基本信息
杨少延  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: sh-yyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
085600-材料与化工
招生方向
宽禁带半导体材料、器件及物理研究
大失配异质外延衬底制备技术研究
氮化镓功率电子材料与器件

教育背景

2002-03--2005-10   中国科学院半导体研究所   在职博士/博士学位
1996-09--1999-07   吉林大学 材料科学与工程系   硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07   哈尔滨师范大学物理系   大学本科学生/或学士学位

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所, 在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系, 硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系, 大学本科学生/或学士学位

教授课程

薄膜材料制备技术
材料的气相沉积制备技术
半导体材料
半导体材料测试与分析
宽禁带半导体材料大失配外延技术

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED, 2020, 第 4 作者, 专利号: 201922345475.5

( 2 ) 气相沉积设备的进气喷淋头, 2020, 第 2 作者, 专利号: 201920622058.8

( 3 ) 硅基应力协变衬底及制备方法、氮化镓LED及制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 201911345375.0

( 4 ) 一种氢化物气相外延设备的反应室结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910670827.6

( 5 ) 气相沉积设备的进气喷淋头, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910365880.5

( 6 ) 一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201410641928.8

( 7 ) 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201510270779.3

( 8 ) 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410058985

( 9 ) 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310652125.1

( 10 ) 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310651999.1

( 11 ) 氮化铝单晶材料制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210332652.6

( 12 ) 蓝宝石基复合衬底及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201010156397

( 13 ) 一种硅基复合衬底及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201010156392

( 14 ) 碳化硅基复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201010156398

( 15 ) 碳化硅基复合衬底, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201020168783

( 16 ) 一种高温真空烘烤炉, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201020168779

( 17 ) 一种硅基复合衬底, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201020168794

( 18 ) 一种用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201020168781

( 19 ) 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL200610169751.1

( 20 ) 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200610169750.7

( 21 ) 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200310121178.3

( 22 ) 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200610003072.7

( 23 ) 一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410101884.6

( 24 ) 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 20041009816.7

( 25 ) 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410009815.2

( 26 ) 一种制备金属锆薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410101885.0

( 27 ) 一种制备金属铪薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410098996.0

( 28 ) 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底, 2007, 第 2 作者, 专利号: ZL03155388.5

( 29 ) 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: 200410044605.7

( 30 ) 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL02142452.7

( 31 ) 磁性p-n结薄膜材料及制备方法, 2005, 第 5 作者, 专利号: ZL 02105698.6

出版信息

   
发表论文
(1) 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理, Temperature Dependence and Evolution Mechanism of Aluminum Nitride Morphologies, 发光学报, 2021, 第 3 作者
(2) 一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长, Flow Field Analysis and Large-Scale Material Growth in a Vertical Graded Varying Velocity Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE)Reactor, 真空, 2021, 第 5 作者
(3) 磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能, Growth Mechanism and Optical Properties of ZrN Films by Magnetron Sputtering, 人工晶体学报, 2021, 第 3 作者
(4) Stress engineering for reducing the injection current induced blue shift in InGaN-based red light-emitting diodes, CRYSTENGCOMM, 2021, 第 4 作者
(5) 衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响, Effect of substrate temperature on structural and physical properties of ZrN films by magnetron sputtering, 功能材料, 2021, 第 3 作者
(6) Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1-xN superlattices grown on sapphire substrates, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者
(7) Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 第 5 作者
(8) 三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟, Numeric simulation of three-layer hot-wall metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) flow fields, 真空, 2019, 第 5 作者
(9) Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, 半导体学报:英文版, 2019, 第 3 作者
(10) Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structure, Mater. Res. Express, 6 (2019) 0850c8, 2019, 第 1 作者
(11) Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 5 作者
(12) Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 5 作者
(13) Structural and optical properties of semi-polar (11-22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 6 作者
(14) The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 7 作者
(15) Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures with Indium-Rich Clusters, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 第 6 作者
(16) Comparative Investigation of Semipolar (11-22) GaN Layers on m-Plane Sapphire with Different Nucleation Layers, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
(17) Measurement of semi-polar (11-22) plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 7 作者
(18) Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 6 作者
(19) Anisotropically biaxial strain in non-polar (112-0) plane InxGa1-xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 8 作者
(20) Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 7 作者
(21) Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, ACTA CHIMICA SINICA, 2017, 通讯作者
(22) Morphology Controlled Fabrication of InN Nanowires on Brass Substrates, NANOMATERIALS, 2016, 第 5 作者
(23) Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, Nanoscale res lett, 2016, 第 6 作者
(24) The immiscibility of InAlN ternary alloy, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 
(25) Study of the aluminum incorporation efficiency in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE, Chinese Physics. B, 2016, 25(4):048105, 2016, 第 1 作者
(26) Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11 2) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers, Scientific Reports, 2016,6:20787, 2016, 第 1 作者
(27) Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned ternary III-nitride nanotube arrays, NANOSCALE, 2015, 第 8 作者
(28) Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 
(29) Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2014, 第 7 作者
(30) Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 3 作者
(31) Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 3 作者
(32) Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(33) Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy, RSC ADVANCES, 2014, 第 3 作者
(34) Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE, SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 第 3 作者
(35) Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires, CHINESE PHYSICS B, 2014, 
(36) Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer, CRYSTENGCOMM, 2014, 第 3 作者
(37) Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 10 作者
(38) Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures, Physica E, 66, 116(2015), 2014, 第 1 作者
(39) Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al_xGa_(1-x)N/GaN quantum wells, CHINESE PHYSICS B, 2013, 通讯作者
(40) Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
(41) Strain Distributions in Non-Polar a-Plane InxGa1-xN Epitaxial Layers on r-Plane Sapphire Extracted from X-Ray Diffraction, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
( 2 ) 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家任务, 2011-08--2015-08
( 3 ) 大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 4 ) 垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺 研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
( 5 ) 大 尺寸氢化物气相外延设备技术及外 延, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
( 6 ) 过渡族金属及其化合物薄膜材料制备研究, 负责人, 企业委托, 2018-01--2018-12
( 7 ) 过渡族金属&半导体先进材料联合实验室, 负责人, 企业委托, 2018-01--2020-12
( 8 ) 空间太阳能科学技术联合实验室, 负责人, 企业委托, 2018-03--2020-12
( 9 ) 定西市先进半导体材料联合实验室, 负责人, 企业委托, 2019-07--2024-07
( 10 ) 硅衬底氮化镓功率电子器件工艺与功能模块开发, 负责人, 企业委托, 2022-03--2025-03
参与会议
(1)中高压氮化镓功率电子器件制备生产关键技术及设备   第三代半导体材料加工技术及装备研讨会   杨少延   2019-10-23
(2)垂直流HVPE设备反应室尺寸放大流场优化设计研究   第十六届全国固体薄膜学术会议   杨少延*,李成明*,胡君*,魏鸿源,李辉杰,王占国   2018-12-11
(3)石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术   2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2015-05-06
(4)超宽禁带氮化物半导体材料在 空间太阳能发电技术中的作用与挑战   2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛   杨少延   2014-05-30
(5)硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战   2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2013-05-16