长期从事化合物微波器件与电路研究 

   

080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

射频、微波器件与电路集成技术
微细加工

2012-09--2018-06   中科院微电子所   博士
1992-09--1996-07   南开大学   学士

南开大学 --19960704 本科

中国科学院大学 2012-2016 博士

-- 博士

   

2021-06-28-今,《JOURNAL OF SCIENCE advanced materials and devices》, 审稿人
2019-07-31-今,《International journal of Rf and microwave computer-aided engineering》, 审稿人
2019-02-01-今,《MATERIAL SCIENCE IN SEMICONDUCTOR POCRSSING》》, 审稿人
2018-12-31-今,《MICROEKECTRONICS RELIABILITY 》, 审稿人
2017-01-01-今,《中国物理》审稿人,
2017-01-01-今,《半导体学报》审稿人,

   

（1） 北京市科技进步一等奖, 一等奖, 省级, 2004

[1] 康玄武, 孙跃, 刘新宇, 郑英奎, 魏珂. 氮化镓基垂直器件及其制备方法. CN: CN111009600B, 2022-02-22.
[2] 张昇, 魏珂, 王鑫华, 刘新宇, 王万礼, 张新玲, 张俊芳. 一种高电子迁移率晶体管的栅结构及其制备方法. CN: CN113725288A, 2021-11-30.
[3] 罗卫军, 夏志颖, 闫伟, 刘果果, 袁婷婷, 魏珂, 金智, 刘新宇. 基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备. CN: CN113271067A, 2021-08-17.
[4] 狄皓月, 刘果果, 元赛飞, 袁婷婷, 陈晓娟, 魏珂, 刘新宇. 一种低噪声放大器和射频前端电路. CN: CN113067552A, 2021-07-02.
[5] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 魏珂. 增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法. CN: CN112951911A, 2021-06-11.
[6] 李佳, 魏珂, 袁婷婷, 张昇, 杜泽浩. 高电子场效应晶体管及其制作方法. CN: CN112928022A, 2021-06-08.
[7] 刘芷诫, 郑英奎, 康玄武, 陈晓娟, 魏珂, 刘新宇. 薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法. CN: CN112883676A, 2021-06-01.
[8] 康玄武, 赵志波, 郑英奎, 魏珂, 刘新宇. 降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法. CN: CN112802748A, 2021-05-14.
[9] 闫伟, 罗卫军, 夏志颖, 刘果果, 袁婷婷, 魏珂, 金智, 刘新宇. 一种具有深回退区间的Doherty功率放大器. CN: CN112636697A, 2021-04-09.
[10] 杜泽浩, 魏珂, 陈晓娟, 张昇. 一种半导体器件及制备方法. CN: CN112599589A, 2021-04-02.
[11] 张昇, 魏珂, 张一川. 高电子迁移率晶体管. CN: CN112436056A, 2021-03-02.
[12] 黄森, 施雯, 王鑫华, 魏珂, 刘新宇. 基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法. CN: CN112345614A, 2021-02-09.
[13] 郭富强, 黄森, 王鑫华, 魏珂, 刘新宇. 氮化镓基电子器件及其制作方法. CN: CN112259459A, 2021-01-22.
[14] 王鑫华, 刘新宇, 黄森, 蒋浩杰, 魏珂, 殷海波, 樊捷. 一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法. CN: CN111509036A, 2020-08-07.
[15] 赵瑞, 黄森, 毕岚, 王鑫华, 魏珂, 刘新宇. GaN基功率晶体管结构及其制备方法. CN: CN111312815A, 2020-06-19.
[16] 刘新宇, 王成森, 殷海波, 黄森, 王鑫华, 魏珂, 黄健, 张超, 吴耀辉. 一种氮化镓电子器件的复合介质结构. CN: CN210467851U, 2020-05-05.
[17] 康玄武, 刘新宇, 郑英奎, 魏珂. 氮化镓传感器件及其制备方法. CN: CN110988065A, 2020-04-10.
[18] 刘新宇, 王成森, 殷海波, 黄森, 王鑫华, 魏珂, 黄健, 张超, 吴耀辉. 一种氮化镓电子器件的复合介质结构及制备方法. CN: CN110491939A, 2019-11-22.
[19] 刘新宇, 王成森, 黄森, 王鑫华, 康玄武, 魏珂, 黄健. GaN基垂直型功率晶体管器件. CN: CN209119111U, 2019-07-16.
[20] 黄森, 王鑫华, 刘新宇, 魏珂, 施雯. P型沟道GaN基结构及电子器件. CN: CN109962100A, 2019-07-02.
[21] 刘春雨, 王鑫华, 黄森, 魏珂, 刘新宇. GaN MIS-HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型. CN: CN109933897A, 2019-06-25.
[22] 王元琨, 黄森, 王鑫华, 殷海波, 魏珂, 刘新宇. GaN基超结型垂直功率晶体管及其制作方法. CN: CN109888012A, 2019-06-14.
[23] 刘新宇, 王成森, 王鑫华, 王泽卫, 黄森, 康玄武, 魏珂, 黄健. 一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件. CN: CN208873725U, 2019-05-17.
[24] 刘新宇, 王成森, 黄森, 王鑫华, 康玄武, 魏珂, 黄健. GaN基垂直型功率晶体管器件及其制作方法. CN: CN108807542A, 2018-11-13.
[25] 张昇, 魏珂, 张一川. 高电子迁移率晶体管. CN: CN108777262A, 2018-11-09.
[26] 刘新宇, 黄森, 王鑫华, 康玄武, 魏珂. 一种GaN基增强型功率电子器件及其制作方法. CN: CN108598164A, 2018-09-28.
[27] 王鑫华, 刘新宇, 黄森, 魏珂, 蒋浩杰, 李俊峰, 王文武. 一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法. CN: CN108565221A, 2018-09-21.
[28] 康玄武, 刘新宇, 郑英奎, 魏珂. 一种横向氮化镓功率整流器件及其制作方法. CN: CN108365017A, 2018-08-03.
[29] 康玄武, 刘新宇, 黄森, 王鑫华, 魏珂. 一种横向氮化镓功率整流器件及其制作方法. CN: CN108365018A, 2018-08-03.
[30] 康玄武, 刘新宇, 郑英奎, 黄森, 王鑫华, 魏珂. 一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法. CN: CN108198758A, 2018-06-22.
[31] 康玄武, 刘新宇, 郑英奎, 黄森, 王鑫华, 魏珂. 一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法. CN: CN108198865A, 2018-06-22.
[32] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 康玄武, 魏珂. GaN基单片功率变换器及其制作方法. CN: CN108022925A, 2018-05-11.
[33] 徐鼎, 陈晓娟, 魏珂, 张昇. 功率放大器. CN: CN304624812S, 2018-05-11.
[34] 王鑫华, 王泽卫, 黄森, 魏珂, 刘新宇. 基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构. CN: CN107919386A, 2018-04-17.
[35] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 康玄武, 魏珂. GaN基单片功率逆变器及其制作方法. CN: CN107887383A, 2018-04-06.
[36] 王鑫华, 黄森, 魏珂, 刘新宇. GaN与Si异质键合结构. CN: CN107768347A, 2018-03-06.
[37] 黄森, 刘新宇, 康玄武, 王鑫华, 魏珂. 增强型GaN基功率晶体管器件及其制作方法. CN: CN106783612A, 2017-05-31.
[38] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 康玄武, 魏珂. 一种GaN基增强型电子器件的材料结构. CN: CN106783945A, 2017-05-31.
[39] 康玄武, 刘新宇, 黄森, 王鑫华, 魏珂. 氮化镓基功率开关器件及其制作方法. CN: CN106601798A, 2017-04-26.
[40] 康玄武, 刘新宇, 黄森, 王鑫华, 魏珂. 氮化镓基功率二极管及其制作方法. CN: CN106601825A, 2017-04-26.
[41] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 康玄武, 魏珂. GaN基HEMT器件栅极结构. CN: CN106549051A, 2017-03-29.
[42] 刘新宇, 康玄武, 王鑫华, 黄森, 魏珂. GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件. CN: CN106206295A, 2016-12-07.
[43] 夏志颖, 罗卫军, 闫伟, 刘果果, 袁婷婷, 魏珂, 金智, 刘新宇. 一种紧凑型宽带Doherty功率放大器. CN: CN205792463U, 2016-12-07.
[44] 刘新宇, 康玄武, 王鑫华, 黄森, 魏珂, 王文武, 侯瑞兵. 氮化镓器件介质生长方法及系统. CN: CN105957824A, 2016-09-21.
[45] Liu, Xinyu, Huang, Sen, Wang, Xinhua, Wei, Ke, Wang, Wenwu, Li, Junfeng, Zhao, Chao. Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same. CN: US20160268124(A1), 2016-09-15.
[46] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 魏珂, 包琦龙, 王文武, 赵超. 一种GaN基功率电子器件及其制备方法. CN: CN105895526A, 2016-08-24.
[47] 刘新宇, 王鑫华, 黄森, 魏珂, 王文武, 侯瑞兵. 面向GaN器件的介质生长系统及其操作方法. CN: CN105470169A, 2016-04-06.
[48] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 魏珂, 包琦龙, 罗军, 赵超. 一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法. CN: CN105390382A, 2016-03-09.
[49] 刘新宇, 黄森, 王鑫华, 魏珂. III族氮化物低损伤刻蚀方法. CN: CN105355550A, 2016-02-24.
[50] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 魏珂. 一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法. CN: CN105355555A, 2016-02-24.
[51] 王鑫华, 黄森, 魏珂, 刘新宇. GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法. CN: CN105206524A, 2015-12-30.
[52] 刘新宇, 黄森, 王鑫华, 魏珂, 王文武, 李俊峰, 赵超. 低界面态器件及其制造方法. CN: CN104658894A, 2015-05-27.
[53] 袁婷婷, 魏珂, 郑英奎, 刘新宇. 一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法. CN: CN103745944A, 2014-04-23.
[54] 魏珂, 刘果果, 孔欣, 樊杰, 黄森, 刘新宇. 一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法. CN: CN103730348A, 2014-04-16.
[55] 魏珂, 刘果果, 孔欣, 樊杰, 黄森, 刘新宇. 一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法. CN: CN103730340A, 2014-04-16.
[56] 赵妙, 刘新宇, 魏珂, 孔欣, 王兵, 郑英奎, 李艳奎, 欧阳思华. 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法. CN: CN103713252A, 2014-04-09.
[57] 刘果果, 魏珂, 孔欣, 刘新宇. 一种深亚微米U型栅槽的制作方法. CN: CN103715077A, 2014-04-09.
[58] 刘果果, 魏珂, 孔欣, 刘新宇. 一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法. CN: CN103700583A, 2014-04-02.
[59] 赵妙, 郑英奎, 刘新宇, 彭铭曾, 李艳奎, 欧阳思华, 魏珂. 双沟道晶体管及其制备方法. CN: CN103681830A, 2014-03-26.
[60] 黄森, 刘新宇, 王鑫华, 魏珂, 刘果果, 章晋汉, 郑英奎, 陈向东, 张昊翔, 封飞飞, 万远涛. GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法. CN: CN103606516A, 2014-02-26.
[61] 王鑫华, 刘新宇, 黄森, 郑英奎, 魏珂, 陈向东, 张昊翔, 封飞飞, 万远涛. 一种通过瞬态电流谱提取缺陷时间常数的方法. CN: CN103593581A, 2014-02-19.
[62] 孔欣, 魏珂, 刘新宇, 刘果果. 减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法. CN: CN103426740A, 2013-12-04.
[63] 袁婷婷, 陈晓娟, 魏珂, 刘新宇, 李滨. 一种对晶圆表面进行处理的方法. CN: CN103311094A, 2013-09-18.
[64] 刘果果. HEMT器件及其制造方法. CN: CN103117221A, 2013-05-22.
[65] 赵妙, 刘新宇, 郑英奎, 彭铭曾, 魏珂, 欧阳思华. 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法. CN: CN102955112A, 2013-03-06.
[66] 彭铭曾, 郑英奎, 魏珂, 刘新宇. 一种增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法. CN: CN102789982A, 2012-11-21.
[67] 刘果果, 魏珂, 黄俊, 刘新宇. 一种T型栅的制备方法. CN: CN102569054A, 2012-07-11.
[68] 魏珂, 郑英奎, 刘新宇, 刘果果, 彭明曾. 监控栅槽刻蚀的方法. CN: CN102479732A, 2012-05-30.
[69] 魏珂, 刘新宇, 黄俊, 刘果果, 罗卫军. 控制背孔剖面形状的方法. CN: CN102456611A, 2012-05-16.
[70] 魏珂, 黄俊, 刘果果, 刘新宇. 控制背孔剖面形状的方法. CN: CN102456610A, 2012-05-16.
[71] 魏珂, 刘新宇, 黄俊, 刘果果. 一种T型栅HEMT器件及其制作方法. CN: CN102361010A, 2012-02-22.
[72] 魏珂, 刘新宇, 黄俊, 刘果果. 一种T型栅HEMT器件及其制作方法. CN: CN102354666A, 2012-02-15.
[73] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 郑英奎, 欧阳思华, 魏珂, 李艳奎. 一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法. CN: CN102346232A, 2012-02-08.
[74] 黄俊, 魏珂, 刘果果, 樊捷, 刘新宇. 降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法. CN: CN102339748A, 2012-02-01.
[75] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 郑英奎, 李艳奎, 欧阳思华, 魏珂. 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法. CN: CN102338846A, 2012-02-01.
[76] 黄俊, 魏珂, 刘新宇, 刘果果, 樊捷. 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法. CN: CN102315123A, 2012-01-11.
[77] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 郑英奎, 魏珂. 一种检测器件肖特基漏电模式的方法. CN: CN102298100A, 2011-12-28.
[78] 刘果果, 魏珂, 黄俊, 刘新宇. 一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法. CN: CN102299071A, 2011-12-28.
[79] 庞磊, 陈晓娟, 罗卫军, 魏珂, 刘新宇. 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法. CN: CN102237339A, 2011-11-09.
[80] 魏珂, 黄俊, 刘果果, 李诚瞻, 刘新宇. SiC衬底的减薄方法. CN: CN102214568A, 2011-10-12.
[81] 孔欣, 魏珂, 刘新宇, 黄俊, 刘果果. 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法. CN: CN102201334A, 2011-09-28.
[82] 王亮, 蒲颜, 袁婷婷, 欧阳思华, 庞磊, 刘果果, 魏珂, 刘新宇. 一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法. CN: CN102074489A, 2011-05-25.
[83] 李诚瞻, 黄俊, 郑英奎, 刘果果, 和致经, 魏珂, 刘新宇. 一种电子束对准标记的制作方法. CN: CN101383268B, 2010-09-15.
[84] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 李诚瞻, 魏珂, 郑英奎. 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法. CN: CN101707184A, 2010-05-12.
[85] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 魏珂, 郑英奎. 已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法. CN: CN101661885A, 2010-03-03.
[86] 蒲颜, 罗卫军, 陈晓娟, 魏珂, 刘新宇. 一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法. CN: CN101661921A, 2010-03-03.
[87] 李诚瞻, 魏珂, 郑英奎, 刘果果, 和致经, 刘新宇, 刘键. 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法. CN: CN101459080A, 2009-06-17.
[88] 李诚瞻, 魏珂, 郑英奎, 刘果果, 黄俊, 刘新宇. 氮化镓基场效应管及其制备方法. CN: CN101442071A, 2009-05-27.
[89] 李诚瞻, 魏珂, 刘新宇, 刘键, 刘果果, 郑英奎, 王冬冬, 黄俊, 和致经. 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法. CN: CN101414562A, 2009-04-22.
[90] 刘果果, 魏珂, 黄俊, 刘新宇. HEMT器件及其制造方法. CN: CN101320750A, 2008-12-10.
[91] 刘果果, 刘新宇, 郑英奎, 魏珂. 一种场效应晶体管多层场板器件及其制作方法. CN: CN101232045A, 2008-07-30.
[92] 刘果果, 和致经, 魏珂, 刘新宇, 郑英奎. 一种电子束对准标记的制作方法及其应用. CN: CN101149563A, 2008-03-26.
[93] 魏珂, 和致经, 刘新宇, 刘健, 吴德馨. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统. CN: CN100367475C, 2008-02-06.
[94] 苏树兵, 刘训春, 于进勇, 刘新宇, 王润梅, 郑英奎, 魏珂, 汪宁. 异质结双极晶体管T型发射极金属图形制作方法的改进. CN: CN101017781A, 2007-08-15.
[95] 郑英奎, 魏珂, 和致经, 刘新宇. 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法. CN: CN1801465A, 2006-07-12.
[96] 魏珂, 和致经, 刘新宇, 刘健, 吴德馨. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统. CN: CN1734730A, 2006-02-15.
[97] 魏珂, 和致经, 刘新宇, 刘健, 吴德馨. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统. CN: CN1734728A, 2006-02-15.
[98] 魏珂, 和致经, 刘新宇, 刘健, 吴德馨. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统. CN: CN1734732A, 2006-02-15.
[99] 魏珂, 和致经, 刘健, 刘新宇, 吴德馨. 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统. CN: CN1734731A, 2006-02-15.

   

[1] Zhang, Sheng, Liu, Xinyu, Wei, Ke, Huang, Sen, Chen, Xiaojuan, Zhang, Yichuan, Zheng, Yingkui, Liu, Guoguo, Yuan, Tingting, Wang, Xinhua, Yin, Haibo, Yao, Yao, Niu, Jiebin. Suppression of Gate Leakage Current in Ka-Band AlGaN/GaN HEMT With 5-nm SiN Gate Dielectric Grown by Plasma-Enhanced ALD. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2021, 68(1): 49-52, http://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3037888.
[2] Zhang, S, Wei, K, Zhang, Y C, Chen, X J, Huang, S, Yin, H B, Liu, G G, Yuan, T T, Zheng, Y K, Wang, X H, Liu, X Y. Well-suppressed interface states and improved transport properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with PEALD SiN gate dielectric. VACUUM[J]. 2021, 191: http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110359.
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（ 1 ） GaN 宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究”, 负责人, 国家任务, 2008-01--2012-12
（ 2 ） 新型高频、大功率化合物半导体电子器件研究, 参与, 国家任务, 2010-01--2014-12
（ 3 ） GaN基毫米波功率器件与材料基础与关键技术研究, 参与, 国家任务, 2009-01--2013-12
（ 4 ） GaN 功率器件与电路, 负责人, 国家任务, 2014-01--2018-12
（ 5 ） GaN 器件与电路, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 6 ） GaN 器件与电路, 负责人, 国家任务, 2010-01--2018-06
（ 7 ） GaN放大器, 参与, 中国科学院计划, 2019-09--2021-09
（ 8 ） GaN 电路, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12

（1）High Power added efficiency AlGaN/GaN HEMT with ALD/PECVD SiN   国际氮化物大会   2019-07-07
（2）An improved gate-trench by varying etching pressure for AlGaN/GaN HEMT   国际等离子大会   魏珂 等   2018-11-03

已指导学生

李佳  硕士研究生  085209-集成电路工程  

闫伟  硕士研究生  085209-集成电路工程  

张尚伟  硕士研究生  085209-集成电路工程  

杜泽浩  硕士研究生  085209-集成电路工程  

现指导学生

王建超  硕士研究生  085400-电子信息  

周爱玲  硕士研究生  085400-电子信息