长期从事极紫外（EUV）光源在光刻及量检测方面的应用，拥有十余年大规模集成电路制造与测量设备科研、工程项目研发和管理经验。累计申请/授权国际专利110项，多项专利已转化为工程产品。在Physical Review Letters、Optica、Light:Science&Applications等期刊发表文章20余篇。

        2021年全职回到中国科学院组建先进光刻技术课题组，设有极紫外光源、芯片量检测两大方向，建成极紫外光源研发平台，突破激光等离子体产生新机制，现已实现10-20nm极紫外宽光谱量测光源高达52.5%的转换效率，为目前世界纪录，可满足EUV量检测需求；实现固体激光驱动13.5nm极紫外光刻光源3.42%的转换效率（2%带宽，2π立体角），达到国际先进、国内领先水平，PF点单脉冲能量超20mJ，可用于一系列EUV元器件及核心材料研究。如有购买光源的需求欢迎联系。

由于工作变动，已暂停在上海光机所继续招生，

欢迎有志从事光刻以及芯片测量检测技术研发的学生单独联系。

团队常年招聘正高（教授/研究员）、副高（副教授/副研究员）、博士后，欢迎联系。

道阻且长，行则将至。

2021-05~现在,中国科学院上海光学精密机械研究所, 研究员

2015-10~2021-04,荷兰阿斯麦公司研究部, 研发科学家

2014-02~2015-10,瑞士苏黎世联邦理工大学, 博士后研究员

2010-10~2014-01,法国原子能署, 欧盟玛丽居里学者