基本信息
田晓丽 女 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： tianxiaoli@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
电子邮件： tianxiaoli@ime.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
功率半导体器件,宽禁带碳化硅电力电子器件及集成技术
教育背景
2012-09--2016-06 中国科学院微电子研究所 博士
2006-09--2009-06 四川大学 硕士
2002-09--2006-06 四川大学 本科
2006-09--2009-06 四川大学 硕士
2002-09--2006-06 四川大学 本科
专利与奖励
专利成果
[1] 邱乐山, 白云, 刘新宇, 汤益丹, 郝继龙, 杨成樾, 田晓丽. 一种抗单粒子辐照效应的MOSFET器件及其制作方法. CN: CN116705858A, 2023-09-05.
[2] 王二俊, 田晓丽, 刘新宇, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏. 一种平面栅IGBT器件及其制备方法. CN: CN115425075A, 2022-12-02.
[3] 杨雨, 田晓丽, 刘新宇, 白云, 杨成樾, 王二俊, 汤益丹, 陈宏. 一种非对称沟槽栅SiC IGBT器件及其制备方法. CN: CN115148800A, 2022-10-04.
[4] 杨雨, 田晓丽, 刘新宇, 白云, 杨成樾, 王二俊, 汤益丹, 陈宏. 一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法. CN: CN114843339A, 2022-08-02.
[5] 汤益丹, 刘新宇, 白云, 田晓丽, 杨成樾, 陈宏, 郝继龙. 热电联合仿真方法及装置. CN: CN116432368A, 2023-07-14.
[6] 杨成樾, 刘新宇, 白云, 王臻星, 韩忠霖, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 陆江, 郝继龙. 一种SiC沟槽的刻蚀方法. CN: CN115527848A, 2022-12-27.
[7] 杨成樾, 刘新宇, 白云, 王臻星, 韩忠霖, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 陆江, 郝继龙. 一种碳化硅沟槽侧壁粗糙度的测量方法. CN: CN115083935A, 2022-09-20.
[8] 白云, 刘新宇, 郝继龙, 汤益丹, 田晓丽, 杨成樾, 陈宏, 陆江. 一种碳化硅电力电子器件制备方法. CN: CN114843186A, 2022-08-02.
[9] 白云, 郝继龙, 刘新宇, 杨成樾, 陈宏, 汤益丹, 田晓丽, 陆江. 一种碳化硅器件的制备方法. CN: CN114843185A, 2022-08-02.
[10] 白云, 刘建君, 刘新宇, 郝继龙, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 杨成樾, 陆江. 一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法. CN: CN114783862A, 2022-07-22.
[11] 刘新宇, 尤楠楠, 王盛凯, 汤益丹, 白云, 田晓丽, 陆江, 陈宏, 杨成樾. 一种半导体材料掺杂后退火的方法. CN: CN114334644A, 2022-04-12.
[12] 冯旺, 田晓丽, 杨雨, 白云, 陆江, 刘新宇. N沟道SiC IGBT器件的制作方法. CN: CN111508837A, 2020-08-07.
[13] 田晓丽, 冯旺, 杨雨, 陆江, 白云, 刘新宇. 抗闩锁绝缘栅双极晶体管器件. CN: CN111223922A, 2020-06-02.
[14] 田晓丽, 冯旺, 杨雨, 陆江, 白云, 杨成樾, 刘新宇. 一种碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN111048580A, 2020-04-21.
[15] 刘新宇, 王盛凯, 白云, 韩忠霖, 汤益丹, 田晓丽, 陈宏, 杨成樾. SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳杂质类型与位置分布的测定方法. CN: CN109540969A, 2019-03-29.
[16] 刘新宇, 王盛凯, 白云, 汤益丹, 韩忠霖, 杨成樾, 田晓丽, 陈宏. SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳残留浓度的测定方法及其应用. CN: CN109283298A, 2019-01-29.
[17] 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽. 紫外探测器及其制备方法. CN: CN109301007A, 2019-02-01.
[18] 田晓丽, 谭犇, 宋瓘, 白云, 杨成樾. 一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN109244127A, 2019-01-18.
[19] 谭犇, 田晓丽, 白云, 宋瓘, 顾航, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. RC-IGBT器件及其制备方法. CN: CN108649068A, 2018-10-12.
[20] 董升旭, 白云, 田晓丽, 汤益丹, 杨成樾, 陈宏, 王臻星, 刘新宇. 超级结肖特基二极管与其制作方法. CN: CN108336129A, 2018-07-27.
[21] 田晓丽, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法. CN: CN107658213A, 2018-02-02.
[22] 田晓丽, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 一种碳化硅器件终端及其制作方法. CN: CN107507859A, 2017-12-22.
[23] 田晓丽, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 碳化硅功率器件终端及其制作方法. CN: CN107293599A, 2017-10-24.
[24] 李泽宏, 郭绪阳, 张明, 陈文梅, 伍济, 陈钱, 任敏, 张金平, 高巍, 张波. 一种逆导型IGBT器件. CN: CN105206656A, 2015-12-30.
[25] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽. TI-IGBT的制作方法. CN: CN104979283A, 2015-10-14.
[26] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽, 喻巧群. 一种TI-IGBT器件. CN: CN103872053A, 2014-06-18.
[27] 滕渊, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今. 一种低压RB-IGBT的制备方法. CN: CN103617955A, 2014-03-05.
[28] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 陆江. 用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区. CN: CN103839993A, 2014-06-04.
[29] 张文亮, 朱阳军. 绝缘栅型双极晶体管. CN: CN203134807U, 2013-08-14.
[30] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 陆江. 一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法. CN: CN103839989A, 2014-06-04.
[31] 田晓丽, 朱阳军, 卢烁今, 吴振兴. 一种中高压IGBT终端. CN: CN203134805U, 2013-08-14.
[32] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 赵佳. 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法. CN: CN103839991A, 2014-06-04.
[33] 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 卢烁今, 张杰. 一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法. CN: CN103839992A, 2014-06-04.
[34] 田晓丽, 朱阳军, 陆江, 赵佳, 左小珍. 一种IGBT的版图. CN: CN203521422U, 2014-04-02.
[35] 胡爱斌, 朱阳军, 卢烁今, 王波",null,null,"田晓丽. 一种IGBT结构及其制作方法. CN: CN103839994A, 2014-06-04.
[36] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 胡爱斌. 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法. CN: CN104009072A, 2014-08-27.
[37] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 褚为利. 一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法. CN: CN103872113A, 2014-06-18.
[38] 张文亮, 田晓丽, 朱阳军, 卢烁今. 一种逆导型IGBT的背面版图布局. CN: CN202977426U, 2013-06-05.
[39] 张文亮, 田晓丽, 朱阳军, 胡爱斌. 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法. CN: CN103872110A, 2014-06-18.
[40] 张文亮, 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴. 逆导型IGBT的制备方法. CN: CN103871876A, 2014-06-18.
[41] 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 吴振兴. 逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN103855089A, 2014-06-11.
[42] 朱阳军, 张文亮, 田晓丽, 胡爱斌. 超结的制作方法. CN: CN103854999A, 2014-06-11.
[43] 朱阳军, 吴振兴, 田晓丽, 卢烁今. 内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN103854998A, 2014-06-11.
[44] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 陆江. 一种半导体功率器件. 中国: CN203026509U, 2013-06-26.
[45] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽, 胡爱斌, 卢烁今. 一种逆导型IGBT器件及其形成方法. CN: CN103855198A, 2014-06-11.
[46] 喻巧群, 朱阳军, 左小珍, 赵佳, 田晓丽. 一种IGBT版图. CN: CN203026511U, 2013-06-26.
[47] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 胡爱斌. 一种高压半导体器件及其终端. CN: CN202839619U, 2013-03-27.
[48] 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 吴振兴. 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法. CN: CN102856352A, 2013-01-02.
[49] 朱阳军, 田晓丽, 孙宝刚, 卢烁今. 微穿通型IGBT器件及其制作方法. CN: CN102856353A, 2013-01-02.
[50] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 张彦飞, 卢烁今. 一种场限环结构. CN: CN202111097U, 2012-01-11.
[51] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 卢烁今. 结终端延伸结构及其制造方法. CN: CN102842609A, 2012-12-26.
[2] 王二俊, 田晓丽, 刘新宇, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏. 一种平面栅IGBT器件及其制备方法. CN: CN115425075A, 2022-12-02.
[3] 杨雨, 田晓丽, 刘新宇, 白云, 杨成樾, 王二俊, 汤益丹, 陈宏. 一种非对称沟槽栅SiC IGBT器件及其制备方法. CN: CN115148800A, 2022-10-04.
[4] 杨雨, 田晓丽, 刘新宇, 白云, 杨成樾, 王二俊, 汤益丹, 陈宏. 一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法. CN: CN114843339A, 2022-08-02.
[5] 汤益丹, 刘新宇, 白云, 田晓丽, 杨成樾, 陈宏, 郝继龙. 热电联合仿真方法及装置. CN: CN116432368A, 2023-07-14.
[6] 杨成樾, 刘新宇, 白云, 王臻星, 韩忠霖, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 陆江, 郝继龙. 一种SiC沟槽的刻蚀方法. CN: CN115527848A, 2022-12-27.
[7] 杨成樾, 刘新宇, 白云, 王臻星, 韩忠霖, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 陆江, 郝继龙. 一种碳化硅沟槽侧壁粗糙度的测量方法. CN: CN115083935A, 2022-09-20.
[8] 白云, 刘新宇, 郝继龙, 汤益丹, 田晓丽, 杨成樾, 陈宏, 陆江. 一种碳化硅电力电子器件制备方法. CN: CN114843186A, 2022-08-02.
[9] 白云, 郝继龙, 刘新宇, 杨成樾, 陈宏, 汤益丹, 田晓丽, 陆江. 一种碳化硅器件的制备方法. CN: CN114843185A, 2022-08-02.
[10] 白云, 刘建君, 刘新宇, 郝继龙, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 杨成樾, 陆江. 一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法. CN: CN114783862A, 2022-07-22.
[11] 刘新宇, 尤楠楠, 王盛凯, 汤益丹, 白云, 田晓丽, 陆江, 陈宏, 杨成樾. 一种半导体材料掺杂后退火的方法. CN: CN114334644A, 2022-04-12.
[12] 冯旺, 田晓丽, 杨雨, 白云, 陆江, 刘新宇. N沟道SiC IGBT器件的制作方法. CN: CN111508837A, 2020-08-07.
[13] 田晓丽, 冯旺, 杨雨, 陆江, 白云, 刘新宇. 抗闩锁绝缘栅双极晶体管器件. CN: CN111223922A, 2020-06-02.
[14] 田晓丽, 冯旺, 杨雨, 陆江, 白云, 杨成樾, 刘新宇. 一种碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN111048580A, 2020-04-21.
[15] 刘新宇, 王盛凯, 白云, 韩忠霖, 汤益丹, 田晓丽, 陈宏, 杨成樾. SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳杂质类型与位置分布的测定方法. CN: CN109540969A, 2019-03-29.
[16] 刘新宇, 王盛凯, 白云, 汤益丹, 韩忠霖, 杨成樾, 田晓丽, 陈宏. SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳残留浓度的测定方法及其应用. CN: CN109283298A, 2019-01-29.
[17] 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽. 紫外探测器及其制备方法. CN: CN109301007A, 2019-02-01.
[18] 田晓丽, 谭犇, 宋瓘, 白云, 杨成樾. 一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN109244127A, 2019-01-18.
[19] 谭犇, 田晓丽, 白云, 宋瓘, 顾航, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. RC-IGBT器件及其制备方法. CN: CN108649068A, 2018-10-12.
[20] 董升旭, 白云, 田晓丽, 汤益丹, 杨成樾, 陈宏, 王臻星, 刘新宇. 超级结肖特基二极管与其制作方法. CN: CN108336129A, 2018-07-27.
[21] 田晓丽, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法. CN: CN107658213A, 2018-02-02.
[22] 田晓丽, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 一种碳化硅器件终端及其制作方法. CN: CN107507859A, 2017-12-22.
[23] 田晓丽, 白云, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 碳化硅功率器件终端及其制作方法. CN: CN107293599A, 2017-10-24.
[24] 李泽宏, 郭绪阳, 张明, 陈文梅, 伍济, 陈钱, 任敏, 张金平, 高巍, 张波. 一种逆导型IGBT器件. CN: CN105206656A, 2015-12-30.
[25] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽. TI-IGBT的制作方法. CN: CN104979283A, 2015-10-14.
[26] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽, 喻巧群. 一种TI-IGBT器件. CN: CN103872053A, 2014-06-18.
[27] 滕渊, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今. 一种低压RB-IGBT的制备方法. CN: CN103617955A, 2014-03-05.
[28] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 陆江. 用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区. CN: CN103839993A, 2014-06-04.
[29] 张文亮, 朱阳军. 绝缘栅型双极晶体管. CN: CN203134807U, 2013-08-14.
[30] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 陆江. 一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法. CN: CN103839989A, 2014-06-04.
[31] 田晓丽, 朱阳军, 卢烁今, 吴振兴. 一种中高压IGBT终端. CN: CN203134805U, 2013-08-14.
[32] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 赵佳. 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法. CN: CN103839991A, 2014-06-04.
[33] 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 卢烁今, 张杰. 一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法. CN: CN103839992A, 2014-06-04.
[34] 田晓丽, 朱阳军, 陆江, 赵佳, 左小珍. 一种IGBT的版图. CN: CN203521422U, 2014-04-02.
[35] 胡爱斌, 朱阳军, 卢烁今, 王波",null,null,"田晓丽. 一种IGBT结构及其制作方法. CN: CN103839994A, 2014-06-04.
[36] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 胡爱斌. 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法. CN: CN104009072A, 2014-08-27.
[37] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 褚为利. 一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法. CN: CN103872113A, 2014-06-18.
[38] 张文亮, 田晓丽, 朱阳军, 卢烁今. 一种逆导型IGBT的背面版图布局. CN: CN202977426U, 2013-06-05.
[39] 张文亮, 田晓丽, 朱阳军, 胡爱斌. 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法. CN: CN103872110A, 2014-06-18.
[40] 张文亮, 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴. 逆导型IGBT的制备方法. CN: CN103871876A, 2014-06-18.
[41] 朱阳军, 田晓丽, 张文亮, 吴振兴. 逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN103855089A, 2014-06-11.
[42] 朱阳军, 张文亮, 田晓丽, 胡爱斌. 超结的制作方法. CN: CN103854999A, 2014-06-11.
[43] 朱阳军, 吴振兴, 田晓丽, 卢烁今. 内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法. CN: CN103854998A, 2014-06-11.
[44] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 陆江. 一种半导体功率器件. 中国: CN203026509U, 2013-06-26.
[45] 张文亮, 朱阳军, 田晓丽, 胡爱斌, 卢烁今. 一种逆导型IGBT器件及其形成方法. CN: CN103855198A, 2014-06-11.
[46] 喻巧群, 朱阳军, 左小珍, 赵佳, 田晓丽. 一种IGBT版图. CN: CN203026511U, 2013-06-26.
[47] 褚为利, 朱阳军, 田晓丽, 胡爱斌. 一种高压半导体器件及其终端. CN: CN202839619U, 2013-03-27.
[48] 朱阳军, 田晓丽, 卢烁今, 吴振兴. 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法. CN: CN102856352A, 2013-01-02.
[49] 朱阳军, 田晓丽, 孙宝刚, 卢烁今. 微穿通型IGBT器件及其制作方法. CN: CN102856353A, 2013-01-02.
[50] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 张彦飞, 卢烁今. 一种场限环结构. CN: CN202111097U, 2012-01-11.
[51] 田晓丽, 朱阳军, 吴振兴, 卢烁今. 结终端延伸结构及其制造方法. CN: CN102842609A, 2012-12-26.
出版信息
发表论文
[1] Solid State Electronics. 2024, 通讯作者
[2] Japanese Journal of Applied Physics. 2024, 通讯作者
[3] 电源学报. 2023, 通讯作者
[4] Yang, Liao, Bai, Yun, Li, Chengzhan, Yang, Chengyue, Chen, Hong, Tang, Yidan, Hao, Jilong, Tian, Xiaoli, Liu, Xinyu. Gate Oxide Instability of 4H-SiC p-Channel MOSFET Induced by AC Stress at 200 degrees C. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2023, 第 8 作者70(1): 379-382,
[5] 冯旺, 刘新宇, 田晓丽, 杨雨, 郑昌伟. 10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现. 电源学报[J]. 2023, 第 3 作者21(01期): 202-207, VIP_JournalArticle.
[6] 成国栋, 陆江, 翟露青, 白云, 田晓丽, 左欣欣, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究. 微电子学[J]. 2022, 第 5 作者52(3): 466-472, http://microelec.ijournals.cn/wdzx/article/abstract/20220322?st=article_issue.
[7] 电力电子技术. 2020, 通讯作者
[8] Lu, Jiang, Liu, Jiawei, Tian, Xiaoli, Chen, Hong, Tang, Yidan, Bai, Yun, Li, Chengzhan, Liu, Xinyu. Impact of Varied Buffer Layer Designs on Single-Event Response of 1.2-kV SiC Power MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2020, 第 3 作者67(9): 3698-3704, http://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3008398.
[9] Hao, JiLong, Bai, Yun, Liu, XinYu, Li, ChengZhan, Tang, YiDan, Chen, Hong, Tian, XiaoLi, Lu, Jiang, Wang, ShengKai. Improved electrical properties of NO-nitrided SiC/SiO 2 interface after electron irradiation. CHINESE PHYSICS B[J]. 2020, 第 7 作者29(9): http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/ab9434.
[10] 冯旺, 田晓丽, 陆江, 白云. 碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件发展概述. 电力电子技术[J]. 2020, 第 2 作者54(10): 1-4, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103115800.
[11] Liu, Jiawei, Lu, Jiang, Tian, Xiaoli, Chen, Hong, Bai, Yun, Liu, Xinyu. Reliability enhanced SiC MOSFET with partially widened retrograde P-well structure. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2020, 第 3 作者56(23): 1273-+, https://www.doi.org/10.1049/el.2020.1627.
[12] Lu, Jiang, Liu, Jiawei, Tian, Xiaoli, Chen, Hong, Bai, Yun, Liang, Fei, Liu, Xinyu. 1200 V buried gate fin p-body IGBT with ultralow on-state voltage and good short circuit capability. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2020, 第 3 作者56(20): 1082-+, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000581633600022.
[13] 田晓丽. Impact of varied buffer layer design on single-event-reponse of 1.2kV SiC power MOSFETs. Transactions on Electron Devices. 2020, 第 1 作者
[14] 田晓丽. Simulation Study for the Structural Cell Design Optimization of 15kV SiC p-Channel IGBTs. Materials Science Forum. 2019, 第 1 作者
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发表著作
（1） 功率半导体器件基础, 电子工业出版社, 2013-02, 第 5 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 功率模块测试与验证, 负责人, 国家任务, 2013-01--2020-06
（ 2 ） 车用高温大电流SiC芯片研发, 负责人, 国家任务, 2017-06--2021-12
（ 3 ） 3300V 超高压电力电子器件产业化开发, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2019-12
（ 4 ） “新型电力电子器件联合研发中心”项目, 参与, 企业委托, 2017-01--2022-12
（ 5 ） 轨道交通用高压大电流SiC芯片研制与可靠性研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2022-11
（ 6 ） 超高压碳化硅电力电子器件产业化开发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-01
（ 7 ） 应用于汽车电子的IGBT产品开发, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 2 ） 车用高温大电流SiC芯片研发, 负责人, 国家任务, 2017-06--2021-12
（ 3 ） 3300V 超高压电力电子器件产业化开发, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2019-12
（ 4 ） “新型电力电子器件联合研发中心”项目, 参与, 企业委托, 2017-01--2022-12
（ 5 ） 轨道交通用高压大电流SiC芯片研制与可靠性研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2022-11
（ 6 ） 超高压碳化硅电力电子器件产业化开发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-01
（ 7 ） 应用于汽车电子的IGBT产品开发, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12