried oxide layers under a single MOSFET to improve the device performance, Semiconductor Science and Technology, 2004, 第 1 作者
(37) Formation of ultra-thin silicon-on-insulator materials by low-dose low-energy oxygen ion implantation, Chemical Physics Letters, 2003, 第 3 作者
(38) Low defect density and planar patterned SOI materials by masked SIMOX, Chemical Physics Letters, 2003, 第 1 作者
(39) Formation of silicon islands free buried oxide layer by energy optimization at very low dose ion implantation, Surface and Coatings Technology, 2002, 第 3 作者
(40) Room-temperature visible electroluminescence of Al-doped silicon oxide films, Applied Physics Letters, 2001, 第 2 作者
(41) Photoluminescence from Ge-Si02 thin films and its mechanism, Chinese Science Bulletin, 2001, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高可靠SOI芯片化系统集成技术, 主持, 部委级, 2016-07--2019-06
( 2 ) 130nm高可靠SOI工艺与设计平台, 主持, 国家级, 2014-10--2018-11
( 3 ) 低温存储器研发, 主持, 部委级, 2018-02--2022-12
( 4 ) XXXX分析软件, 主持, 国家级, 2020-01--2022-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生