基本信息
李喜 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ituluck@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼
邮政编码: 200050
研究领域
新型存储(芯片)技术,存算一体与存内计算,半导体器件物理
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
新型存储技术存内计算与存算一体半导体物理
教育背景
2009-09--2014-06 中国科学院大学 工学博士2005-09--2009-06 同济大学 工学学士
工作经历
工作简历
2024-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员2020-01~2023-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员2014-07~2019-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
专利与奖励
奖励信息
(1) 中科院杰出科技成就奖, , 院级, 2022(2) 华为“奥林帕斯先锋奖”, 一等奖, 其他, 2021(3) 上海市技术发明奖, 二等奖, 省级, 2019(4) 中国材料学会科技奖, 一等奖, 部委级, 2019
专利成果
( 1 ) 一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115631776A( 2 ) 一种基于阻变存储器的卷积计算电路及计算方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115564033A( 3 ) 一种低压高精度带隙基准电路, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN112859996B( 4 ) 一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113948136A( 5 ) 一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113485520A( 6 ) 一种相变存储单元布尔逻辑的图像处理装置及方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113380296A( 7 ) 一种非易失布尔逻辑两位乘法器及运算方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113380298A( 8 ) 一种相变存储器时序可重构布尔逻辑电路、方法及装置, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113315506A( 9 ) 一种实现sigmoid激活函数的电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113162607A( 10 ) 一种低压高精度带隙基准电路, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112859996A( 11 ) 一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112350728A( 12 ) 一种基于忆阻器的神经网络容错方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112199234A( 13 ) 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110794673A( 14 ) 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110619907A( 15 ) 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110619908A( 16 ) 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110619906A( 17 ) 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110335636A( 18 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110098832A( 19 ) 一种相变存储器的故障诊断方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109935270A( 20 ) 相变存储器的数据读出电路及方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109903801A( 21 ) 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109903805A( 22 ) 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108922574A( 23 ) 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107644664A( 24 ) 开关电源电感的电流过零检测电路, 实用新型, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN206948183U( 25 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107591179A( 26 ) 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107147286A( 27 ) 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106898371A( 28 ) 相变存储器的整体擦除装置, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106816172A( 29 ) 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106410773A( 30 ) 一种相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106205684A( 31 ) 一种相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105931665A( 32 ) 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105913119A( 33 ) 存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105632551A( 34 ) 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104715792A( 35 ) 基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104616690A( 36 ) 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104347113A( 37 ) 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104318955A( 38 ) 存储设备及其数据读写方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104317753A( 39 ) 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 发明专利, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104282332A( 40 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103871463A( 41 ) 相变存储器系统, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103824591A( 42 ) 一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794245A( 43 ) 一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103794244A( 44 ) 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103646668A( 45 ) 一种相变存储器的编程系统及方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102982841A( 46 ) 一种相变存储器的读写转换系统及方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102831929A( 47 ) 相变存储器的数据读出电路, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102820055A( 48 ) 相变存储器的数据读出电路, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102820056A( 49 ) 相变存储单元的数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101976578A( 50 ) 相变存储器单元的SPICE模型系统, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101976724A( 51 ) 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101916590A
出版信息
发表论文
[1] Luchang He, Qingyu Wu, Chenchen Xie, Xi Li, Zhitang Song. An ultra-low quiescent current power-on reset circuit with DDPG method. AEUE - INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS. 2024, 175: http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2023.155097.[2] 陈成, 解晨晨, 陈后鹏, 徐思秋, 李喜, 隋振超, 宋志棠. Nonideality Suppression and 16-State Multilevel Cell Storage Optimization in Phase Change Memory With Linear-Like Circuit. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2023, [3] Wang, Qiang, Niu, Gang, Wang, Ruobing, Luo, Ren, Ye, ZuoGuang, Bi, Jinshun, Li, Xi, Song, Zhitang, Ren, Wei, Song, Sannian. Reliable Ge2Sb2Te5 based phase-change electronic synapses using carbon doping and programmed pulses. JOURNAL OF MATERIOMICS[J]. 2022, 8(2): 382-391, http://dx.doi.org/10.1016/j.jmat.2021.08.004.[4] 陈成, 李喜, 解晨晨, 陈后鹏, 徐思秋, 宋志棠. Read Optimization Enables Ultralow Resistance Drift for Phase Change Memory. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2022, [5] Hu, Chenkai, Chen, Zhizhi, Ni, Shenglan, Wang, Qian, Li, Xi, Chen, Houpeng, Song, Zhitang. A Fully Integrated Low-Dropout Regulator with Improved Load Regulation and Transient Responses. MICROMACHINES[J]. 2022, 13(10): http://dx.doi.org/10.3390/mi13101668.[6] Ni, Shenglan, Chen, Zhizhi, Hu, Chenkai, Chen, Houpeng, Wang, Qian, Li, Xi, Song, Sannian, Song, Zhitang. An Output-Capacitorless Low-Dropout Regulator with Slew-Rate Enhancement. MICROMACHINES[J]. 2022, 13(10): http://dx.doi.org/10.3390/mi13101594.[7] He, Luchang, Li, Xi, Xu, Siqiu, Pan, Guochang, Xie, Chenchen, Chen, Houpeng, Song, Zhitang. A Fast-Transient-Response NMOS LDO with Wide Load-Capacitance Range for Cross-Point Memory. SENSORS[J]. 2022, 22(23): https://doaj.org/article/58a216ee45bd4093bc26ef3b8d758317.[8] Lu, Yingming, Li, Xi, Yan, Bonan, Yan, Longhao, Zhang, Teng, Song, Zhitang, Huang, Ru, Yang, Yuchao. In-Memory Realization of Eligibility Traces Based on Conductance Drift of Phase Change Memory for Energy-Efficient Reinforcement Learning. ADVANCED MATERIALS[J]. 2022, 34(6): [9] Wang, Qiang, Niu, Gang, Ren, Wei, Wang, Ruobing, Chen, Xiaogang, Li, Xi, Ye, ZuoGuang, Xie, YaHong, Song, Sannian, Song, Zhitang. Phase Change Random Access Memory for Neuro-Inspired Computing. ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2021, 7(6): https://www.doi.org/10.1002/aelm.202001241.[10] Guo, Jiashu, Chen, Houpeng, Lei, Yu, Li, Xi, Wang, Qian, Xie, Chenchen, Miao, Jie, Lv, Yi, Liu, Weili, Song, Zhitang. An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit. IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS[J]. 2021, 68(1): 146-150, http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2020.3009379.[11] Lu, Yingming, Li, Xi, Yan, Longhao, Zhang, Teng, Yang, Yuchao, Song, Zhitang, Huang, Ru, IEEE. 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Enhancing Performances of Phase Change Memory for Embedded Applications. physica status solidi (RRL). 2019, [14] 李晓云, 陈后鹏, 雷宇, 李喜, 王倩, 宋志棠. 一种基于相变存储器的高速读出电路设计. 上海交通大学学报[J]. 2019, 53(8): 936-942, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7002913827.[15] 雷宇, 陈后鹏, 王倩, 李喜, 胡佳俊, 宋志棠. 相变存储器预充电读出方法. 浙江大学学报:工学版[J]. 2018, 52(3): 531-536,568, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674671758.[16] Song Z T, Cai D L, Li X, Wang L, Chen Y F, Chen H P, Wang Q, Zhan Y P, Ji M H, IEEE. High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped Ge2Sb2Te5 in 40 nm Node for Embedded Application. 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)[J]. 2018, [17] 田震, 陈后鹏, 雷宇, 李喜, 王倩, 李晓云, 宋志棠. 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵. 微电子学[J]. 2017, 47(6): 806-809, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674236562.[18] 胡佳俊, 陈后鹏, 王倩, 李喜, 苗杰, 雷宇, 宋志棠. 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计. 上海交通大学学报[J]. 2017, 51(6): 657-664, https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/shjtdxxb201706003.[19] 刘艾萌, 陈后鹏, 胡佳俊, 李喜, 王倩, 宋志棠. 基于反激式原边反馈控制结构的过零检测方法及实现. 电子设计工程[J]. 2017, 41-45, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671880750.[20] 胡佳俊, 陈后鹏, 王倩, 李喜, 雷宇, 苗杰, 宋志棠. 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源. 固体电子学研究与进展[J]. 2017, 37(1): 26-31, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671671549.[21] Li Xiaoyun, Chen Houpeng, Li Xi, Wang Qian, Fan Xi, Hu Jiajun, Lei Yu, Zhang Qi, Tian Zhen, Song Zhitang, Gan, F, Song, Z. Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations. 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE. 2016, 9818: [22] 李晓云, 陈后鹏, 李喜, 王倩, 张琪, 范茜, 雷宇, 宋志棠. 一种新型低漏电ESD电源箝位电路. 微电子学[J]. 2016, 46(4): 572-575, http://microelec.ijournals.cn/wdzx/article/abstract/20160432?st=article_issue.[23] 张琪, 胡佳俊, 陈后鹏, 李喜, 王倩, 范茜, 金荣, 宋志棠. 一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器. 微电子学[J]. 2016, 46(2): 211-214,223, http://microelec.ijournals.cn/wdzx/article/abstract/20160216?st=article_issue.[24] Hu, Jiajun, Chen, Houpeng, Wang, Qian, Li, Xi, Fan, Xi, Miao, Jie, Song, Zhitang, Gan, F, Song, Z. A Novel Standby Mode Detection Scheme with Light Load Efficiency Improvement. 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE. 2016, 9818: [25] Wang, Qian, Hu, Jiajun, Chen, Houpeng, Li, Xi, Fan, Xi, Miao, Jie, Song, Zhitang, Gan, F, Song, Z. Soft-start Mechanism with Coefficients Ki Optimization for DC-DC Power Converters. 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE. 2016, 9818: [26] Lei, Yu, Chen, Houpeng, Li, Xi, Wang, Qian, Fan, Xi, Hu, Jiajun, Liu, Aimeng, Zhang, Qi, Li, Xiaoyun, Tian, Zhen, Song, Zhitang, Gan, F, Song, Z. An efficiency-enhanced 2X/1.5X SC charge pump with auto-adjustable output regulation for PCM. 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE. 2016, 9818: [27] Wang, Qian, Li, Xi, Chen, Houpeng, Chen, Yifeng, Wang, Yueqing, Fan, Xi, Hu, Jiajun, Li, Xiaoyun, Song, Zhitang. Methods to speed up read operation in a 64 Mbit phase change memory chip. 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IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2014, 11(24): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000348586800012.[31] Cai Daolin, Chen Houpeng, Wang Qian, Hong Xiao, Chen Yifeng, Xu Linhai, Li Xi, Wang Zhaomin, Zhang Yiyun, Song Zhitang, Gan F, Song Z. Optimal Design of Phase Change Random Access Memory based on 130nm CMOS Technology. 2012INTERNATIONALWORKSHOPONINFORMATIONSTORAGEANDNINTHINTERNATIONALSYMPOSIUMONOPTICALSTORAGE. 2013, 8782: [32] 王倩, 宏潇, 李喜, 许伟义, 胡佳俊, 陈后鹏, 宋志棠. 大电流负载的片上LDO系统设计. 电子学报[J]. 2013, 41(7): 1431-1435, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=47018262.[33] 范茜, 陈后鹏, 许伟义, 王倩, 蔡道林, 金荣, 宏潇, 李喜, 陈一峰. 基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路. 微电子学[J]. 2013, 43(5): 637-640,645, https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/wdzx201305011.[34] 李喜, 宋志棠, 陈后鹏, 富聪, 丁晟. 一种相变存储器读出电路及其快速读出方法. 微电子学[J]. 2012, 42(1): 21-24, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40904325.[35] 富聪, 宋志棠, 陈后鹏, 蔡道林, 王倩, 宏潇, 丁晟, 李喜. A novel low ripple charge pump with a 2X/1.5X booster for PCM. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2012, 33(9): 89-94, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=43279978.[36] 蔡道林, 陈后鹏, 王倩, 丁晟, 富聪, 陈一峰, 宏潇, 李喜, 陈小刚, 刘波, 宋志棠, 封松林. 基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器. 固体电子学研究与进展[J]. 2011, 31(6): 601-605, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40439790.[37] 富聪, 宋志棠, 陈后鹏, 蔡道林, 王倩, 丁晟, 李喜, 宏潇. 用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵. 微电子学[J]. 2011, 41(6): 848-851, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40354488.[38] Cai, Daolin, Chen, Houpeng, Li, Xi, Wang, Qian, Song, ZT. Circuit design for 128Mb PCRAM based on 40nm technology. 2011 11TH ANNUAL NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM, NVMTS 2011.2011 11TH ANNUAL NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM, NVMTS 2011[J]. 2011, 74-77, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109177.[39] Cai DaoLin, Song ZhiTang, Li Xi, Chen HouPeng, Chen XiaoGang. A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory. CHINESEPHYSICSLETTERS[J]. 2011, 28(1): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=36252153.
科研活动
科研项目
( 1 ) 基于相变存储的模拟存内计算芯片, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12( 2 ) 相变存储器神经形态关键技术研, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12( 3 ) 新型存储的高密度集成, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12( 4 ) 基于多值相变存储的神经形态芯片研究, 参与, 地方任务, 2019-11--2022-10( 5 ) 高性能PCM芯片与OTS研究, 负责人, 境内委托项目, 2021-03--2023-12( 6 ) 基于存算一体的可扩展异构多核SoC芯片, 负责人, 国家任务, 2023-12--2024-11
参与会议
(1)多阻态相变存储器特性与存算一体应用 第二十四届全国半导体物理学术会议 李喜 2023-07-14