基本信息
王颀 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： wangqi1@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
电子邮件： wangqi1@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
140100-集成电路科学与工程
081001-通信与信息系统
140100-集成电路科学与工程
081001-通信与信息系统
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
集成电路设计技术
存储器纠错技术
集成电路设计技术
存储器纠错技术
教育背景
1999-09--2005-01 复旦大学材料科学系材料物理与化学专业 工学博士学位（硕博连读）
1994-09--1999-06 复旦大学材料科学系材料物理专业 本科学历
1994-09--1999-06 复旦大学材料科学系材料物理专业 本科学历
工作经历
工作简历
2015-05~2022-01,长江存储科技有限责任公司, 技术总监
2015-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员（课题组长）
2005-03~2015-04,三星电子（韩国）存储器事业部, 资深工程师（课长）
2015-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员（课题组长）
2005-03~2015-04,三星电子（韩国）存储器事业部, 资深工程师（课长）
专利与奖励
奖励信息
（1） 微电子研究所十佳先进工作者, 一等奖, 研究所（学校）, 2016
专利成果
[1] 王颀, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存数据读取错误预测管理方法、装置、系统和介质. CN: CN118035128A, 2024-05-14.
[2] 王颀, 田野, 李前辉, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. NAND闪存及存算一体方法、装置、系统、设备和介质. CN: CN117971159A, 2024-05-03.
[3] 王颀, 张博, 王先良, 于晓磊, 李前辉, 何菁, 杨柳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于插入电压态辅助LDPC译码的方法及系统. CN: CN117851108A, 2024-04-09.
[4] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的译码方法及装置. CN: CN115035936A, 2022-09-09.
[5] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的译码方法及装置. CN: CN115035935A, 2022-09-09.
[6] 王颀, 王先良, 张博, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器数据刷新方法、装置、系统和介质. CN: CN115132261A, 2022-09-30.
[7] 王颀, 张博, 王先良, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法. CN: CN117215476A, 2023-12-12.
[8] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质. CN: CN114283866A, 2022-04-05.
[9] 王颀, 李前辉, 姜一扬, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统. CN: CN113805815A, 2021-12-17.
[10] 王颀, 李前辉, 姜一扬, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统. CN: CN113805815B, 2024-03-01.
[11] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的纠错方法、纠错装置和数据刷新方法. CN: CN113380315A, 2021-09-10.
[12] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置. CN: CN113241107A, 2021-08-10.
[13] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的纠错方法及装置. CN: CN113157486A, 2021-07-23.
[14] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种极化码的获取方法及获取系统. CN: CN113472361A, 2021-10-01.
[15] 李前辉, 王颀, 杨柳, 姜一扬, 于晓磊, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 用于闪存的数据恢复方法. CN: CN112988453A, 2021-06-18.
[16] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器的纠错方法及装置. CN: CN112967747A, 2021-06-15.
[17] 杨诗洋, 刘飞, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种眼图参考电压的校准方法及装置. CN: CN113050012A, 2021-06-29.
[18] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的阈值分布拟合方法、装置及系统. CN: CN112735502A, 2021-04-30.
[19] 王颀, 姜一扬, 李前辉, 霍宗亮, 叶甜春. 用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备. CN: CN112466352A, 2021-03-09.
[20] 王颀, 冯建宇, 张黄鹏, 霍宗亮. 一种基于遗传算法的覆盖率收敛方法及系统. CN: CN111814414A, 2020-10-23.
[21] 王颀, 王中波, 刘飞, 杜智超, 霍宗亮. 一种存储器感应电压测试电路及测试方法. CN: CN111354414A, 2020-06-30.
[22] 王颀, 姜一扬, 李前辉, 霍宗亮. LDPC软译码方法、存储器及电子设备. CN: CN111429959A, 2020-07-17.
[23] 王颀, 张桔萍, 刘飞, 霍宗亮. 存储芯片及其测试电路与测试方法. CN: CN111292797A, 2020-06-16.
[24] 王颀, 姜一扬, 张黄鹏, 霍宗亮. 误码率平衡方法及装置. CN: CN112992256A, 2021-06-18.
[25] 王颀, 姜一扬, 张黄鹏, 霍宗亮. 误码率平衡方法及装置，读取方法及装置. CN: CN112988448A, 2021-06-18.
[26] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮. 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法. CN: CN110797077B, 2022-01-04.
[27] 张黄鹏, 王颀, 霍宗亮. 一种非易失性存储器的控制系统. CN: CN110164499A, 2019-08-23.
[28] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种3D NAND Flash. CN: CN110046105A, 2019-07-23.
[29] 杜含笑, 刘飞, 王颀, 霍宗亮. 一种应用于三维存储器的稳压器电路及三维存储器. CN: CN109658957A, 2019-04-19.
[30] 王颀, 张桔萍, 刘飞, 霍宗亮. 3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置. CN: CN111653305A, 2020-09-11.
[31] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮. 一种数据写入控制电路和控制方法. CN: CN109920462A, 2019-06-21.
[32] 邓春菲, 杨诗洋, 何杰, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 叶甜春. 一种多相时钟串行器及信号转换系统. CN: CN109687860A, 2019-04-26.
[33] 王颀, 何杰, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种时钟占空比校准电路. CN: CN109687847B, 2023-07-25.
[34] 王颀, 何杰, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种时钟占空比校准电路. CN: CN109687847A, 2019-04-26.
[35] 王颀, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种BCH译码器及其译码方法、ECC系统. CN: CN111130568A, 2020-05-08.
[36] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种局部寄存器的生成方法及生成系统. CN: CN109885850A, 2019-06-14.
[37] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种局部寄存器的生成方法及生成系统. CN: CN109885850B, 2023-01-24.
[38] 王颀, 李前辉, 门顶顶, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法及系统. CN: CN108717385A, 2018-10-30.
[39] 王颀, 李子夫, 谢蓉芳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于BCH码的ECC系统及存储器. CN: CN108683426A, 2018-10-19.
[40] 王颀, 李子夫, 谢蓉芳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种BCH译码器. CN: CN108683425A, 2018-10-19.
[41] 杜智超, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法. CN: CN110400594A, 2019-11-01.
[42] 王颀, 彭俊力, 霍宗亮, 叶甜春. 一种CSRAA编码电路及编码器. CN: CN108540138A, 2018-09-14.
[43] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 靳磊, 叶甜春. 一种COMS振荡器电路. CN: CN107947764A, 2018-04-20.
[44] 刘飞, 霍宗亮, 杨诗洋, 王颀, 叶甜春. 一种非易失三维存储器的控制电路. CN: CN108039188A, 2018-05-15.
[45] 王瑜, 黄策策, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种电荷泵系统及三维NAND存储器. CN: CN107592011A, 2018-01-16.
[46] 杜智超, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. NAND闪存存储器的读操作方法、电子设备和计算机可读存储介质. CN: CN107437433A, 2017-12-05.
[47] 曹华敏, 付祥, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器适应性操作装置以及方法. CN: CN107170481A, 2017-09-15.
[48] 杜智超, 付祥, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种读取方法及闪存存储器装置. CN: CN106960686A, 2017-07-18.
[49] 黄策策, 王瑜, 王颀, 田犁, 叶甜春. 一种交叉耦合电荷泵. CN: CN106712497A, 2017-05-24.
[50] 杜智超, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于非易失性存储器的读操作方法及装置. CN: CN106356095A, 2017-01-25.
[51] 宋璧若, 王颀, 夏志良, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存存储器的擦除方法. CN: CN106205710A, 2016-12-07.
[52] 付丽银, 霍宗亮, 王瑜, 王颀. 一种电荷泵电路. 中国: CN105720813A, 2016-06-29.
[53] 刘飞, 霍宗亮, 杨诗洋, 王颀, 叶甜春. 一种基准电压源. CN: CN103412596B, 2015-01-07.
[2] 王颀, 田野, 李前辉, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. NAND闪存及存算一体方法、装置、系统、设备和介质. CN: CN117971159A, 2024-05-03.
[3] 王颀, 张博, 王先良, 于晓磊, 李前辉, 何菁, 杨柳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于插入电压态辅助LDPC译码的方法及系统. CN: CN117851108A, 2024-04-09.
[4] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的译码方法及装置. CN: CN115035936A, 2022-09-09.
[5] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的译码方法及装置. CN: CN115035935A, 2022-09-09.
[6] 王颀, 王先良, 张博, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器数据刷新方法、装置、系统和介质. CN: CN115132261A, 2022-09-30.
[7] 王颀, 张博, 王先良, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法. CN: CN117215476A, 2023-12-12.
[8] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质. CN: CN114283866A, 2022-04-05.
[9] 王颀, 李前辉, 姜一扬, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统. CN: CN113805815A, 2021-12-17.
[10] 王颀, 李前辉, 姜一扬, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统. CN: CN113805815B, 2024-03-01.
[11] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的纠错方法、纠错装置和数据刷新方法. CN: CN113380315A, 2021-09-10.
[12] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置. CN: CN113241107A, 2021-08-10.
[13] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的纠错方法及装置. CN: CN113157486A, 2021-07-23.
[14] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种极化码的获取方法及获取系统. CN: CN113472361A, 2021-10-01.
[15] 李前辉, 王颀, 杨柳, 姜一扬, 于晓磊, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 用于闪存的数据恢复方法. CN: CN112988453A, 2021-06-18.
[16] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器的纠错方法及装置. CN: CN112967747A, 2021-06-15.
[17] 杨诗洋, 刘飞, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种眼图参考电压的校准方法及装置. CN: CN113050012A, 2021-06-29.
[18] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的阈值分布拟合方法、装置及系统. CN: CN112735502A, 2021-04-30.
[19] 王颀, 姜一扬, 李前辉, 霍宗亮, 叶甜春. 用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备. CN: CN112466352A, 2021-03-09.
[20] 王颀, 冯建宇, 张黄鹏, 霍宗亮. 一种基于遗传算法的覆盖率收敛方法及系统. CN: CN111814414A, 2020-10-23.
[21] 王颀, 王中波, 刘飞, 杜智超, 霍宗亮. 一种存储器感应电压测试电路及测试方法. CN: CN111354414A, 2020-06-30.
[22] 王颀, 姜一扬, 李前辉, 霍宗亮. LDPC软译码方法、存储器及电子设备. CN: CN111429959A, 2020-07-17.
[23] 王颀, 张桔萍, 刘飞, 霍宗亮. 存储芯片及其测试电路与测试方法. CN: CN111292797A, 2020-06-16.
[24] 王颀, 姜一扬, 张黄鹏, 霍宗亮. 误码率平衡方法及装置. CN: CN112992256A, 2021-06-18.
[25] 王颀, 姜一扬, 张黄鹏, 霍宗亮. 误码率平衡方法及装置，读取方法及装置. CN: CN112988448A, 2021-06-18.
[26] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮. 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法. CN: CN110797077B, 2022-01-04.
[27] 张黄鹏, 王颀, 霍宗亮. 一种非易失性存储器的控制系统. CN: CN110164499A, 2019-08-23.
[28] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种3D NAND Flash. CN: CN110046105A, 2019-07-23.
[29] 杜含笑, 刘飞, 王颀, 霍宗亮. 一种应用于三维存储器的稳压器电路及三维存储器. CN: CN109658957A, 2019-04-19.
[30] 王颀, 张桔萍, 刘飞, 霍宗亮. 3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置. CN: CN111653305A, 2020-09-11.
[31] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮. 一种数据写入控制电路和控制方法. CN: CN109920462A, 2019-06-21.
[32] 邓春菲, 杨诗洋, 何杰, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 叶甜春. 一种多相时钟串行器及信号转换系统. CN: CN109687860A, 2019-04-26.
[33] 王颀, 何杰, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种时钟占空比校准电路. CN: CN109687847B, 2023-07-25.
[34] 王颀, 何杰, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种时钟占空比校准电路. CN: CN109687847A, 2019-04-26.
[35] 王颀, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种BCH译码器及其译码方法、ECC系统. CN: CN111130568A, 2020-05-08.
[36] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种局部寄存器的生成方法及生成系统. CN: CN109885850A, 2019-06-14.
[37] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种局部寄存器的生成方法及生成系统. CN: CN109885850B, 2023-01-24.
[38] 王颀, 李前辉, 门顶顶, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法及系统. CN: CN108717385A, 2018-10-30.
[39] 王颀, 李子夫, 谢蓉芳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于BCH码的ECC系统及存储器. CN: CN108683426A, 2018-10-19.
[40] 王颀, 李子夫, 谢蓉芳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种BCH译码器. CN: CN108683425A, 2018-10-19.
[41] 杜智超, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法. CN: CN110400594A, 2019-11-01.
[42] 王颀, 彭俊力, 霍宗亮, 叶甜春. 一种CSRAA编码电路及编码器. CN: CN108540138A, 2018-09-14.
[43] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 靳磊, 叶甜春. 一种COMS振荡器电路. CN: CN107947764A, 2018-04-20.
[44] 刘飞, 霍宗亮, 杨诗洋, 王颀, 叶甜春. 一种非易失三维存储器的控制电路. CN: CN108039188A, 2018-05-15.
[45] 王瑜, 黄策策, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种电荷泵系统及三维NAND存储器. CN: CN107592011A, 2018-01-16.
[46] 杜智超, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. NAND闪存存储器的读操作方法、电子设备和计算机可读存储介质. CN: CN107437433A, 2017-12-05.
[47] 曹华敏, 付祥, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器适应性操作装置以及方法. CN: CN107170481A, 2017-09-15.
[48] 杜智超, 付祥, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种读取方法及闪存存储器装置. CN: CN106960686A, 2017-07-18.
[49] 黄策策, 王瑜, 王颀, 田犁, 叶甜春. 一种交叉耦合电荷泵. CN: CN106712497A, 2017-05-24.
[50] 杜智超, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于非易失性存储器的读操作方法及装置. CN: CN106356095A, 2017-01-25.
[51] 宋璧若, 王颀, 夏志良, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存存储器的擦除方法. CN: CN106205710A, 2016-12-07.
[52] 付丽银, 霍宗亮, 王瑜, 王颀. 一种电荷泵电路. 中国: CN105720813A, 2016-06-29.
[53] 刘飞, 霍宗亮, 杨诗洋, 王颀, 叶甜春. 一种基准电压源. CN: CN103412596B, 2015-01-07.
出版信息
发表论文
（1） Interleaved LDPC Decoding Scheme Improves 3-D TLC NAND Flash Memory System Performance, IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2023, 第 6 作者
（2） FBEL: Enhanced LLR Optimization Algorithm based on the VSER Prediction by Flag Bits in the Bit-flipping Scheme, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（3） LIAD: A Method for Extending the Effective Time of 3-D TLC NAND Flash Hard Decision, IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2023, 第 8 作者 通讯作者
（4） Monitor Units Assisted LDPC Decoding Algorithm based on Page BER Variation of 3D NAND Flash Memory, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（5） DNN-based error level prediction for reducing read latency in 3D NAND flash memory, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 第 8 作者 通讯作者
（6） Reduce Refresh Operations on 3-D TLC nand Flash System via Wordline (WL) Interference, IEEE EMBEDDED SYSTEMS LETTERS, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（7） Optimal read voltages decision scheme eliminating read retry operations for 3D NAND flash memories, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 第 11 作者
（8） A novel adaptive-refresh scheme to reduce refresh with page endurance variance in 3D TLC NAND flash memories, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（9） 一种适用于3D NAND闪存的分布式功率级LDO设计, Distributed power stage LDO design for 3D NAND flash memory, 微电子学与计算机, 2022, 第 3 作者
（10） Read latency decrease schemes based on check node error rate for 3D NAND flash memories, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（11） A polynomial based valley search algorithm for 3D NAND flash memory, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2022, 第 5 作者
（12） An efficient built-in error detection methodology with fast page-oriented data comparison in 3D NAND flash memories, ELECTRONICS LETTERS, 2022,
（13） Retention failure recovery technique for 3D TLC NAND flash memory via wordline (WL) interference, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2022, 第 2 作者
（14） A Novel Program Suspend Scheme for Improving the Reliability of 3D NAND Flash Memory, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2022, 第 10 作者
（15） A Novel Plane-Based Control Bus Design with Distributed Registers in 3D NAND Flash Memories, A Novel Plane-Based Control Bus Design with Distributed Registers in 3D NAND Flash Memories, CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2022, 第 2 作者
（16） Adaptive Pulse Programming Scheme for Improving the V-th Distribution and Program Performance in 3D NAND Flash Memory, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2021, 第 6 作者
（17） Multi-Coding ECC Algorithm Based on 3D Charge Trap NAND Flash Hot Region Cell Prediction, IEEE COMMUNICATIONS LETTERS, 2020, 第 2 作者
（18） 3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究, Investigation of the Data Retention Initial State Dependence in 3D NAND Flash Memory, 电子学报, 2020, 第 2 作者
（19） 一种用于三维闪存测试的低成本PMU电路, A low-cost PMU circuit for 3D NAND Flash memory testing, 微电子学与计算机, 2020, 第 2 作者
（20） 3D NAND Flash的片上控制逻辑电路设计, Design of 3D NAND flash memory on-chip control logic circuit, 微电子学与计算机, 2019, 第 2 作者
（21） A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 第 2 作者 通讯作者
（22） 基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究, Research on Coarse/Fine Read Algorithm Based on a NAND Flash Page Buffer Design, 电子学报, 2018, 第 4 作者
（23） Word line interference based data recovery technique for 3D NAND Flash, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 第 4 作者
（24） A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology, DENSHI JOUHOU TSUUSHIN GAKKAI, 2017, 第 6 作者
（25） Dynamic LLR scheme based on EM algorithm for LDPC decoding in NAND flash memory, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（26） A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
（27） A high efficiency all-PMOS charge pump for 3D NAND flash memory, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 3 作者
（28） A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory, 2015, 第 3 作者
（29） A Novel Adaptive CMOS Low-dropout Regulator with 3A Sink/Source Capability, PROCEEDINGS OF 2015 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON), 2015, 第 11 作者
（30） A Novel CMOS Low-dropout Regulator with 3A SinkSource Capability, 11th ASICON, 2015, 第 1 作者
（2） FBEL: Enhanced LLR Optimization Algorithm based on the VSER Prediction by Flag Bits in the Bit-flipping Scheme, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（3） LIAD: A Method for Extending the Effective Time of 3-D TLC NAND Flash Hard Decision, IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2023, 第 8 作者 通讯作者
（4） Monitor Units Assisted LDPC Decoding Algorithm based on Page BER Variation of 3D NAND Flash Memory, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 第 2 作者 通讯作者
（5） DNN-based error level prediction for reducing read latency in 3D NAND flash memory, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 第 8 作者 通讯作者
（6） Reduce Refresh Operations on 3-D TLC nand Flash System via Wordline (WL) Interference, IEEE EMBEDDED SYSTEMS LETTERS, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（7） Optimal read voltages decision scheme eliminating read retry operations for 3D NAND flash memories, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 第 11 作者
（8） A novel adaptive-refresh scheme to reduce refresh with page endurance variance in 3D TLC NAND flash memories, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（9） 一种适用于3D NAND闪存的分布式功率级LDO设计, Distributed power stage LDO design for 3D NAND flash memory, 微电子学与计算机, 2022, 第 3 作者
（10） Read latency decrease schemes based on check node error rate for 3D NAND flash memories, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 第 2 作者 通讯作者
（11） A polynomial based valley search algorithm for 3D NAND flash memory, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2022, 第 5 作者
（12） An efficient built-in error detection methodology with fast page-oriented data comparison in 3D NAND flash memories, ELECTRONICS LETTERS, 2022,
（13） Retention failure recovery technique for 3D TLC NAND flash memory via wordline (WL) interference, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2022, 第 2 作者
（14） A Novel Program Suspend Scheme for Improving the Reliability of 3D NAND Flash Memory, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2022, 第 10 作者
（15） A Novel Plane-Based Control Bus Design with Distributed Registers in 3D NAND Flash Memories, A Novel Plane-Based Control Bus Design with Distributed Registers in 3D NAND Flash Memories, CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2022, 第 2 作者
（16） Adaptive Pulse Programming Scheme for Improving the V-th Distribution and Program Performance in 3D NAND Flash Memory, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2021, 第 6 作者
（17） Multi-Coding ECC Algorithm Based on 3D Charge Trap NAND Flash Hot Region Cell Prediction, IEEE COMMUNICATIONS LETTERS, 2020, 第 2 作者
（18） 3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究, Investigation of the Data Retention Initial State Dependence in 3D NAND Flash Memory, 电子学报, 2020, 第 2 作者
（19） 一种用于三维闪存测试的低成本PMU电路, A low-cost PMU circuit for 3D NAND Flash memory testing, 微电子学与计算机, 2020, 第 2 作者
（20） 3D NAND Flash的片上控制逻辑电路设计, Design of 3D NAND flash memory on-chip control logic circuit, 微电子学与计算机, 2019, 第 2 作者
（21） A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 第 2 作者 通讯作者
（22） 基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究, Research on Coarse/Fine Read Algorithm Based on a NAND Flash Page Buffer Design, 电子学报, 2018, 第 4 作者
（23） Word line interference based data recovery technique for 3D NAND Flash, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 第 4 作者
（24） A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology, DENSHI JOUHOU TSUUSHIN GAKKAI, 2017, 第 6 作者
（25） Dynamic LLR scheme based on EM algorithm for LDPC decoding in NAND flash memory, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（26） A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
（27） A high efficiency all-PMOS charge pump for 3D NAND flash memory, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 3 作者
（28） A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory, 2015, 第 3 作者
（29） A Novel Adaptive CMOS Low-dropout Regulator with 3A Sink/Source Capability, PROCEEDINGS OF 2015 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON), 2015, 第 11 作者
（30） A Novel CMOS Low-dropout Regulator with 3A SinkSource Capability, 11th ASICON, 2015, 第 1 作者
发表著作
（1） 存储器工艺与器件技术, 清华出版社, 2023-08, 第 4 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 大容量NAND FLASH芯片, 参与, 国家任务, 2023-03--2026-03
（ 2 ） 嵌入式阻变存储器测试电路及芯片设计, 负责人, 境内委托项目, 2021-02--2023-02
（ 3 ） 下一代三维存储器沟道材料优化, 负责人, 境内委托项目, 2020-01--2022-01
（ 4 ） 64层3D NAND存储单元可靠性技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2020-12
（ 5 ） 高密度大容量闪存核心技术开发, 参与, 境内委托项目, 2018-01--2020-12
（ 6 ） 先进三维NAND型闪存存储器芯片集成工艺研究及其产业化, 参与, 中国科学院计划, 2016-01--2017-12
（ 7 ） 中国科学院微电子研究所所长基金, 负责人, 研究所自主部署, 2015-11--2018-11
（ 8 ） 中国科学院****, 负责人, 中国科学院计划, 2015-11--2018-11
（ 9 ） 中科院微电子所武汉新芯集成电路制造公司三维NAND存储器联合开发项目, 负责人, 境内委托项目, 2015-05--2017-10
（ 2 ） 嵌入式阻变存储器测试电路及芯片设计, 负责人, 境内委托项目, 2021-02--2023-02
（ 3 ） 下一代三维存储器沟道材料优化, 负责人, 境内委托项目, 2020-01--2022-01
（ 4 ） 64层3D NAND存储单元可靠性技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2020-12
（ 5 ） 高密度大容量闪存核心技术开发, 参与, 境内委托项目, 2018-01--2020-12
（ 6 ） 先进三维NAND型闪存存储器芯片集成工艺研究及其产业化, 参与, 中国科学院计划, 2016-01--2017-12
（ 7 ） 中国科学院微电子研究所所长基金, 负责人, 研究所自主部署, 2015-11--2018-11
（ 8 ） 中国科学院****, 负责人, 中国科学院计划, 2015-11--2018-11
（ 9 ） 中科院微电子所武汉新芯集成电路制造公司三维NAND存储器联合开发项目, 负责人, 境内委托项目, 2015-05--2017-10
指导学生
已指导学生
张桔萍 硕士研究生 085208-电子与通信工程
王美兰 硕士研究生 085208-电子与通信工程
李前辉 硕士研究生 085209-集成电路工程
何杰 硕士研究生 085209-集成电路工程
姜一扬 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张玺 硕士研究生 085208-电子与通信工程
张明明 硕士研究生 085208-电子与通信工程
王中波 硕士研究生 085208-电子与通信工程
王硕 硕士研究生 085208-电子与通信工程
冯建宇 硕士研究生 085208-电子与通信工程
于晓磊 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张德玉 硕士研究生 085209-集成电路工程
王泽霞 硕士研究生 085209-集成电路工程
李前辉 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
杨柳 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
李建杰 硕士研究生 085209-集成电路工程
武金玉 硕士研究生 085209-集成电路工程
李润泽 硕士研究生 085208-电子与通信工程
张宁 硕士研究生 085209-集成电路工程
王先良 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张博 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
郝岩 硕士研究生 085403-集成电路工程
李治泓 硕士研究生 085400-电子信息
张吉昭 硕士研究生 085400-电子信息
刘芙彤 硕士研究生 085403-集成电路工程
王卫涛 硕士研究生 085403-集成电路工程
强旭红 硕士研究生 085400-电子信息
胡承良 硕士研究生 085400-电子信息
姜绵超 硕士研究生 085400-电子信息
陈迎迎 硕士研究生 085400-电子信息
张均宝 硕士研究生 085400-电子信息
方语萱 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
赵冬雪 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
游开开 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
贾建权 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
朱桉熠 硕士研究生 085400-电子信息
侯超 硕士研究生 085400-电子信息
部卓涵 硕士研究生 085400-电子信息
黄辉 硕士研究生 085400-电子信息
林壮壮 硕士研究生 085400-电子信息
现指导学生
田野 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
何菁 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
曹泽文 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
吴文天 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张家贝 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
陈煜 硕士研究生 085400-电子信息
潘志贤 硕士研究生 085400-电子信息
李绍华 硕士研究生 085400-电子信息
张子阳 硕士研究生 085400-电子信息
屈仝 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
赵昕翱 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
陈珂 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
李禹欣 硕士研究生 085400-电子信息
段皓冉 硕士研究生 085400-电子信息
王薪翰 硕士研究生 085400-电子信息
元心悦 硕士研究生 085400-电子信息
赵宇航 硕士研究生 085400-电子信息
赵乾淇 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张昊 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
谢宇承 博士研究生 140100-集成电路科学与工程
王晟宇 硕士研究生 085403-集成电路工程
袁旭超 硕士研究生 085401-新一代电子信息技术（含量子技术等）
崔开壮 硕士研究生 085403-集成电路工程
姜凯翔 硕士研究生 085401-新一代电子信息技术（含量子技术等）
周径 博士研究生 140100-集成电路科学与工程
徐楚恒 硕士研究生 085400-电子信息
李文琦 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学