0805Z2-半导体材料与器件
085600-材料与化工

宽禁带半导体材料、器件及物理研究
大失配异质外延衬底制备技术研究
氮化镓功率电子材料与器件

2002-03--2005-10   中国科学院半导体研究所   在职博士/博士学位
1996-09--1999-07   吉林大学 材料科学与工程系   硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07   哈尔滨师范大学物理系   大学本科学生/或学士学位

   

2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所, 在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系, 硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系, 大学本科学生/或学士学位

半导体材料测试与分析
半导体材料
材料的气相沉积制备技术
薄膜材料制备技术
宽禁带半导体材料大失配外延技术

   

（ 1 ） 薄膜本征应力测量方法、电子设备及介质, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114112145A

（ 2 ） 利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113584446A

（ 3 ） 一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112831768A

（ 4 ） 一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112831766A

（ 5 ） 基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112786743A

（ 6 ） 利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112746320A

（ 7 ） 可协变应力AlN结构及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN110828627B

（ 8 ） 一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112490335A

（ 9 ） 硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN210897327U

（ 10 ） 硅基应力协变衬底及制备方法、氮化镓LED及制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110931607A

（ 11 ） 气相沉积设备的进气喷淋头, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN210104071U

（ 12 ） 一种氢化物气相外延设备的反应室结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110257905A

（ 13 ） 气相沉积设备的进气喷淋头, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110172682A

（ 14 ） AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107481982A

（ 15 ） 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN107170862A

（ 16 ） 一种HEMT外延结构及制备方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN106252403A

（ 17 ） 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104993012A

（ 18 ） AlN单晶衬底生产设备及其使用方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104878450A

（ 19 ） 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104495766A

（ 20 ） 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104393140A

（ 21 ） 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法, 2014, 第 11 作者, 专利号: CN104112803A

（ 22 ） 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103956417A

（ 23 ） 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103849853A

（ 24 ） 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103633200A

（ 25 ） 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103633199A

（ 26 ） 制备非极性A面GaN薄膜的方法, 2013, 第 9 作者, 专利号: CN102903614A

（ 27 ） 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102839417A

（ 28 ） 氮化铝单晶材料制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102828251A

（ 29 ） 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法, 2012, 第 10 作者, 专利号: CN102817073A

（ 30 ） 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法, 2012, 第 9 作者, 专利号: CN102820213A

（ 31 ） 制备非极性A面GaN薄膜的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102820211A

（ 32 ） 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法, 2011, 第 8 作者, 专利号: CN102206856A

（ 33 ） 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102191540A

（ 34 ） 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102050432A

（ 35 ） 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101831613A

（ 36 ） 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法, 2010, 第 7 作者, 专利号: CN101831628A

（ 37 ） 生长氧化锌薄膜材料的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101831693A

（ 38 ） 生长氧化锌纳米棒阵列的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101428842A

（ 39 ） 一种恒温装置及其控制方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101380601A

（ 40 ） 高温原位减薄硅基底的装置和方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101333658A

（ 41 ） 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100424825C

（ 42 ） 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101211866A

（ 43 ） 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101211989A

（ 44 ） 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101210345A

（ 45 ） 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100345247C

（ 46 ） 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101017831A

（ 47 ） 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101017830A

（ 48 ） 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101017864A

（ 49 ） 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1332062C

（ 50 ） 一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1796595A

（ 51 ） 一种制备金属锆薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1796596A

（ 52 ） 一种制备金属铪薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1796593A

（ 53 ） 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1778985A

（ 54 ） 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1778984A

（ 55 ） 单相钆硅化合物以及制备方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1769181A

（ 56 ） 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1216401C

（ 57 ） 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1632906A

（ 58 ） 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法, 2005, 第 4 作者, 专利号: CN1591784A

（ 59 ） 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1591772A

（ 60 ） 磁性p－n结薄膜材料及制备方法, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN1452216A

（ 61 ） 键合强度可调节的柔性衬底, 2003, 第 2 作者, 专利号: CN1452214A

（ 62 ） 组份渐变铁磁性半导体制备方法, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN1421878A

（ 63 ） 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法, 2003, 第 8 作者, 专利号: CN1402305A

   

（1） Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor, CRYSTENGCOMM, 2023, 通讯作者
（2） The influence of high-temperature nitridation process on the crystalline quality of semipolar (11-22) GaN epitaxial film, Current Appl. Physics, 2022, 第 7 作者
（3） MOCVD growth of ZrN thin films on GaN/Si templates and the effect of substrate temperature on growth mode, stress state, and electrical properties, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 通讯作者
（4） Raman spectra of semi-polar (11-22) InGaN thick film, Vibrational Spectroscopy, 2022, 第 8 作者
（5） n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究, 材料导报, 2022, 通讯作者
（6） Anisotropic Strain Relaxation in Semipolar (11-22) InGaN/GaN Superlattice Relaxed Template, Nanomaterials, 2022, 第 8 作者
（7） 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理, Temperature Dependence and Evolution Mechanism of Aluminum Nitride Morphologies, 发光学报, 2021, 通讯作者
（8） 一种垂直递变流速氢化物气相外延（HVPE）反应腔流场分析及大尺寸材料生长, Flow Field Analysis and Large-Scale Material Growth in a Vertical Graded Varying Velocity Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE)Reactor, 真空, 2021, 第 5 作者
（9） 磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能, Growth Mechanism and Optical Properties of ZrN Films by Magnetron Sputtering, 人工晶体学报, 2021, 通讯作者
（10） Wet etching of semi-polar (11–22) GaN on m-sapphire by different methods, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 第 5 作者
（11） Stress engineering for reducing the injection current induced blue shift in InGaN-based red light-emitting diodes, CRYSTENGCOMM, 2021, 第 4 作者
（12） 衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响, Effect of substrate temperature on structural and physical properties of ZrN films by magnetron sputtering, 功能材料, 2021, 通讯作者
（13） Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1−xN superlattices grown on sapphire substrates, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者
（14） Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 第 5 作者
（15） 三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟, Numeric simulation of three-layer hot-wall metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) flow fields, 真空, 2019, 第 5 作者
（16） Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, 半导体学报：英文版, 2019, 第 3 作者
（17） Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structure, MATERRESEXPRESS620190850C8, 2019, 第 1 作者
（18） Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 通讯作者
（19） Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/ GaN-based high electron mobility transistors, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 5 作者
（20） Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 5 作者
（21） Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structures, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 6 作者
（22） Structural and optical properties of semi-polar (11-22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 6 作者
（23） The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 7 作者
（24） Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures with Indium-Rich Clusters, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 第 6 作者
（25） Comparative Investigation of Semipolar (11-22) GaN Layers on m-Plane Sapphire with Different Nucleation Layers, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
（26） Measurement of semi-polar (11-22) plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 7 作者
（27） 基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延, 化学学报, 2017, 第 2 作者
（28） Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 6 作者
（29） Anisotropically biaxial strain in non-polar (112-0) plane InxGa1-xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 8 作者
（30） Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 7 作者
（31） 基于二维材料的III 族氮化物外延, Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, ACTA CHIMICA SINICA, 2017, 通讯作者
（32） Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, ACTA CHIMICA SINICA, 2017, 通讯作者
（33） Morphology Controlled Fabrication of InN Nanowires on Brass Substrates, NANOMATERIALS, 2016, 第 5 作者
（34） Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, NANOSCALE RES LETT, 2016, 第 6 作者
（35） Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 通讯作者
（36） The immiscibility of InAlN ternary alloy, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 9 作者
（37） Study of the aluminum incorporation efficiency in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE, Chinese Physics. B, 2016, 25(4):048105, 2016, 第 1 作者
（38） Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11 2) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers, Scientific Reports, 2016,6:20787, 2016, 第 1 作者
（39） Effect of the thickness of InGaN interlayer on a-plane GaN epilayer, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 5 作者
（40） Plasmon mode coupling and depolarization shifts in AlGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells with and without electric field, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2015, 第 4 作者
（41） Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned ternary III-nitride nanotube arrays, NANOSCALE, 2015, 第 8 作者
（42） Theoretical study of the anisotropic electron scattering by steps in vicinal AlGaN/GaN heterostructures, PHYSICA E: LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES, 2015, 第 6 作者
（43） Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned, NANOSCALE, 2015, 第 8 作者
（44） Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
（45） Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2014, 第 7 作者
（46） Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 3 作者
（47） Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 3 作者
（48） Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
（49） Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 3 作者
（50） Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy, RSC ADVANCES, 2014, 第 3 作者
（51） Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE, SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 第 3 作者
（52） Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires, CHINESE PHYSICS B, 2014, 通讯作者
（53） Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer, CRYSTENGCOMM, 2014, 第 3 作者
（54） Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 10 作者
（55） Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures, Physica E, 66， 116(2015), 2014, 第 1 作者
（56） Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al_xGa_(1-x)N/GaN quantum wells, CHINESE PHYSICS B, 2013, 通讯作者
（57） Two dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, PHYSICA E: LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES, 2013, 第 2 作者
（58） Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
（59） Strain Distributions in Non-Polar a-Plane InxGa1-xN Epitaxial Layers on r-Plane Sapphire Extracted from X-Ray Diffraction, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 2 作者

   

（ 1 ） 利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
（ 2 ） 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家任务, 2011-08--2015-08
（ 3 ） 大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 4 ） 垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺 研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 5 ） 大 尺寸氢化物气相外延设备技术及外 延, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
（ 6 ） 过渡族金属及其化合物薄膜材料制备研究, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2018-12
（ 7 ） 过渡族金属&半导体先进材料联合实验室, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2020-12
（ 8 ） 空间太阳能科学技术联合实验室, 负责人, 境内委托项目, 2018-03--2020-12
（ 9 ） 定西市先进半导体材料联合实验室, 负责人, 境内委托项目, 2019-07--2024-07
（ 10 ） 硅衬底氮化镓功率电子器件工艺与功能模块开发, 负责人, 境内委托项目, 2022-03--2025-03

（1）中高压氮化镓功率电子器件制备生产关键技术及设备   第三代半导体材料加工技术及装备研讨会   杨少延   2019-10-23
（2）垂直流HVPE设备反应室尺寸放大流场优化设计研究   第十六届全国固体薄膜学术会议   杨少延*，李成明*，胡君*，魏鸿源，李辉杰，王占国   2018-12-11
（3）石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术   2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2015-05-06
（4）超宽禁带氮化物半导体材料在空间太阳能发电技术中的作用与挑战   2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛   杨少延   2014-05-30
（5）硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战   2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2013-05-16