III族氮化物半导体材料MOCVD外延生长及其光电子器件研究

招收有志于从事第三代半导体——III族氮化物半导体材料与光电器件研究，光电器件应用开发研究，具有物理、电子和微电子背景的学生。

080903-微电子学与固体电子学

宽禁带半导体光电子材料与器件

   

2015/09-至今,中科院长春光机所, 副研究员
2011/09-2014/07,中国科学院大学/中科院长春光机所,博士
2009/09-2015/09,中科院长春光机所, 助理研究员
2007/07-2009/09,中科院长春光机所, 研究实习员
2004/09-2007/07,福州大学, 硕士
2000/09-2004/07,福州大学, 学士

（ 1 ） 一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN115831993A

（ 2 ） 全彩LED微显示阵列结构、制备方法、全彩LED微显示器, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN115692576A

（ 3 ） 日盲紫外光电探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114171634A

（ 4 ） 一种氮化物半导体材料的外延生长方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112820626A

（ 5 ） 一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112086436A

（ 6 ） 一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111807315A

（ 7 ） 单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器及其制作方法, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111584674A

（ 8 ） 一种背照射紫外红外双色光电探测器及其制备方法, 专利授权, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111081792A

（ 9 ） 一种场致电子束泵浦紫外光源, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109546527A

（ 10 ） 一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器及其制作方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109494275A

（ 11 ） 一种AlGaN基紫外探测器极其制作方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109346551A

（ 12 ） 紫外红外双色探测器及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108417660A

（ 13 ） 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108091657A

（ 14 ） 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法, 发明专利, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107808819A

（ 15 ） 一种获得高质量AlN模板的方法, 发明专利, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107768234A

（ 16 ） 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法, 发明专利, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107703718A

（ 17 ） 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法, 专利授权, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107681017A

（ 18 ） 一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统, 发明专利, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107587189A

（ 19 ） 一种近红外探测器, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107093642A

（ 20 ） 一种Ⅲ族氮化物半导体材料螺位错的标定方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106971954A

（ 21 ） 一种近红外探测器及其制备方法, 专利授权, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105895728A

（ 22 ） 具有可重复的双极阻抗开关特性的Ⅲ族氮化物忆阻器, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105720193A

（ 23 ） PBN型InGaAs红外探测器, 专利授权, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN105185846A

（ 24 ） 一种制备高质量氮化物的方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104328488A

（ 25 ） PNIN型InGaAs红外探测器, 专利授权, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104319307A

（ 26 ） 光电探测成像系统及其成像方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103969693A

（ 27 ） 石墨烯增强型InGaAs红外探测器, 专利授权, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103383976A

（ 28 ） 宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器, 专利授权, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103383977A

（ 29 ） 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法, 专利授权, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103247709A

（ 30 ） 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法, 发明专利, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102280370A

（ 31 ） 采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法, 专利授权, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102263166A

（ 32 ） 一种生长高铟组分铟镓砷的方法, 发明专利, 2011, 第 8 作者, 专利号: CN102140695A

（ 33 ） 宽探测波段的InGaAs红外探测器, 发明专利, 2011, 第 8 作者, 专利号: CN102130200A

（ 34 ） 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102005173A

（ 35 ） 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101887214A

（ 36 ） 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101881927A

（ 37 ） 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101882548A

（ 38 ） 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101866797A

（ 39 ） 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101866796A

已指导学生

韩五月  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

周星宇  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

范欣野  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

施嘉旺  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹玉  硕士研究生  085400-电子信息  

张天琪  硕士研究生  085400-电子信息  

​1. A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes, Mater. Lett., 2022, 第1作者

2. The effect of dislocation-related V-shaped pits preparation on the strain of AlN templates, Thin Solid Films, 2021, 通讯作者

3. Dual-band solar-blind UV photodetectors based on AlGaN/AlN superlattices, Mater. Lett., 2021, 第1作者

4. Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates, Mater. Lett., 2020, 第1作者

5. AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a λ-cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL, J. Alloy. Compd., 2020, 第1作者

6. Realization of an efficient electron source by ultraviolet-light-assisted field emission from a one-dimensional ZnO nanorods/n-GaN heterostructure photoconductive detector, Nanoscale, 2019, 第1作者

7. Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations, J. Alloy. Compd., 2019, 通讯作者

8. The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 第1作者

9. Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti/Si₃N₄/n-GaN MIS device, J. Alloy. Compd., 2018, 第1作者

10. The influence of n-AlGaN inserted layer on the performance of back-illuminated AlGaN-based p-i-n ultraviolet photodetectors, Physica Status Solidi A, 2018, 第1作者

11. High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 通讯作者

12. Experimental evaluation of the average energy for impact ionization by holes in Al_0.4Ga_0.6N alloy, IEEE Photonics Journal, 2017, 通讯作者

13. Dependence of dark current and photoresponse on polarization charges for AlGaN-based heterojunction p-i-n photodetectors, Physica Status Solidi A, 2017, 通讯作者

14. Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism, Appl. Phys. Lett., 2014, 第1作者

15. Optimized performances of tetrapod-like ZnO nanostructures for a triode structure field emission planar light source, Nanoscale, 2014, 第1作者

16. Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD, Mater. Lett., 2014, 第1作者

17. Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper metallic particles, Nanoscale Res. Lett., 2011, 第1作者

18. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation, J. Semicond., 2011, 第1作者