研究领域为GaN基毫米波太赫兹波HEMT材料与器件、大功率GaN基HBT射频器件、GaN高压开关器件以及GaN基W波段、太赫兹波段PA、LNA电路设计与芯片研制等。

（1）GaN高载流子迁移率材料与晶体管

（2）90GHz ～ 300GHz 射频芯片设计与制造

​（3）250nm AlGaN 光电子材料与芯片

080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
080901-物理电子学

GaN射频毫米波与太赫兹器件及MMIC
氮化物半导体材料外延
GaN高压电力电子横向器件与纵向器件

2006-05--2011-07   佐治亚理工学院   博士
2001-09--2005-07   清华大学   本科

   

2019-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 副所长
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 所长助理
2012-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2011-08~2012-02,美国高平（Kopin）半导体公司, 研发工程师

半导体照明与氮化镓器件
半导体照明技术
专题实践