专利成果
[1] 叶振华, 孙渟, 胡晓宁, 廖清君. 一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法. CN: CN110243779B, 2021-08-06.[2] 叶振华, 王进东, 廖清君, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 孙渟, 丁瑞军, 何力. 基于超表面的红外彩色探测器. CN: CN212539415U, 2021-02-12.[3] 叶振华, 王进东, 廖清君, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 孙渟, 丁瑞军, 何力. 一种基于超表面的红外彩色探测器. CN: CN112013956A, 2020-12-01.[4] 叶振华, 王进东, 廖清君, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 孙渟, 丁瑞军, 何力. 一种基于超表面的红外伪彩色探测器. CN: CN110823377A, 2020-02-21.[5] 叶振华, 张伟婷, 陈星, 刘丰硕, 孙常鸿. 一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法. CN: CN110793644A, 2020-02-14.[6] 叶振华, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 丁瑞军, 何力. 同时模式双波段碲镉汞探测器. CN: CN209929317U, 2020-01-10.[7] 叶振华, 张伟婷, 陈星, 刘丰硕, 孙常鸿. 一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法. CN: CN110631715A, 2019-12-31.[8] 叶振华, 张伟婷, 陈星, 刘丰硕, 孙常鸿. 一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构. CN: CN110487203A, 2019-11-22.[9] 叶振华, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 丁瑞军, 何力. 一种同时模式双波段碲镉汞探测器. CN: CN110265492A, 2019-09-20.[10] 叶振华, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 丁瑞军, 何力. 可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器. CN: CN208904029U, 2019-05-24.[11] 叶振华, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 丁瑞军, 何力. 有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器. CN: CN208690263U, 2019-04-02.[12] 胡晓宁, 张姗, 樊华, 廖清君, 叶振华, 林春, 丁瑞军, 何力. 一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片. 中国: CN105762209B, 2018.08.14.[13] 叶振华, 刘棱枫, 崔爱梁, 张伟婷, 丁瑞军, 何力. 一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器. 中国: CN108807567A, 2018-11-13.[14] 叶振华, 陈奕宇, 孙常鸿, 刘棱枫, 邢雯, 马伟平, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜. 中国: CN206282822U, 2017.06.27.[15] 陈星, 陈安森, 林加木, 叶振华, 林春, 丁瑞军. 上端面开窗液氮杜瓦. 中国: CN206410789U, 2017-08-15.[16] 陈星, 陈安森, 林加木, 叶振华, 林春, 丁瑞军. 一种上端面开窗的液氮杜瓦. 中国: CN106872050A, 2017-06-20.[17] 叶振华, 陈奕宇, 孙常鸿, 刘棱枫, 邢雯, 马伟平, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法. 中国: CN106784133A, 2017-05-31.[18] 叶振华, 陈奕宇, 孙常鸿, 刘棱枫, 邢雯, 马伟平, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法. 中国: CN106449377A, 2017-02-22.[19] 胡晓宁, 张姗, 樊华, 廖清君, 叶振华, 林春, 丁瑞军, 何力. 低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片. 中国: CN205609536U, 2016-09-28.[20] 张姗, 胡晓宁, 樊华, 廖清君, 叶振华, 林春, 丁瑞军, 何力. 一种碲镉汞器件埋结工艺. 中国: CN105762221A, 2016-07-13.[21] 张姗, 林春, 廖清君, 胡晓宁, 叶振华. 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺. 中国: CN105047530A, 2015-11-11.[22] 张姗, 林春, 廖清君, 胡晓宁, 叶振华. 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液. 中国: CN104988505A, 2015-10-21.[23] 黄玥, 叶振华, 马伟平, 陈昱, 刘丹, 丁瑞军, 何力. 一种台面型红外探测器引出电极的结构. 中国: CN204516778U, 2015-07-29.[24] 黄玥, 白治中, 周松敏, 王建新, 林春, 叶振华, 丁瑞军. 一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法. 中国: CN104752244A, 2015-07-01.[25] 黄玥, 叶振华, 马伟平, 陈昱, 刘丹, 丁瑞军, 何力. 一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法. 中国: CN104752563A, 2015-07-01.[26] 黄玥, 林春, 叶振华, 丁瑞军. 一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法. 中国: CN104752243A, 2015-07-01.[27] 黄玥, 林春, 叶振华, 丁瑞军. 一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法. 中国: CN104752402A, 2015-07-01.[28] 叶振华, 张鹏, 陈奕宇, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片. 中国: CN204088348U, 2015-01-07.[29] 叶振华, 张鹏, 陈奕宇, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片. 中国: CN104037256A, 2014-09-10.[30] 胡伟达, 梁健, 白杰, 叶振华, 陈效双, 陆卫. 一种基于衍射型微透镜优化红外焦平面探测器的设计方法. 中国: CN103970933A, 2014-08-06.[31] 黄玥, 林春, 王建新, 储远洋, 叶振华, 丁瑞军. 一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法. 中国: CN103900880A, 2014-07-02.[32] 黄玥, 林春, 叶振华, 廖清君, 丁瑞军. 一种铟表面处理的方法. 中国: CN103762274A, 2014-04-30.[33] 胡伟达, 梁健, 叶振华, 陈效双, 陆卫. 基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法. 中国: CN103681937A, 2014-03-26.[34] 华桦, 董美凤, 胡晓宁, 叶振华, 何凯, 李杨. 一种红外焦平面探测器盲元筛选方法. 中国: CN103310108A, 2013-09-18.[35] 刘丹, 王晨飞, 钟艳红, 周松敏, 林春, 叶振华, 廖清君, 胡晓宁. 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术. 中国: CN103022246A, 2013-04-03.[36] 胡伟达, 叶振华, 梁健, 郭楠, 李天信, 殷菲, 张波, 崔昊杨, 陈效双, 陆卫. 红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法. 中国: CN102928194A, 2013-02-13.[37] 王攀, 陈国强, 高磊, 丁瑞军, 叶振华, 周杰. 短波红外探测器阵列读出电路适用的CTIA结构输入级. 中国: CN102818637A, 2012-12-12.[38] 王攀, 丁瑞军, 陈洪雷, 叶振华, 张君玲, 黄爱波. 一种短波红外探测器弱信号读出的模拟信号链结构. 中国: CN102818639A, 2012-12-12.[39] 胡伟达, 郭楠, 叶振华, 陈勇国, 陈效双, 陆卫. 一种优化被照式红外探测器微透镜列阵聚光能力的方法. 中国: CN102201487A, 2011-09-28.[40] 叶振华, 陆伟, 黄建, 邢雯, 刘丹, 冯靖文, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器. 中国: CN201749851U, 2011-02-16.[41] 叶振华, 胡伟达, 殷建军, 吴廷琪, 晨昱, 邢雯, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片. 中国: CN101958331A, 2011-01-26.[42] 叶振华, 王建新, 潘建珍, 邢雯, 刘丹, 陈昱, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片. 中国: CN101958332A, 2011-01-26.[43] 叶振华, 冯靖文, 马伟平, 陈昱, 刘丹, 邢雯, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片. 中国: CN101958330A, 2011-01-26.[44] 叶振华, 尹文婷, 马伟平, 黄建, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法. 中国: CN101740502A, 2010.06.16.[45] 叶振华, 陆伟, 黄建, 邢雯, 刘丹, 冯靖文, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器. 中国: CN101894847A, 2010-11-24.[46] 叶振华, 黄建, 胡伟达, 尹文婷, 马伟平, 陈昱, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法. 中国: CN101872804A, 2010-10-27.[47] 叶振华, 尹文婷, 王建新, 方维政, 杨建荣, 陈昱, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法. 中国: CN101872803A, 2010-10-27.[48] 叶振华, 黄建, 祝海彬, 尹文婷, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法. 中国: CN101740501A, 2010-06-16.[49] 叶振华, 黄建, 胡伟达, 尹文婷, 林春, 陈路, 廖清君, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法. 中国: CN101740662A, 2010-06-16.[50] 叶振华, 尹文婷, 胡伟达, 黄建, 马伟平, 林春, 廖清君, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法. 中国: CN101726364A, 2010-06-09.[51] 叶振华, 黄建, 杨建荣, 尹文婷, 邢雯, 林春, 陈兴国, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法. 中国: CN101719505A, 2010-06-02.[52] 叶振华, 尹文婷, 黄建, 王建新, 朱建妹, 林春, 张勤耀, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法. 中国: CN101718588A, 2010-06-02.[53] 邓 屹, 陈新强, 陈兴国, 林 春, 叶振华, 胡晓宁. 碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法. 中国: CN101494254, 2009-07-29.[54] 叶振华, 周文洪, 尹文婷, 黄 建, 马伟平, 胡晓宁. 红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法. 中国: CN101414123, 2009-04-22.[55] 胡晓宁, 李言谨, 叶振华, 何 力. 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片. 中国: CN100479174, 2009-04-15.[56] 叶振华, 胡晓宁, 丁瑞军, 何 力. 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片. 中国: CN100466302, 2009-03-04.[57] 叶振华, 何 力, 胡晓宁, 周文洪, 吴 俊, 巫 艳, 丁瑞军. 置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片. 中国: CN100443928, 2008.12.17.[58] 乔 辉, 周文洪, 叶振华, 蒋 科, 贾 嘉, 李向阳. 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法. 中国: CN101226971, 2008.07.23.[59] 胡晓宁, 叶振华, 何 力. 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片. 中国: CN100444393, 2008-12-17.[60] 叶振华, 周文洪, 胡晓宁, 王晨飞, 丁瑞军, 何 力. 背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法. 中国: CN100444381, 2008-12-17.[61] 叶振华, 周文洪, 廖清君, 胡晓宁, 王晨飞, 丁瑞军. 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法. 中国: CN100433328, 2008-11-12.[62] 陆 卫, 崔昊杨, 李志锋, 李 宁, 甄红楼, 张 波, 陈平平, 李天信, 陈效双, 胡伟达, 叶振华, 胡晓宁. 一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法. 中国: CN101221203, 2008-07-16.[63] 叶振华, 胡晓宁, 陈兴国, 丁瑞军, 何 力. 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法. 中国: CN100365780, 2008-01-30.[64] 叶振华, 胡晓宁, 廖清君. 红外焦平面探测器的可靠性筛选方法. 中国: CN100355054, 2007-12-12.[65] 叶振华, 胡晓宁, 王建新, 何力. 红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法. 中国: CN100355051, 2007-12-12.[66] 叶振华, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀方法. 中国: CN100334694, 2007-08-29.[67] 叶振华, 胡晓宁, 王建新, 周文洪, 王晨飞, 丁瑞军. 红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法. 中国: CN1937190, 2007-03-28.[68] 叶振华, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片. 中国: CN1794473, 2006.06.28.[69] 叶振华, 胡晓宁. 红外焦平面探测器的铟柱成球方法. 中国: CN1253925, 2006-04-26.[70] 张海燕, 胡晓宁, 叶振华, 廖清君, 李言谨. 碲镉汞材料p-n结结深的测量方法. 中国: CN1206720, 2005.06.15.[71] 朱建妹, 胡晓宁, 叶振华, 王正官. 一种可使样品自动旋转的腐蚀装置. 中国: CN2575659, 2003-09-24.[72] 叶振华, 胡晓宁, 朱建妹, 何力. 碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法. 中国: CN1399311, 2003-02-26.